電子及材料相關(guān)術(shù)語解析

1、Admittance 導(dǎo)納
指交流電路中，其電流在導(dǎo)體中流動的難易程度，亦即為"阻抗 Impedance"的倒數(shù)。

2、Aluminium Nitride(AIN)　氮化鋁
是一種相當(dāng)新式的陶瓷材料，可做為高功率零件急需散熱的封裝材料。此氮化鋁之導(dǎo)熱度極佳，可達(dá) 200m2/K，遠(yuǎn)高于鋁金屬的 20m2/K，且其熱脹系數(shù) (TCE) 也十分接近半導(dǎo)體晶粒的3.0，成為一種 IC的良好封裝材料，有替代氧化鈹(BeO)及氧化鋁(Al2O3)等陶瓷材料的可能性。

3、Analog Circuit／Analog Signal　模擬電路／模擬訊號
如左圖當(dāng)逐漸旋轉(zhuǎn)電位器之旋鈕，使輸入電流慢慢變化即可得到一種"模擬訊號"。所謂"模擬"是指輸出訊號針對輸入訊號做比較時，其間存在著一些類似或形成一定比例的變化量，采用此種方式組成的電路系統(tǒng)稱為"模擬電路"(如麥克風(fēng))。其中傳輸?shù)挠嵦杽t稱為"模擬訊號"，多以正弦波表示之。又如左圖的一個電子計算器，系按0～9以十進(jìn)制制輸入。但在計算內(nèi)部卻是另采 0 與 1 的二進(jìn)制制進(jìn)行數(shù)據(jù)處理。兩者不同進(jìn)位數(shù)字之間是利用編碼和譯碼器予以溝通，使得在輸出方面又回到十進(jìn)制制。以此種方式組成的電路系統(tǒng)稱為 "數(shù)字電路" 。其中傳輸?shù)挠嵦柗Q為 "數(shù)字訊號" ，系采低準(zhǔn)位的 0 與高準(zhǔn)位的 1 所組成的方波形式表示之。早期在 0 與 1 之間的電位差是5V，但為省電起見，新式個人計算機(jī)的邏輯運(yùn)算方面已降壓至3.3V。不久將來當(dāng)硬件組件的精度再度提升后，還會再降壓至2.5V，其極限電位差應(yīng)在1.5V。

4、Attenuation　訊號衰減
指高頻訊號于導(dǎo)體中傳輸時，在振幅電壓(能量)方面的衰減而言，無論模擬訊號或數(shù)字訊號，都會因電路板的板材與制做各異，而出現(xiàn)不同程度的衰減。

5、Balanced Transmission Lines　平衡式傳輸線
指傳輸線體系中的訊號線，是由兩條并行線并合而成。這種平衡電路 (Balanced Circuit ) 也稱為 "差動線對" ( Differential Pair) 或差動線 ( Differential Line) ，又稱為偶合 (Coupled) 式傳輸線。至于由單條訊號線所組成的傳輸線，則稱為"未平衡式傳輸線" (Unbalanced Transmission Lines)。此種雙條式"差動線"其特性阻抗值的量，須用到TOR的兩組"取樣器"(Sampling Header)，分別產(chǎn)生兩個梯階波(Step Wave)使進(jìn)入兩條訊號線中。若兩梯階波之極性相同時，則從示波器所得讀值稱為"偶模阻抗"，須再除以2始得"共模阻抗"(Zcm)。若二梯階波之極性相反時稱為"奇模阻抗"，須將讀值相減再除以2始得到"差動阻抗"。在現(xiàn)場實測時儀器的軟件將會自動計算而得到所需的Zo值。

6、Capacitive Coupling電容耦合
板面上相鄰兩導(dǎo)體間，因電容的積蓄能量而引發(fā)彼此各式額外的電性作用，甚至可能導(dǎo)致原有訊號的失真，稱為"電容耦合"。尤其在高頻高速訊號的細(xì)線密線板，這種相互干擾的行為，必須要盡量設(shè)法避免，以提升終端產(chǎn)品的整體性能，因而板材介質(zhì)數(shù)就非常講究，要愈低愈好。

