二極管參數(shù)說明
CT---勢壘電容 三、場效應(yīng)管參數(shù)符號意義
Cj---結(jié)(極間)電容, 表示在二極管兩端加規(guī)定偏壓下,鍺檢波二極管的總電容
Cjv---偏壓結(jié)電容
Co---零偏壓電容
Cjo---零偏壓結(jié)電容
Cjo/Cjn---結(jié)電容變化
Cs---管殼電容或封裝電容
Ct---總電容
CTV---電壓溫度系數(shù)。在測試電流下,穩(wěn)定電壓的相對變化與環(huán)境溫度的絕對變化之比
CTC---電容溫度系數(shù)
Cvn---標(biāo)稱電容
IF---正向直流電流(正向測試電流)。鍺檢波二極管在規(guī)定的正向電壓VF下,通過極間的電流;硅整流管、硅堆在規(guī)定的使用條件下,在正弦半波中允許連續(xù)通過的最大工作電流(平均值),硅開關(guān)二極管在額定功率下允許通過的最大正向直流電流;測穩(wěn)壓二極管正向電參數(shù)時給定的電流
IF(AV)---正向平均電流
IFM(IM)---正向峰值電流(正向最大電流)。在額定功率下,允許通過二極管的最大正向脈沖電流。發(fā)光二極管極限電流。
IH---恒定電流、維持電流。
Ii--- 發(fā)光二極管起輝電流
IFRM---正向重復(fù)峰值電流
IFSM---正向不重復(fù)峰值電流(浪涌電流)
Io---整流電流。在特定線路中規(guī)定頻率和規(guī)定電壓條件下所通過的工作電流
IF(ov)---正向過載電流
IL---光電流或穩(wěn)流二極管極限電流
ID---暗電流
IB2---單結(jié)晶體管中的基極調(diào)制電流
IEM---發(fā)射極峰值電流
IEB10---雙基極單結(jié)晶體管中發(fā)射極與第一基極間反向電流
IEB20---雙基極單結(jié)晶體管中發(fā)射極向電流
ICM---最大輸出平均電流
IFMP---正向脈沖電流
IP---峰點電流
IV---谷點電流
IGT---晶閘管控制極觸發(fā)電流
IGD---晶閘管控制極不觸發(fā)電流
IGFM---控制極正向峰值電流
IR(AV)---反向平均電流
IR(In)---反向直流電流(反向漏電流)。在測反向特性時,給定的反向電流;硅堆在正弦半波電阻性負(fù)載電路中,加反向電壓規(guī)定值時,所通過的電流;硅開關(guān)二極管兩端加反向工作電壓VR時所通過的電流;穩(wěn)壓二極管在反向電壓下,產(chǎn)生的漏電流;整流管在正弦半波最高反向工作電壓下的漏電流。
IRM---反向峰值電流
IRR---晶閘管反向重復(fù)平均電流
IDR---晶閘管斷態(tài)平均重復(fù)電流
IRRM---反向重復(fù)峰值電流
IRSM---反向不重復(fù)峰值電流(反向浪涌電流)
Irp---反向恢復(fù)電流
Iz---穩(wěn)定電壓電流(反向測試電流)。測試反向電參數(shù)時,給定的反向電流
Izk---穩(wěn)壓管膝點電流
IOM---最大正向(整流)電流。在規(guī)定條件下,能承受的正向最大瞬時電流;在電阻性負(fù)荷的正弦半波整流電路中允許連續(xù)通過鍺檢波二極管的最大工作電流
IZSM---穩(wěn)壓二極管浪涌電流
IZM---最大穩(wěn)壓電流。在最大耗散功率下穩(wěn)壓二極管允許通過的電流
iF---正向總瞬時電流
iR---反向總瞬時電流
ir---反向恢復(fù)電流
Iop---工作電流
Is---穩(wěn)流二極管穩(wěn)定電流
f---頻率
n---電容變化指數(shù);電容比
Q---優(yōu)值(品質(zhì)因素)
δvz---穩(wěn)壓管電壓漂移
di/dt---通態(tài)電流臨界上升率
dv/dt---通態(tài)電壓臨界上升率
PB---承受脈沖燒毀功率
PFT(AV)---正向?qū)ㄆ骄纳⒐β?/FONT>
PFTM---正向峰值耗散功率
PFT---正向?qū)偹矔r耗散功率
Pd---耗散功率
