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高速高密度PCB設(shè)計中電容器的選擇

作者: 時間:2011-04-10 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
輯LSI 必須使用這種技術(shù)[14]。此次開發(fā)的技術(shù)就是指將過去封裝在LSI 封裝外部的去耦
電容器封裝到內(nèi)部。由此將會最大限度地縮短電容器與倒裝芯片之間的距離。因封閉內(nèi)部布
線的寄生電感減小了,故開關(guān)時即可迅速向倒裝芯片供應(yīng)電荷,結(jié)果使電源電壓更加穩(wěn)定。
預(yù)計這項技術(shù)會很快走向?qū)嵱谩?BR>此類技術(shù)也給高速高密度PCB 設(shè)計,帶來新的理念和條件,值得充分重視。
4 結(jié)束語
高速高密度PCB 設(shè)計技術(shù)不斷發(fā)展,對所使用的電容器性能要求越來越高;隨著電容器技術(shù)
的不斷進步,新型電容器不斷出現(xiàn);針對高速高密度PCB 的電容器應(yīng)用技術(shù)的研究不斷深入。
這些都使得在高速高密度PCB 設(shè)計中,恰當(dāng)選用電容器,不是一件簡單的事。盡管電容器的
種類較多,但對某一具體應(yīng)用,最合適的通常只有一兩種。全面認(rèn)識高速高密度PCB 的特點
和電容器的高頻特性,及時了解相關(guān)的新器件和新技術(shù),綜合考慮具體應(yīng)用需要、技術(shù)難度、
經(jīng)濟成本等因素,對恰當(dāng)選用電容器是十分必要的。
本文的討論對高速高密度PCB 設(shè)計中電容器的選擇具有一定的指導(dǎo)作用。


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