7、Conductance 導(dǎo)電
是"電阻值"的顛倒詞，電阻值的單位是歐姆ohm，而導(dǎo)電值的單位也是倒過來的"姆歐 mho"，當(dāng)欲測其上限的電阻值時，則不如測"導(dǎo)電度值"來的方便。例如欲測板子清潔度時，即可測其抽出液導(dǎo)電的"姆歐"值。然而一般人比較懂得電阻的"歐姆"值，故還需要換算"電阻值"才比較容易認(rèn)同。

8、Creep 潛變
金屬材料在受到壓力或拉力下，會出現(xiàn)少許伸長性應(yīng)變，但當(dāng)壓力一直未消除，將逐漸老化而形成金屬疲勞。一旦超過其應(yīng)變伸長性的限度時，可能會出現(xiàn)斷裂的情形 (Rupture)，這種逐漸發(fā)生尺寸改變的情形稱為潛變。電路板上的焊點(diǎn)就有這種情形存在。

9、Conductivity 導(dǎo)電度
是指物質(zhì)導(dǎo)通電流的能力，以每單位電壓下所能通過的電流大小做為表達(dá)的數(shù)據(jù)，也同樣是以"姆歐"為單位。

10、Crystalline Melting Point晶體熔點(diǎn)
指物質(zhì)內(nèi)部結(jié)晶構(gòu)體崩解之溫度。

11、Doping 摻雜
指半導(dǎo)體的高純度"硅元素"中，為了改變其導(dǎo)電特性，而刻意加入少量的某種雜質(zhì)，以得到所需要的物理性質(zhì)，此種"摻雜"謂之 Doping。

12、Electro-migration電遷移
在基板材料的玻璃束中，當(dāng)板子處于高溫高濕及長久外加電壓下，在金屬導(dǎo)體與玻璃束跨接之間，會出現(xiàn)絕緣失效的漏電情形稱為"電遷移"，又稱為CAF(Conductive Anodic Filaments)漏電。

13、Crosstalk 噪聲、串訊
電路板上相鄰的訊號線(Signal Lines)中，在工作狀態(tài)下會發(fā)生能量相互偶合的現(xiàn)象(Energy Coupling)，而產(chǎn)生不受歡迎的干擾，稱為 Crosstalk。

14、Electro-phoresis電泳動，電滲
原始定義是指在溶液中施加某一電場后，會令帶電膠體粒子或離子團(tuán)產(chǎn)生游動現(xiàn)象。電路板業(yè)新開發(fā)的"電著光阻"，即屬于"電泳動"方式的一種。

15、EMI 電磁干擾
是 Electromagnetic Interference 的縮寫，原是指無線電接受機(jī)所受到的電磁干擾而言?，F(xiàn)已泛指板面上相鄰線路間，在高頻訊號傳遞時相互之間的干擾，其近似字尚有 Noise 噪聲，RFI射頻干擾等，但各詰使用環(huán)境并不相同。

16、Fatique strength 抗疲勞強(qiáng)度
當(dāng)一種物料或產(chǎn)品，經(jīng)過多次指定最大應(yīng)力的試驗周期后，尚未發(fā)生故障，此種在出現(xiàn)"故障"前的最高應(yīng)力試驗周期，謂之"Fatique strength"。

17、Filler 填充料
指性質(zhì)安定及價格便宜的物質(zhì)，可加進(jìn)某些塑料材料中做為電子產(chǎn)品用途，以降低成本或改善性質(zhì)。如石棉、云母、石英、瓷粉等可加工成絲狀、片狀、粉狀等加入塑料材料中，皆稱為填充料。

18、Flexural Module彎曲模數(shù)，抗撓性模數(shù)
在彈性限度內(nèi)(Elastic Limit)，物體受到應(yīng)力 (Stress)的壓迫，其所產(chǎn)生彎曲變形(Strain)的比率稱為"彎曲模數(shù)"，亦即抵抗外力而拒彎的忍耐性。

19、Flurocarbon Resin 碳氟樹脂
是一系列有機(jī)含氟的熱塑型高分子聚合物，可用于電子工業(yè)的主要產(chǎn)品有FEP(Fluorinated Ethylene Polypylene,氟化乙烯丙烯)及PTFE(Polytetrafluoroethylene,聚四氟乙烯)等兩種塑料材料。