PG---門極平均功率
PGM---門極峰值功率
PC---控制極平均功率或集電極耗散功率
Pi---輸入功率
PK---最大開關(guān)功率
PM---額定功率。硅二極管結(jié)溫不高于150度所能承受的最大功率
PMP---最大漏過脈沖功率
PMS---最大承受脈沖功率
Po---輸出功率
PR---反向浪涌功率
Ptot---總耗散功率
Pomax---最大輸出功率
Psc---連續(xù)輸出功率
PSM---不重復(fù)浪涌功率
PZM---最大耗散功率。在給定使用條件下,穩(wěn)壓二極管允許承受的最大功率
RF(r)---正向微分電阻。在正向?qū)〞r,電流隨電壓指數(shù)的增加,呈現(xiàn)明顯的非線性特性。在某一正向電壓下,電壓增加微小量△V,正向電流相應(yīng)增加△I,則△V/△I稱微分電阻
RBB---雙基極晶體管的基極間電阻
RE---射頻電阻
RL---負(fù)載電阻
Rs(rs)----串聯(lián)電阻
Rth----熱阻
R(th)ja----結(jié)到環(huán)境的熱阻
Rz(ru)---動態(tài)電阻
R(th)jc---結(jié)到殼的熱阻
r δ---衰減電阻
r(th)---瞬態(tài)電阻
Ta---環(huán)境溫度
Tc---殼溫
td---延遲時間
tf---下降時間
tfr---正向恢復(fù)時間
tg---電路換向關(guān)斷時間
tgt---門極控制極開通時間
Tj---結(jié)溫
Tjm---最高結(jié)溫
ton---開通時間
toff---關(guān)斷時間
tr---上升時間
trr---反向恢復(fù)時間
ts---存儲時間
tstg---溫度補(bǔ)償二極管的貯成溫度
a---溫度系數(shù)
λp---發(fā)光峰值波長
△ λ---光譜半寬度
η---單結(jié)晶體管分壓比或效率
VB---反向峰值擊穿電壓
Vc---整流輸入電壓
VB2B1---基極間電壓
VBE10---發(fā)射極與第一基極反向電壓
VEB---飽和壓降
VFM---最大正向壓降(正向峰值電壓)
VF---正向壓降(正向直流電壓)
△VF---正向壓降差
VDRM---斷態(tài)重復(fù)峰值電壓
VGT---門極觸發(fā)電壓
VGD---門極不觸發(fā)電壓
VGFM---門極正向峰值電壓
VGRM---門極反向峰值電壓
VF(AV)---正向平均電壓
Vo---交流輸入電壓
VOM---最大輸出平均電壓
Vop---工作電壓
Vn---中心電壓
Vp---峰點電壓
VR---反向工作電壓(反向直流電壓)
VRM---反向峰值電壓(最高測試電壓)
V(BR)---擊穿電壓
Vth---閥電壓(門限電壓)
VRRM---反向重復(fù)峰值電壓(反向浪涌電壓)
VRWM---反向工作峰值電壓
V v---谷點電壓
Vz---穩(wěn)定電壓
△Vz---穩(wěn)壓范圍電壓增量
Vs---通向電壓(信號電壓)或穩(wěn)流管穩(wěn)定電流電壓
av---電壓溫度系數(shù)二、雙極型晶體管參數(shù)符號及其意義
Cc---集電極電容
Ccb---集電極與基極間電容
Cce---發(fā)射極接地輸出電容
Ci---輸入電容
Cib---共基極輸入電容
Cie---共發(fā)射極輸入電容
Cies---共發(fā)射極短路輸入電容
Cieo---共發(fā)射極開路輸入電容
Cn---中和電容(外電路參數(shù))
Co---輸出電容
Cob---共基極輸出電容。在基極電路中,集電極與基極間輸出電容
Coe---共發(fā)射極輸出電容
Coeo---共發(fā)射極開路輸出電容
Cre---共發(fā)射極反饋電容
Cic---集電結(jié)勢壘電容
CL---負(fù)載電容(外電路參數(shù))
Cp---并聯(lián)電容(外電路參數(shù))
BVcbo---發(fā)射極開路,集電極與基極間擊穿電壓
BVceo---基極開路,CE結(jié)擊穿電壓
