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一種新型CCM PFC控制器

作者: 時間:2011-05-05 來源:網(wǎng)絡 收藏
一種新的連續(xù)導通模式(CCM)的功率因數(shù)校正(PFC)控制器,被命名為ICE1PCS01, 是基于一種新的控制方案開發(fā)出來的。與傳統(tǒng)的PFC解決方案比較,這種新的集成芯片(IC)無需直接來自交流電源的正弦波參考信號。該芯片采用了電流平均值控制方法,使得功率因數(shù)可以達到1。通過增強動態(tài)響應的方法使得負載突然波動時的動態(tài)特性得到改善。獨特的軟啟動方式防止了啟動時過高的浪涌電流。為了確保系統(tǒng)的安全運行,也提供了各種保護措施。本文將介紹該芯片工作過程,同時提供了測試結(jié)果。此芯片采用雙列直插8管腳的封裝形式,適用于低成本的PFC設(shè)計。

一、簡介

傳統(tǒng)的用于電子設(shè)備前端的二極管整流器,因為導致電源線的脈沖電流,干擾電網(wǎng)線電壓,產(chǎn)生向四周輻射和沿導線傳播的電磁干擾,導致電源的利用效率下降。近幾年來,為了符合國際電工委員會61000-3-2的諧波準則,有源PFC電路正越來越引起人們的注意。對于小于200瓦的小功率裝置,不連續(xù)調(diào)制模式(DCM)因其低廉的價格受到普遍歡迎。另外,它的控制電路塊中只有一個電壓控制環(huán),因而采用DCM的PFC設(shè)計簡單易行。然而,由于它固有的電流紋波較大,DCM很少應用于大功率場合。在大功率場合,CCM的PFC更具有吸引力。在CCM的拓撲結(jié)構(gòu)中,它的傳輸函數(shù)存在電壓環(huán)和電流環(huán)兩個控制環(huán)路。因而CCM的控制電路設(shè)計復雜,CCM PFC控制器的管腳數(shù)目也較多。ICE1PCS01這種新的PFC控制器,是為了降低設(shè)計費用和難度而開發(fā)的。它僅有8個管腳。此外,根據(jù)故障模式影響分析(FMEA),很多的保護電路被集成在這塊芯片中。本文將對此IC的功能進行詳細地介紹,并通過測試結(jié)果驗證了它的性能。

二、芯片功能

1. 無直接參考正弦波傳感信號的均值電流控制

一種新型CCM PFC控制器傳統(tǒng)的CCM PFC結(jié)構(gòu)電路如圖1所示。圖1:傳統(tǒng)的CCM有源PFC電路和它的波形

可以看出,在傳統(tǒng)的PFC電路存在兩個控制環(huán)。一個是電壓環(huán),它被用來調(diào)整輸出電壓;另外一個是電流環(huán),它被用來控制輸入電流。誤差的輸出Verr決定了輸入電流Iin的幅值大小。Verr乘以正弦波參考信號|Vin|得到正弦輸入電流。在傳統(tǒng)的CCM PFC中,|Vin|是必不可少的,它用于產(chǎn)生電流控制環(huán)中的正弦波輸入電壓。

這個被稱為ICE1PCS01新的PFC控制器的一個典型應用如圖2所示。它僅有8個管腳,也沒有直接饋入芯片的正弦波傳感信號。

該芯片的基本原理如下所述。假設(shè)電壓環(huán)正處于工作狀態(tài),輸出電壓保持恒定,則一個CCM升壓型PFC控制系統(tǒng)的MOSFET關(guān)斷占空比DOFF可以由下面的公式得到:

從上面的公式可知,DOFF正比于VIN。電流環(huán)的目的在于調(diào)整電感電流的平均值,使得它正比于關(guān)斷占空比DOFF,從而正比于輸入電壓VIN。這個關(guān)系式可以通過前邊沿調(diào)制方式實現(xiàn),如圖3所示。