20、Farad 法拉
是電容量的單位，即在電容器上兩極片間，當(dāng)其電量充加到１庫倫，而其間的電位差又恰為１伏特時，則其兩極片間的電容量即為１法拉。

21、Galvanic Corrosion賈凡尼式腐蝕
即"電解式腐蝕"之同義字。賈凡尼為18世紀(jì)之意大利解剖學(xué)家，曾利用銅與鐵等不同金屬鉤去鉤住生物體(電解質(zhì))，而發(fā)現(xiàn)電池性的電流現(xiàn)象。為紀(jì)念其之發(fā)現(xiàn)，后人在電化學(xué)方面常用此字表達(dá)"電池"或"電化學(xué)"之意念。

22、Inductance(L) 電感
電感含有自感應(yīng)(Self-Inductance)及互感應(yīng)(Mutual Inductance)等兩部份。(1) 所謂"自感"是指導(dǎo)體中有電流流動時，其周圍會產(chǎn)生磁力線。每當(dāng)電流出現(xiàn)變化時磁力線也隨之變化，此時會發(fā)生一種阻止磁力線變化之"反電動勢"，此種現(xiàn)象稱為"自感應(yīng)"作用，現(xiàn)以簡圖及公式表達(dá)如下：●設(shè)在 △t 秒內(nèi)其電流之變化為 △I，而所產(chǎn)生的磁束變化為 △φ，則自感應(yīng)之電動勢 e 將與 △φ／△t 成比例?！裼之?dāng)導(dǎo)部率一定時，則磁束之變化將與電流變化成比例，設(shè)其比例常數(shù)為 L，于是：△I,e=-L,△T , 此處之 Ｌ 即為自感，其單位為亨利(Henry)br>●即當(dāng) 1 秒內(nèi)電流之變化為 1 安培(A)時，若所感應(yīng)之電動勢為 1 伏特(V)，則其自感即為 1 亨利(H)。(2) 所謂互感() 是指類似在變壓器中兩種線圈之間的感應(yīng)而言。如圖當(dāng)L１ 線圈中有電流通過時則會產(chǎn)生磁束φ，而此磁束又將使L２ 線圈受到感應(yīng)而產(chǎn)生電流(其電動勢為 e)。由于此種新產(chǎn)生的 e 會與△φ／△t 形成比例，若當(dāng)其導(dǎo)磁系數(shù)固定時，則磁束的變化又與電流強(qiáng)度成比例(設(shè)比例常數(shù)為 M)，因而新生的電動勢大小應(yīng)為：式中 M 即為互感。其單位為亨利 H，當(dāng)L１ 線圈中之電流變化為 1 安培／秒時，其在L２ 線圈中所感應(yīng)的電動勢為 1 伏特，則其 M 為 1 亨利。

23、Input/Output 輸入/輸出
乃是指"組件"或"系統(tǒng)"，或中央作業(yè)單元等，其與外界溝通的進(jìn)出口稱為I/O。例如一枚"集成電路器"(IC)，其組件中心的芯片(Chip，大陸業(yè)界譯為"芯片")上的線路系統(tǒng)，必須先打線(Wire Lead Bond)到腳架(Lead Frame)上，再完成組件本體之密封及成形彎腳后才能成為 IC 的成品。當(dāng)欲將此種IC焊接在電路板上時，其各"接腳"焊點(diǎn)就是該"集成電路器"的對外 I/O。

24、Interconnection 互連
按 MIL-STD-429C 的說法，是指兩電子產(chǎn)品或電器品上，其兩組件，兩單元、或兩系統(tǒng)之間的"電性互連"而言(故含零件與電路板組裝)。另外在電路板上兩層之間的導(dǎo)體，以鍍通孔方式加以連通者，稱為 Interfacial Connection或 Interlayer Connection 。此各種互連的形式，將可用 Interconnecting做為總體表達(dá)。大陸業(yè)界卻將之譯為"內(nèi)互連"，想必是將 Inter (之間)與Inner(之內(nèi))兩定混淆所致。

25、Ion Migration離子遷移
在某物料之內(nèi)，或兩種物料之間，經(jīng)由外加電場 (Electric Field)影響之下，其某些已存在的自由離子 (Free Ion)，若產(chǎn)生緩慢的遷移或移居動作者，稱為"離子遷移"。