BVebo--- 集電極開路EB結(jié)擊穿電壓
BVces---基極與發(fā)射極短路CE結(jié)擊穿電壓
BV cer---基極與發(fā)射極串接一電阻,CE結(jié)擊穿電壓
D---占空比
fT---特征頻率
fmax---最高振蕩頻率。當(dāng)三極管功率增益等于1時的工作頻率
hFE---共發(fā)射極靜態(tài)電流放大系數(shù)
hIE---共發(fā)射極靜態(tài)輸入阻抗
hOE---共發(fā)射極靜態(tài)輸出電導(dǎo)
h RE---共發(fā)射極靜態(tài)電壓反饋系數(shù)
hie---共發(fā)射極小信號短路輸入阻抗
hre---共發(fā)射極小信號開路電壓反饋系數(shù)
hfe---共發(fā)射極小信號短路電壓放大系數(shù)
hoe---共發(fā)射極小信號開路輸出導(dǎo)納
IB---基極直流電流或交流電流的平均值
Ic---集電極直流電流或交流電流的平均值
IE---發(fā)射極直流電流或交流電流的平均值
Icbo---基極接地,發(fā)射極對地開路,在規(guī)定的VCB反向電壓條件下的集電極與基極之間的反向截止電流
Iceo---發(fā)射極接地,基極對地開路,在規(guī)定的反向電壓VCE條件下,集電極與發(fā)射極之間的反向截止電流
Iebo---基極接地,集電極對地開路,在規(guī)定的反向電壓VEB條件下,發(fā)射極與基極之間的反向截止電流
Icer---基極與發(fā)射極間串聯(lián)電阻R,集電極與發(fā)射極間的電壓VCE為規(guī)定值時,集電極與發(fā)射極之間的反向截止電流
Ices---發(fā)射極接地,基極對地短路,在規(guī)定的反向電壓VCE條件下,集電極與發(fā)射極之間的反向截止電流
Icex---發(fā)射極接地,基極與發(fā)射極間加指定偏壓,在規(guī)定的反向偏壓VCE下,集電極與發(fā)射極之間的反向截止電流
ICM---集電極最大允許電流或交流電流的最大平均值。
IBM---在集電極允許耗散功率的范圍內(nèi),能連續(xù)地通過基極的直流電流的最大值,或交流電流的最大平均值
ICMP---集電極最大允許脈沖電流
ISB---二次擊穿電流
IAGC---正向自動控制電流
Pc---集電極耗散功率
PCM---集電極最大允許耗散功率
Pi---輸入功率
Po---輸出功率
Posc---振蕩功率
Pn---噪聲功率
Ptot---總耗散功率
ESB---二次擊穿能量
rbb'---基區(qū)擴(kuò)展電阻(基區(qū)本征電阻)
rbb'Cc---基極-集電極時間常數(shù),即基極擴(kuò)展電阻與集電結(jié)電容量的乘積
rie---發(fā)射極接地,交流輸出短路時的輸入電阻
roe---發(fā)射極接地,在規(guī)定VCE、Ic或IE、頻率條件下測定的交流輸入短路時的輸出電阻
RE---外接發(fā)射極電阻(外電路參數(shù))
RB---外接基極電阻(外電路參數(shù))
Rc ---外接集電極電阻(外電路參數(shù))
RBE---外接基極-發(fā)射極間電阻(外電路參數(shù))
RL---負(fù)載電阻(外電路參數(shù))
RG---信號源內(nèi)阻
Rth---熱阻
Ta---環(huán)境溫度
Tc---管殼溫度
Ts---結(jié)溫
Tjm---最大允許結(jié)溫
Tstg---貯存溫度
td----延遲時間
tr---上升時間
ts---存貯時間
tf---下降時間
ton---開通時間
toff---關(guān)斷時間
VCB---集電極-基極(直流)電壓
VCE---集電極-發(fā)射極(直流)電壓
VBE---基極發(fā)射極(直流)電壓
VCBO---基極接地,發(fā)射極對地開路,集電極與基極之間在指定條件下的最高耐壓
VEBO---基極接地,集電極對地開路,發(fā)射極與基極之間在指定條件下的最高耐壓
