一種新穎不帶電阻的基準(zhǔn)電壓源電路設(shè)計(jì)

在此，提出一種通過(guò)兩個(gè)工作在飽和區(qū)的MOS管的柵源電壓差原理，產(chǎn)生一個(gè)與絕對(duì)溫度成正比(PTAT)的電流，利用這個(gè)電流與一個(gè)工作在飽和區(qū)的二極管連接的NMOS晶體管的閾值電壓進(jìn)行補(bǔ)償，得到了一個(gè)低溫漂、高精度的基準(zhǔn)電壓源。

1 PTAT電流的產(chǎn)生

兩個(gè)工作在弱反型區(qū)的NMOS晶體管M1和M2的結(jié)構(gòu)如圖1所示。

其輸出電壓V0可以表示為：

式中：UT=kT/q;k為波爾茲曼常數(shù)；△V表示實(shí)際中晶體管失配引入的誤差，是個(gè)常數(shù)，這里忽略它的影響。由此得到：

式中：是由溫度決定的倍增因子，后面將對(duì)其溫度特性進(jìn)行討論。

對(duì)于NMOS晶體管M1和M2，其柵源電壓分別為Vgs1和Vgs2，那么圖3中電壓為：

如果利用前面提到的兩個(gè)工作在弱反型區(qū)的MOS管輸出電壓特性來(lái)控制兩個(gè)工作在飽和區(qū)的NMOS的柵極電壓Vgs1和Vgs2，使得：

式中：λ為比例常數(shù)。

將式(5)代入到式(3)可得：

對(duì)于參數(shù)KM1，它主要受晶體管遷移率λ的影響，通常被定義為：

式中：T為絕對(duì)溫度；α由工藝決定，典型值為1．5。將式(7)代人式(6)可得：

它為一個(gè)與溫度無(wú)關(guān)的常數(shù)。

通過(guò)上面分析可知，此方法可以得到一個(gè)與絕對(duì)溫度成正比(PTAT)的電流I1。具體實(shí)現(xiàn)電路如圖3所示。

圖3電路中，M3～M6四個(gè)PMOS晶體管工作在飽和區(qū)，它們的寬長(zhǎng)比相同。M1和M2兩個(gè)NMOS晶體管工作在飽和區(qū)，它們的寬長(zhǎng)比為(W／L)2／(W／L)1=m。通過(guò)調(diào)節(jié)電路，使得M7～M10四個(gè)NMOS晶體管工作在深線性區(qū)?，F(xiàn)在討論電路的工作原理。

對(duì)于X點(diǎn)和Y點(diǎn)的對(duì)地電壓，可以分別表示為：

通過(guò)式(5)和式(15)可以看出，在這個(gè)電路中，式(5)的系數(shù)：

它是一個(gè)僅與器件尺寸有關(guān)，而與溫度無(wú)關(guān)的常數(shù)。

通過(guò)式(9)和式(10)可知，此電路可以產(chǎn)生一個(gè)與絕對(duì)溫度成正比的電流。

2 基準(zhǔn)電壓的產(chǎn)生

對(duì)于一個(gè)工作在飽和區(qū)的二極管連接NMOS晶體管，如圖4所示，它的Vgs=Vds流過(guò)它的飽和漏電流為：

對(duì)于MOS管的閾值電壓Vth，它的一階近似表達(dá)式可以表示為：

式中：Vth0為MOS管工作在絕對(duì)零度時(shí)的閾值電壓；aVT為一個(gè)與溫度無(wú)關(guān)的常數(shù)；T-T0為溫度變化量。對(duì)于一個(gè)MOS管的遷移率μn：它的大小可以表示為：

μn=μn0(T／T0)-m (19)

式中：μn0為絕對(duì)溫度時(shí)MOS管的遷移率值；T0為絕對(duì)零度；T為溫度變化量；m為比例變化因子，它的典型值為1．5。

令式(10)中I1為式(17)中的Id，即：I1=Id，將式(10)、式(18)和式(19)代人式(17)整理可得：

從式(21)可看出，如果適當(dāng)調(diào)節(jié)晶體管的寬長(zhǎng)比W／L，使得зVgs／зT=0，即：

便可以得到一個(gè)高精度、與溫度無(wú)關(guān)的Vgs,即Vref=Vgs=Vds。此思想設(shè)計(jì)的具體實(shí)現(xiàn)電路如圖5所示。

對(duì)圖5進(jìn)行分析，NMOS晶體管M1和M2通過(guò)Vgs1和Vgs2產(chǎn)生漏電流Id1,再通過(guò)電流源M3和M7，使得它流入二極管連接的NMOS晶體管 M12,產(chǎn)生一個(gè)基準(zhǔn)電壓源Vref。在圖5中，M3～M7五個(gè)晶體管尺寸相同，M1和M2晶體管的寬長(zhǎng)比比例為1：m。式(21)中的W／L為圖5中二極管連接M12管的寬長(zhǎng)比。

3 仿真結(jié)果

對(duì)圖3PTAT產(chǎn)生電路進(jìn)行仿真，可以得到圖6仿真結(jié)果。

從圖6仿真結(jié)果可以看出，流過(guò)M1管的漏電流與絕對(duì)溫度成正比，αI／αT△0．6。

對(duì)圖5基準(zhǔn)電壓源電路進(jìn)行仿真，可得如圖7所示結(jié)果。通過(guò)對(duì)圖7分析可知，在25℃時(shí)，基準(zhǔn)電壓源的電壓約為1．094．04 V，在整個(gè)溫度范圍(-40～80℃)內(nèi)，其溫度漂移系數(shù)為6．12 ppm／℃，滿足高精度基準(zhǔn)電壓源的設(shè)計(jì)要求。

4 結(jié) 語(yǔ)

在此，基于SMIC 0．18μm CMOS工藝，采用一階溫度補(bǔ)償作為基準(zhǔn)電壓補(bǔ)償，提出一種新穎的PTAT電流產(chǎn)生電路結(jié)構(gòu)，以對(duì)二極管連接的NMOS晶體管的閾值電壓進(jìn)行補(bǔ)償，得到一個(gè)高精度基準(zhǔn)電壓源。該電路占用芯片面積小，精度高，可移植性強(qiáng)，非常適用于當(dāng)今高精度的A／D，D／A和高精度運(yùn)放偏置電路。此電路已成功應(yīng)用于某款高速DAC芯片中。