26、Ionization Voltage (Corona Level) 電離化電壓(電暈水準(zhǔn))
原義是指電纜內(nèi)部的狹縫空氣中，引起其電離所施加之最低電壓。廣義上可引申為在兩絕緣導(dǎo)體之間的空氣，受到高電壓之感應(yīng)而出現(xiàn)離子化發(fā)光的情形，此種引起空氣電離的起碼電壓，謂之"電離化電壓"。當(dāng)發(fā)現(xiàn)"電暈"現(xiàn)象時，若再繼續(xù)增加其電壓，則將會引起絕緣體之崩潰(Breakdown or Break Through)造成短路，此即所謂的"潰電壓"。

27、Ionization 游離，電離
此字在廣義上是指當(dāng)原子或分子，吸收外來能量而失去外圍的電子后，將由原來的"電中性"變成帶有正電荷或負(fù)電荷的離子或帶電體，其過程稱為"離子 化"或"電離化"。在電子工程中，其狹義上是指某些絕緣體 (Insulator)于長時間外加電壓下，會產(chǎn)生少許帶電的粒子，而出現(xiàn)漏電的現(xiàn)象，謂之電離。

28、Kovar 科伐合金
為含鐵 53％、含鎳 29％、含鈷 17％ 及其它少量金屬所組成的一種合金，其"膨脹系數(shù)" 與玻璃非常接近，且其氧化物更能玻璃之間形成強(qiáng)力的鍵接，使于封裝時可采用玻璃做為密封材料，以完成一體結(jié)合的功能，希望在后續(xù)的使用中不致受到熱脹冷縮的影響。此種 Kovar 特殊合金是美國"西屋電子公司"所開發(fā)的，現(xiàn)已普遍用于半導(dǎo)體界。又，電路板面裸銅斷線處(Open Circuit)，也可用扁薄細(xì)長之鍍金科伐線，以特殊點(diǎn)焊機(jī)進(jìn)行熔接(Welding)修補(bǔ)，右圖即為休斯公司之熔補(bǔ)機(jī)。

29、Kevlar 聚醯胺纖維
是杜邦公司所發(fā)明"聚醯胺"(Aramid,Polyarmid)纖維的商標(biāo)名稱，此種聚合物線材的抗拉強(qiáng)度(Tensile Strength)極高，其延展性比鋼鐵更好。能吸收很大的動能，且又能耐溫耐燃(達(dá) 220℃)，故可做為防彈衣、輪胎中的補(bǔ)強(qiáng)織材，以及強(qiáng)力繩索等用途。更由于其"介質(zhì)常數(shù)"比玻纖更低，故電路板業(yè)也曾用以代替玻纖制作基板，但卻因鉆孔時不易切斷，所鉆出的孔壁毛頭極多，品質(zhì)很難控制，以致并未大量使用。另外此種聚醯胺布材，亦可做為過濾及防塵之用，其商標(biāo)名為 Nomex。

30、Light Emitting Diodes ，LED 發(fā)光二極管
半導(dǎo)體有正型(P-type)及負(fù)型(N-type)兩種。當(dāng)在負(fù)型體上施加電壓時，可使故意加入雜質(zhì)的原子進(jìn)行電離，于是將出現(xiàn)穿梭流動的游離電子，可讓半導(dǎo)體完成導(dǎo)電的動作。另一方面正型半導(dǎo)體內(nèi)的雜質(zhì)則可供應(yīng)"電洞"，可吸引負(fù)型的電子而掉入洞中。若將正負(fù)型接合在一起，其接合區(qū)將形成導(dǎo)電的屏障。每當(dāng)電子通過屏障落入洞中時，其所多出的能量便可以光或熱的形式發(fā)出，此即 LED 發(fā)光的原理。最早的 LED 是以砷及鎵所組成而只能發(fā)紅光，現(xiàn)在則已可發(fā)出各種顏色的光。由于 LED 比砂粒還小，其發(fā)光效率約可達(dá) 50％，遠(yuǎn)超過白熾燈所表現(xiàn)的 20％,故所需電量也極小，僅 0.2 瓦而已,且發(fā)光壽命也長達(dá)數(shù)十年。亮度雖不能用之于照明，但做為數(shù)字顯示則非常理想。不過 LED 需在黑暗中才可發(fā)光顯示,而 LCD 不但更省電，而且在明視環(huán)境中仍清楚可見。LED 及 LCD 兩種電視的商業(yè)化,目前仍在發(fā)展中。我國的光寶公司已是世界生產(chǎn) LED 最大的公司，由于制程甚耗人力現(xiàn)已大部份移往泰國生產(chǎn)。