VCEO---發(fā)射極接地,基極對地開路,集電極與發(fā)射極之間在指定條件下的最高耐壓
VCER---發(fā)射極接地,基極與發(fā)射極間串接電阻R,集電極與發(fā)射極間在指定條件下的最高耐壓
VCES---發(fā)射極接地,基極對地短路,集電極與發(fā)射極之間在指定條件下的最高耐壓
VCEX---發(fā)射極接地,基極與發(fā)射極之間加規(guī)定的偏壓,集電極與發(fā)射極之間在規(guī)定條件下的最高耐壓
Vp---穿通電壓。
VSB---二次擊穿電壓
VBB---基極(直流)電源電壓(外電路參數(shù))
Vcc---集電極(直流)電源電壓(外電路參數(shù))
VEE---發(fā)射極(直流)電源電壓(外電路參數(shù))
VCE(sat)---發(fā)射極接地,規(guī)定Ic、IB條件下的集電極-發(fā)射極間飽和壓降
VBE(sat)---發(fā)射極接地,規(guī)定Ic、IB條件下,基極-發(fā)射極飽和壓降(前向壓降)
VAGC---正向自動增益控制電壓
Vn(p-p)---輸入端等效噪聲電壓峰值
V n---噪聲電壓
Cj---結(jié)(極間)電容, 表示在二極管兩端加規(guī)定偏壓下,鍺檢波二極管的總電容
Cjv---偏壓結(jié)電容
Co---零偏壓電容
Cjo---零偏壓結(jié)電容
Cjo/Cjn---結(jié)電容變化
Cs---管殼電容或封裝電容
Ct---總電容
CTV---電壓溫度系數(shù)。在測試電流下,穩(wěn)定電壓的相對變化與環(huán)境溫度的絕對變化之比
CTC---電容溫度系數(shù)
Cvn---標(biāo)稱電容
IF---正向直流電流(正向測試電流)。鍺檢波二極管在規(guī)定的正向電壓VF下,通過極間的電流;硅整流管、硅堆在規(guī)定的使用條件下,在正弦半波中允許連續(xù)通過的最大工作電流(平均值),硅開關(guān)二極管在額定功率下允許通過的最大正向直流電流;測穩(wěn)壓二極管正向電參數(shù)時給定的電流
IF(AV)---正向平均電流
IFM(IM)---正向峰值電流(正向最大電流)。在額定功率下,允許通過二極管的最大正向脈沖電流。發(fā)光二極管極限電流。
IH---恒定電流、維持電流。
Ii--- 發(fā)光二極管起輝電流
IFRM---正向重復(fù)峰值電流
IFSM---正向不重復(fù)峰值電流(浪涌電流)
Io---整流電流。在特定線路中規(guī)定頻率和規(guī)定電壓條件下所通過的工作電流
IF(ov)---正向過載電流
IL---光電流或穩(wěn)流二極管極限電流
ID---暗電流
IB2---單結(jié)晶體管中的基極調(diào)制電流
IEM---發(fā)射極峰值電流
IEB10---雙基極單結(jié)晶體管中發(fā)射極與第一基極間反向電流
IEB20---雙基極單結(jié)晶體管中發(fā)射極向電流
ICM---最大輸出平均電流
IFMP---正向脈沖電流
IP---峰點電流
IV---谷點電流
IGT---晶閘管控制極觸發(fā)電流
IGD---晶閘管控制極不觸發(fā)電流
IGFM---控制極正向峰值電流
IR(AV)---反向平均電流
IR(In)---反向直流電流(反向漏電流)。在測反向特性時,給定的反向電流;硅堆在正弦半波電阻性負(fù)載電路中,加反向電壓規(guī)定值時,所通過的電流;硅開關(guān)二極管兩端加反向工作電壓VR時所通過的電流;穩(wěn)壓二極管在反向電壓下,產(chǎn)生的漏電流;整流管在正弦半波最高反向工作電壓下的漏電流。
IRM---反向峰值電流
IRR---晶閘管反向重復(fù)平均電流
IDR---晶閘管斷態(tài)平均重復(fù)電流
IRRM---反向重復(fù)峰值電流
IRSM---反向不重復(fù)峰值電流(反向浪涌電流)
Irp---反向恢復(fù)電流
Iz---穩(wěn)定電壓電流(反向測試電流)。測試反向電參數(shù)時,給定的反向電流