圖3:電流平均值控制


斜坡信號由內(nèi)部的振蕩器產(chǎn)生,斜坡信號的幅值一方面受內(nèi)部的控制信號控制,但另一方面卻可以影響線輸入平均值電流的幅值。

2. 增強動態(tài)響應

由于PFC的固有屬性,PFC動態(tài)環(huán)路總是用低帶寬進行補償,目的是不對頻率為2×fL波紋響應。這里fL指的是交流電源線的頻率。所以當負載突變時,調(diào)整電路不能作出快速響應,從而引起輸出電壓起落過大。為了解決這個PFC應用中的問題,在芯片中采用了增強動態(tài)響應。一旦輸出電壓超出正常值的5%,IC將跳過慢補償運算,直接作用于內(nèi)部非線性增益塊而影響占空比。輸出電壓能夠在一個短時間內(nèi)回復到正常值。圖4所示為實現(xiàn)增強動態(tài)響應的控制模塊。載荷突變的測試波形如圖5和圖6所示。

額定輸出電壓是400V直流。在圖5中,可以看出,當輸出電壓達到420V,開關(guān)立刻截止。輸出電壓的過沖被限制在額定電壓的5%以下。輸出過沖電壓保護也采用同樣的控制策略。在圖6中,可以看出,當Vsense下降到4.75V,也就是比額定電壓低5%,IC立刻響應,門驅(qū)動的占空比立刻增加。電壓降被控制在40V以內(nèi)

3. 軟啟動

該IC具有高效的軟啟動功能,如圖7所示,該功能可以控制啟動電流,使其輸入電流幅度連續(xù)而漸進地上升到較高的值,直至輸出電壓達到額定電壓的80%,然后進入正常的控制模式。這一啟動過程中的電流波形如圖8所示。相對于一般的的軟啟動系統(tǒng),該系統(tǒng)僅控制占空比,輸入電流保持正弦,不激活峰值電流限幅。因此升壓二極管不會受到因高占空比而形成的大電流的沖擊。這個高的浪涌電流將會危及升壓二極管,特別對碳化硅升壓二極管,因為相對硅二極管來說,碳化硅二極管的峰值電流能力更小


4. 保護

根據(jù)故障模式影響分析(FMEA),許多保護功能被集成在芯片中,例如開環(huán)保護、輸出過壓保護、交流電源欠壓保護、IC電源欠壓保護、峰值電流限幅、軟過電流限幅等。下面將詳細介紹開環(huán)保護和輸出電壓保護這兩種獨特的保護功能。

(1)開環(huán)保護(OLP)/輸入欠壓保護

開環(huán)意味著反饋環(huán)被斷開,沒有反饋信號進入IC。在這種情況下,如果沒有保護措施,內(nèi)部的控制電壓將會被調(diào)節(jié)到最大值,IC將提高占空比以傳送最大功率。在這種故障情況下,輸出電壓僅僅取決于輸出電流。在負載較小的情況下,將會產(chǎn)生很高的電壓過沖,這將危及到后面的用電設(shè)備。該IC具有開環(huán)保護以對輸出電壓進行監(jiān)控,如圖9所示。一旦VSENSE電壓低于0.8V,也就是VOUT低于額定電壓16%的時候,就意味著進入了開環(huán)狀態(tài)(VSENSE管腳沒有連接)或者輸入電壓小于額定值。在這種情況下,芯片中絕大多數(shù)模塊將停止工作。該保護功能是通過閾值電壓為0.8V的比較器C3實現(xiàn)的。圖10是在高交流電源輸入電壓和小負載情況下的測試波形。

如圖所示,一旦出現(xiàn)開環(huán)故障,MOSFET門開關(guān)立即停止工作,輸出電壓沒有過沖。

該保護也可用于在某些情況下關(guān)閉PFC,例如待機模式等。

(2)輸出過壓保護(OVP)

增強動態(tài)響應模塊也具有輸出過壓保護功能。一旦VOUT超過額定電壓5%,輸出過壓保護OVP功能就被激活,如圖5所示。通過判斷VSENSE管腳的電壓是否大于參考電壓5.25V就可以實現(xiàn)這一功能。VSENSE 電壓高于5.25V時,IC會跳過正常的電壓環(huán)控制而直接控制占空比使其立刻下降到0。這將導致輸入功率下降,從而使得輸出電壓VOUT下降。

三、測試結(jié)果

一個350W的測試板被用來檢驗其性能。測試電路如圖11,測試數(shù)據(jù)如下所示。開關(guān)頻率設(shè)定為200kHz。


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