31、Liquid Crystal Display，LCD 液晶顯示器
是指某種物質(zhì)在某一溫度時,將兼具固態(tài)晶體的異方向(Anisotropic)及液態(tài)的流動性質(zhì)，此種介乎固態(tài)晶體及液相之間的"中間物質(zhì)"，特稱為"介晶相"(Mesomorphicphase)也就是俗稱的"液晶"即︰液晶物的發(fā)現(xiàn)已有一百多年歷史,直至 1968 年才首先由 RCA 公司應(yīng)用在顯示器上。目前已實用于電子工業(yè)者，有小面積之 TN 型(Twist Nematic 扭曲向列型)，例如手表、定時器或小型計算器；而較大面積之 STN 型(Super Twist Nematic)，則可用于掌上型或筆記型之計算機(jī)顯示屏；面積更大的 TFT 型(Thin Film Transitor) 則仍在發(fā)展中，良品率尚不足以商業(yè)化。目前全球業(yè)界以日本 Sharp 及東芝較為領(lǐng)先,一旦成功后則大畫面薄型彩色電視機(jī)，將可掛在墻上如同油畫一般觀賞，想必能大幅節(jié)省空間及電力。

32、Leakage Current漏電電流
板面兩相比鄰線路之區(qū)域中(兼指綠漆之有無)，一旦有電解質(zhì)或金屬殘渣存在，且相隔兩導(dǎo)體又出現(xiàn)電位差時，則可能有電流漏過。此乃電路板制做時蝕刻不盡品質(zhì)不佳的表征。

33、Logic Circuit 邏輯電路
數(shù)字計算機(jī)中，用以完成計算或解題作用的各種"閘電路"、觸發(fā)器，以及其它交換電路的通用術(shù)語，稱為"Logic Circuit"。

34、Logic邏輯
指計算機(jī)或其它數(shù)字化(Digital) 電子機(jī)器中的特殊電路系統(tǒng)，此等電路中含有多枚IC，可執(zhí)行各式計算功能(Computation Functions)，稱為Logic或邏輯電路。常見之邏輯如 Emitter Coupled Logic (ECL)、 Transistor-Transitor Logic(TTL) 、CMOS Logic等。又Fuzzy Logic是指除了 0與1之外，另插入其它數(shù)值，是一種模棱兩可的邏輯。即在"是"與"非"之間加入"幾乎""大概"等字眼的邏輯。

35、Micro-electronios 微電子
是電子技術(shù)的一部份，系針對極小的電子零件或元素，以及由其所構(gòu)成的產(chǎn)品體系，在理論及實務(wù)方面加以闡述及應(yīng)用的學(xué)問。

36、Microstrip Line微條線，微帶線
是高速訊號傳輸線的一種，以多層板而言，則為包括表面接觸空氣的訊號線，與承載體的介質(zhì)層，再襯以接地層等三者所做結(jié)構(gòu)的組合，即稱為（扁平）"微條線"。如果在訊號線表面另行涂布綠漆或壓合上膠片時，則改稱為 Embeded Microstrip Line"埋入式微條線"。兩者計算公式均為：Zo＝87／√(εr + 1.41 ln [ 5.98h／0.8W + T])

37、Microstrip 微條線
是六種訊號傳輸線(Transmission Line)中的一種，系專指"導(dǎo)線"浮在大地層(Ground Plane)之上，二者保持平行，其間還有介質(zhì)充塞所形成的組合。此種"微條"的截面示意圖，及其"特性阻抗"之計算關(guān)系式如下左圖。左圖為上下皆有大地層的另一種"Stripline 線條"的傳輸線組合，及其計算特性阻抗之關(guān)系式。

38、Network 網(wǎng)狀組件
指各種動態(tài)(Active) 或靜態(tài)(Passive) 電子組件，如電阻器、電容器，或線圈等，可互連成一種網(wǎng)狀組合體，稱為Network 。

39、Node 節(jié)點(diǎn)
是指線路系統(tǒng)中導(dǎo)線的交匯點(diǎn)，為電學(xué)上的名詞，在板面其實就是通孔與其孔環(huán)所組成的網(wǎng)絡(luò)交點(diǎn)。