Izk---穩(wěn)壓管膝點電流
IOM---最大正向(整流)電流。在規(guī)定條件下,能承受的正向最大瞬時電流;在電阻性負(fù)荷的正弦半波整流電路中允許連續(xù)通過鍺檢波二極管的最大工作電流
IZSM---穩(wěn)壓二極管浪涌電流
IZM---最大穩(wěn)壓電流。在最大耗散功率下穩(wěn)壓二極管允許通過的電流
iF---正向總瞬時電流
iR---反向總瞬時電流
ir---反向恢復(fù)電流
Iop---工作電流
Is---穩(wěn)流二極管穩(wěn)定電流
f---頻率
n---電容變化指數(shù);電容比
Q---優(yōu)值(品質(zhì)因素)
δvz---穩(wěn)壓管電壓漂移
di/dt---通態(tài)電流臨界上升率
dv/dt---通態(tài)電壓臨界上升率
PB---承受脈沖燒毀功率
PFT(AV)---正向?qū)ㄆ骄纳⒐β?/FONT>
PFTM---正向峰值耗散功率
PFT---正向?qū)偹矔r耗散功率
Pd---耗散功率
PG---門極平均功率
PGM---門極峰值功率
PC---控制極平均功率或集電極耗散功率
Pi---輸入功率
PK---最大開關(guān)功率
PM---額定功率。硅二極管結(jié)溫不高于150度所能承受的最大功率
PMP---最大漏過脈沖功率
PMS---最大承受脈沖功率
Po---輸出功率
PR---反向浪涌功率
Ptot---總耗散功率
Pomax---最大輸出功率
Psc---連續(xù)輸出功率
PSM---不重復(fù)浪涌功率
PZM---最大耗散功率。在給定使用條件下,穩(wěn)壓二極管允許承受的最大功率
RF(r)---正向微分電阻。在正向?qū)〞r,電流隨電壓指數(shù)的增加,呈現(xiàn)明顯的非線性特性。在某一正向電壓下,電壓增加微小量△V,正向電流相應(yīng)增加△I,則△V/△I稱微分電阻
RBB---雙基極晶體管的基極間電阻
RE---射頻電阻
RL---負(fù)載電阻
Rs(rs)----串聯(lián)電阻
Rth----熱阻
R(th)ja----結(jié)到環(huán)境的熱阻
Rz(ru)---動態(tài)電阻
R(th)jc---結(jié)到殼的熱阻
r δ---衰減電阻
r(th)---瞬態(tài)電阻
Ta---環(huán)境溫度
Tc---殼溫
td---延遲時間
tf---下降時間
tfr---正向恢復(fù)時間
tg---電路換向關(guān)斷時間
tgt---門極控制極開通時間
Tj---結(jié)溫
Tjm---最高結(jié)溫
ton---開通時間
toff---關(guān)斷時間
tr---上升時間
trr---反向恢復(fù)時間
ts---存儲時間
tstg---溫度補(bǔ)償二極管的貯成溫度
a---溫度系數(shù)
λp---發(fā)光峰值波長
△ λ---光譜半寬度
η---單結(jié)晶體管分壓比或效率
VB---反向峰值擊穿電壓
Vc---整流輸入電壓
VB2B1---基極間電壓
VBE10---發(fā)射極與第一基極反向電壓
VEB---飽和壓降
VFM---最大正向壓降(正向峰值電壓)
VF---正向壓降(正向直流電壓)
△VF---正向壓降差
VDRM---斷態(tài)重復(fù)峰值電壓
VGT---門極觸發(fā)電壓
VGD---門極不觸發(fā)電壓
VGFM---門極正向峰值電壓
VGRM---門極反向峰值電壓
VF(AV)---正向平均電壓
Vo---交流輸入電壓
VOM---最大輸出平均電壓
Vop---工作電壓
Vn---中心電壓
Vp---峰點電壓
VR---反向工作電壓(反向直流電壓)
VRM---反向峰值電壓(最高測試電壓)
V(BR)---擊穿電壓
Vth---閥電壓(門限電壓)
VRRM---反向重復(fù)峰值電壓(反向浪涌電壓)
VRWM---反向工作峰值電壓
V v---谷點電壓
Vz---穩(wěn)定電壓
△Vz---穩(wěn)壓范圍電壓增量
