IR全新MOSFET具備快速本體二極管特性

最新L系列HEXFET MOSFET由于具備快速本體二極管特性，因此無(wú)需在ZVS電路中添置額外肖特基及高壓二極管，減少了元件數(shù)目，節(jié)省了電路空間。

新器件有別于采用硬開(kāi)關(guān)器件的橋式或功率因數(shù)修正電路，其內(nèi)置本體二極管常處于活躍狀態(tài)，并可承載工作周期中部分電流，加強(qiáng)了系統(tǒng)可靠性。當(dāng)內(nèi)置本體二極管處于通態(tài)時(shí)啟動(dòng)MOSFET，實(shí)質(zhì)上便可消除ZVS電源設(shè)計(jì)導(dǎo)通損耗。

IR中國(guó)及香港銷(xiāo)售總監(jiān)嚴(yán)國(guó)富先生表示："IR全新L系列MOSFET能大大降低開(kāi)關(guān)及整體損耗，可用來(lái)設(shè)計(jì)在更高頻率下工作的電源，減小被動(dòng)元件尺寸并增加功率密度。"

L系列器件內(nèi)的本體二極管之最大逆向恢復(fù)時(shí)間少于250ns，在電流更低的器件中時(shí)間更短。較短的逆向恢復(fù)周期確保內(nèi)置本體二極管可在工作關(guān)斷過(guò)程中發(fā)揮效益，在引入高壓前從導(dǎo)通狀態(tài)徹底恢復(fù)至阻斷狀態(tài)。

嚴(yán)國(guó)富先生又稱："大部分情況下，全新L系列MOSFET均提供更高的雪崩額定值以及經(jīng)改良的柵-源電荷及柵-漏電荷比，既可降低擊穿情況，亦能簡(jiǎn)化驅(qū)動(dòng)電路。"