40、Ohm 歐姆
是電阻的單位。當(dāng)線路中有 1 安培的電流，而其電壓又恰為 1 伏特時，其電阻值即為 1 歐姆。

41、Output 產(chǎn)出，輸出
就一部機(jī)器或一條生產(chǎn)線而言，其產(chǎn)品之"物流"有"產(chǎn)入量"(Input)及"產(chǎn)出量"(Output)之分。另就某一零件所"輸出"的訊號而言，相對的 Input 則指"輸入"的訊號，兩者合并簡稱為 I/O，故對各種零件的接腳或引腳也就稱為"出入埠"( I/O Port 或I/O )。

42、Peak Voltage峰值電壓
指電路系統(tǒng)中瞬間出現(xiàn)的最大電壓數(shù)值。

43、Permittivity誘電率，透電率
是指介于導(dǎo)體之間的絕緣材料，在高頻情況下，可能將無法完全阻止彼此訊號的串通，這種漏失的程度稱為"Permittivity"。不過尚另有一術(shù)語Dielectric Constant(介質(zhì)常數(shù))其意義與此詞完全相同，而且流傳更廣。二者相比較時，仍以Permittivity的意義較為為明確，也比較容易懂。最常用的板材FR-4在1 MHz頻率下，其"透電率"約為4.5，而鐵氟龍卻可低到2.2，是各種商品板材中介質(zhì)能最好，也最適于高頻用途者。

44、Piezoelectric壓電性
當(dāng)某些物質(zhì)受到外來的機(jī)械壓力后會產(chǎn)生電流，此種性質(zhì)稱為"壓電性"。大多數(shù)晶體包括常見的石英在內(nèi)都具有壓電性。反之若使電流通過其中時，則也會產(chǎn)生每秒數(shù)百萬次的機(jī)械振蕩。因而利用其"可逆"之雙重性質(zhì)，能夠制造揚(yáng)聲器、定時器、電唱機(jī)唱頭等精密電子產(chǎn)品。

45、Porcelain瓷材，瓷面
系硼硅玻璃(Borosilicate Glass) 與少量的二氧化鋯(Zirconia)，以及少量其它物料所形成的混合物，稱為Porcelain。有時也稱為Enamel。

46、Propagation傳播
是指各種電磁波(Electromagnetic Waves)，在介質(zhì)之內(nèi)或沿著介質(zhì)表面的傳送行為謂之"傳播"。

47、Reactance電抗
是交流電在線路中或零件中流動時，所受到的反抗阻力謂之"電抗"，是以大寫的X為代表符號。這種電抗的來源有二：(1)來自電容器的反抗則稱為"容抗"(XC)；(2)來自線圈或其它電感者謂之"感抗"(XL)。

48、Shunt分路
在有電流的主導(dǎo)體上所額外加掛的副導(dǎo)線，以分散掉原有電流者，稱為分路。

49、Siemens電阻值
直流電的電阻值一向以"歐姆"做為單位，不過近年來亦有人主張改用此"西門子"做為電阻值，并以大寫的 S 為其符號。

50、Signal訊號
電子學(xué)上系指在已預(yù)定的電壓、電流、極性(Polarity)，以及脈波寬度(Pulse Width指脈波起點(diǎn)至終點(diǎn)間的時距)的情形下，所得到之脈沖(Impulse)稱為Signal。俗稱的"訊號"是指可聽到，或以其它形式表達(dá)的"記號"。

51、Strain變形，應(yīng)變
指物體受到外力而發(fā)生的變形而言。這種已"變形"的物體將存在一股欲回到原來自然狀態(tài)之反抗力量，即通稱之"應(yīng)力"(Stress)。

52、Stress Relief消除應(yīng)力
原指金屬體經(jīng)過機(jī)械加工后，可利用熱處理方式，以消除變形部份所蘊(yùn)藏之內(nèi)應(yīng)力，其處理過程謂之"消除應(yīng)力"。在電子工業(yè)中則多指零件腳的彎折成型處，為避免應(yīng)力集中之后患，?？桃鈱澱厶幱枰詳U(kuò)大成弧形，以預(yù)先消減其可能形成的應(yīng)力。