Vs---通向電壓(信號電壓)或穩(wěn)流管穩(wěn)定電流電壓
av---電壓溫度系數(shù)
Vk---膝點電壓(穩(wěn)流二極管)
VL ---極限電壓
Vk---膝點電壓(穩(wěn)流二極管)
VL ---極限電壓
Cds---漏-源電容
Cdu---漏-襯底電容
Cgd---柵-源電容
Cgs---漏-源電容
Ciss---柵短路共源輸入電容
Coss---柵短路共源輸出電容
Crss---柵短路共源反向傳輸電容
D---占空比(占空系數(shù),外電路參數(shù))
di/dt---電流上升率(外電路參數(shù))
dv/dt---電壓上升率(外電路參數(shù))
ID---漏極電流(直流)
IDM---漏極脈沖電流
ID(on)---通態(tài)漏極電流
IDQ---靜態(tài)漏極電流(射頻功率管)
IDS---漏源電流
IDSM---最大漏源電流
IDSS---柵-源短路時,漏極電流
IDS(sat)---溝道飽和電流(漏源飽和電流)
IG---柵極電流(直流)
IGF---正向柵電流
IGR---反向柵電流
IGDO---源極開路時,截止柵電流
IGSO---漏極開路時,截止柵電流
IGM---柵極脈沖電流
IGP---柵極峰值電流
IF---二極管正向電流
IGSS---漏極短路時截止柵電流
IDSS1---對管第一管漏源飽和電流
IDSS2---對管第二管漏源飽和電流
Iu---襯底電流
Ipr---電流脈沖峰值(外電路參數(shù))
gfs---正向跨導(dǎo)
Gp---功率增益
Gps---共源極中和高頻功率增益
GpG---共柵極中和高頻功率增益
GPD---共漏極中和高頻功率增益
ggd---柵漏電導(dǎo)
gds---漏源電導(dǎo)
K---失調(diào)電壓溫度系數(shù)
Ku---傳輸系數(shù)
L---負(fù)載電感(外電路參數(shù))
LD---漏極電感
Ls---源極電感
rDS---漏源電阻
rDS(on)---漏源通態(tài)電阻
rDS(of)---漏源斷態(tài)電阻
rGD---柵漏電阻
rGS---柵源電阻
Rg---柵極外接電阻(外電路參數(shù))
RL---負(fù)載電阻(外電路參數(shù))
R(th)jc---結(jié)殼熱阻
R(th)ja---結(jié)環(huán)熱阻
PD---漏極耗散功率
PDM---漏極最大允許耗散功率
PIN--輸入功率
POUT---輸出功率
PPK---脈沖功率峰值(外電路參數(shù))
to(on)---開通延遲時間
td(off)---關(guān)斷延遲時間
ti---上升時間
ton---開通時間
toff---關(guān)斷時間
tf---下降時間
trr---反向恢復(fù)時間
Tj---結(jié)溫
Tjm---最大允許結(jié)溫
Ta---環(huán)境溫度
Tc---管殼溫度
Tstg---貯成溫度
VDS---漏源電壓(直流)
VGS---柵源電壓(直流)
VGSF--正向柵源電壓(直流)
VGSR---反向柵源電壓(直流)
VDD---漏極(直流)電源電壓(外電路參數(shù))
VGG---柵極(直流)電源電壓(外電路參數(shù))
Vss---源極(直流)電源電壓(外電路參數(shù))
VGS(th)---開啟電壓或閥電壓
V(BR)DSS---漏源擊穿電壓
V(BR)GSS---漏源短路時柵源擊穿電壓
VDS(on)---漏源通態(tài)電壓
VDS(sat)---漏源飽和電壓
VGD---柵漏電壓(直流)
Vsu---源襯底電壓(直流)
VDu---漏襯底電壓(直流)
VGu---柵襯底電壓(直流)
Zo---驅(qū)動源內(nèi)阻
η---漏極效率(射頻功率管)
Vn---噪聲電壓
aID---漏極電流溫度系數(shù)
ards---漏源電阻溫度系數(shù)
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