53、Skin Effect集膚效應(yīng)
在高頻情況下(即日文之高周波)，電流的傳遞多集中在導(dǎo)線的表面，使得導(dǎo)線內(nèi)部通過的電流甚少，造成內(nèi)部導(dǎo)體的浪費(fèi)，并也使得表面導(dǎo)體部份的電阻升高。為避免此現(xiàn)象一般高頻用途的導(dǎo)線常采多股集束或多股編線方式，以增加更多表面導(dǎo)體消除集膚效應(yīng)，減少因電阻上升而導(dǎo)致的發(fā)熱情形。

54、Stripline條線
是指單一導(dǎo)體線路與大地 (Ground) 之間已有介質(zhì)層隔開；這種由"單一導(dǎo)線"，"介質(zhì)層"及"大地"三者所搭配而成的"傳輸組合"，可用以傳輸微波訊號者，稱為Stripline或Microstrip。

55、Tensile Strength抗拉強(qiáng)度
是指金屬材料的一種重要的機(jī)械性質(zhì)，可將待試金屬做成固定的"試驗桿"或"試驗片"裝在拉力機(jī)上進(jìn)行拉試。其拉斷前之最大拉力謂之"抗拉強(qiáng)度"。

56、Surge突波，突壓
指電路中某一點(diǎn)，其電流或電壓呈現(xiàn)瞬間突然增大或升高的暫短現(xiàn)象。

57、Transmission Line傳輸線
是指由導(dǎo)線及介質(zhì)所共同組成而用以載送訊號 (Signal)的"線路"(Circuit)，其電性已加以管制，得以輸送高頻電子訊號，或狹窄的高速脈沖訊號 (Narrow Pulse Electrical Signal)等，此種用途之線路謂之"傳輸線"。電路板上最常見的傳輸線有附圖中的Microstripe及Stripline等兩種。

58、Voltage Drop電壓降落
指某系統(tǒng)從輸入電流的原始接點(diǎn)起，經(jīng)過一段導(dǎo)體長度或?qū)w的體積后，其所喪失掉的電壓值，謂之 Voltage Drop。大陸術(shù)語為"電壓降"。

59、Voltage電壓
廣義上是指驅(qū)動電子流動的原動力，如同水壓一般迫使水流在管路中產(chǎn)生流動。通常Voltage在不同的場合，也當(dāng)成某些類似術(shù)語的代詞，如電動勢 (Electmotive Force)、電位(Potential)、電位差(Potential Difference)、電壓降落 (Voltage Drop)等。也可從另一觀點(diǎn)加以解釋，如在完整的回路中，某兩點(diǎn)間如有電子流或電流產(chǎn)生時，其兩點(diǎn)在電位上的差別就是Voltage。

60、Watt瓦特
為功率(Power)的單位，是指每秒中所做的"功量"(Work Down)。所謂的"瓦特"即每秒所做的功為1焦耳 (Watt=Joule/sec)之謂也。Watt簡寫為 W。在電功方面，凡1安培的電流在一伏特電壓下，所做的電功，亦稱為1瓦特；即 Watt=Volt．Ampere。

61、Wiping Action滑動接觸(導(dǎo)電)
指兩導(dǎo)體間的電性連通，是靠其一之滑動接觸來完成者，稱之Wipping。Ａ Ampere ; 安培 是電流強(qiáng)度的單位。當(dāng)導(dǎo)體兩點(diǎn)之間的電阻為1 ohm，電壓為 1 Volt時，其間的電流強(qiáng)度即為 1 Ampere。ＡＣ Alternating Current ; 交流電ＡＣＬ Advanced CMOS Logic ; 改進(jìn)式「互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體」邏輯DC Direct Current ; 直流電DTL Diode Transistor Logic ; 二極管晶體管邏輯ECL Emitter-Coupled Logic ; 射極耦合邏輯由許多晶體管和電阻器在硅芯片上所合并而形成的一種高速邏輯運(yùn)算電路。EMC Electromagnetic Compatible;電磁共容EMF Electro-Motive Force ; 電動勢ESD Electrostatic Discharge ; 靜電放電許多電子零件及電子組裝機(jī)器，常因靜電聚積而造成瞬間放電而可能發(fā)生損壞，故常需接地 (Grounding) ，將所聚集靜電逐漸釋放，以避免ESD的為害。RTL Resistor-Transistor Logic;電阻體／晶體管邏輯TTL Transistor Transistor Logic; 晶體管晶體管邏輯。