武漢新芯：定位存儲器制造，兩年后或推3D NAND

　　武漢新芯集成電路制造公司(XMC)2006成立，2012年底起獨立經(jīng)營，是國有制企業(yè)。為了區(qū)別于本土的制造巨頭SMIC(中芯國際)和華力微電子(HLMC)等，XMC將立足存儲器制造。近日，武漢新芯董事長王繼增告訴筆者。

　　NOR Flash制造領(lǐng)先

　　這是由于武漢新芯的最大客戶來自于NOR閃存。XMC成立之初，曾委托SMIC進(jìn)行經(jīng)營管理，當(dāng)時XMC就開始為Spansion代工NOR閃存。目前NOR有兩大技術(shù)體系，一類是ETOX，是Floating-Gate(浮柵)技術(shù);另外是與Spansion合作的MirrorBit技術(shù)。XMC已經(jīng)成功的大規(guī)模量產(chǎn)了90、65和45nm的NOR Flash產(chǎn)品，目前正在進(jìn)行32nm工藝技術(shù)的研發(fā)，今年8月底關(guān)鍵設(shè)備浸沒式光刻機(jī)已經(jīng)到位，預(yù)計2015年底實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。

　　XMC擁有全球最領(lǐng)先的NOR Flash制造技術(shù)和研發(fā)儲備。2010年，全球第一款基于65nm，4Gb NOR Flash芯片在XMC大規(guī)模量產(chǎn);2012年，XMC成為全球首家成功研發(fā)45nm NOR Flash的公司;2013年，XMC全球首發(fā)45nm，8Gb NOR Flash產(chǎn)品;XMC是全球唯一一家正在研發(fā)32nm NOR Flash的公司。

　　然而，NOR整體的市場容量有限，全球年銷售收入僅為30多億美元的。尤其是在高容量的NOR Flash方面，其市場受到低容量NAND Flash的侵蝕。目前XMC月產(chǎn)能規(guī)模維持在1.2萬片12寸晶圓。

　　3D NAND是切入點

　　因此，武漢新芯又把眼光落到了閃存的另一重大分支——NAND Flash上，尤其是3D NAND。“目前2D NAND Flash已經(jīng)進(jìn)入1Xnm時代，幾近于其物理極限，微縮的成本和工藝難度都急劇上升。據(jù)市場預(yù)測，從2016年起，2D NAND將會被迅速取代，3D NAND快速增長?！蓖趵^增預(yù)計。目前三星剛推出樣品，估計2014年量產(chǎn)，2015年年底大批量投產(chǎn)?！拔覀冾A(yù)計用兩年多時間做出來3D產(chǎn)品?！?/p>

　　之所以選擇3D NAND，首先當(dāng)前全球NAND閃存將近400億美元規(guī)模，國內(nèi)的用量超過全球總用量的50%，市場非?？捎^。另外，3D是一個完全不同的技術(shù)方向，相對于2D NAND對微縮技術(shù)的要求，3D NAND的關(guān)鍵技術(shù)是極度復(fù)雜的刻蝕和薄膜工藝。因此，用于45nm工藝的浸沒式光刻機(jī)即可滿足3D的微縮工藝要求，45nm工藝是XMC成熟的工藝。再有，美光和SK海力士也是剛剛開始研究該技術(shù)，大家站在同一起跑線上。

　　欲成為ISM(集成的次系統(tǒng)組件制造商)

　　受到IDM(集成器件制造商)商業(yè)模式的啟發(fā)，武漢新芯提出了一個新概念——ISM(集成的次系統(tǒng)組件制造商)，主要是采用新的商業(yè)模式，推動國內(nèi)3D NAND產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。考慮到國內(nèi)的封裝和測試業(yè)相對成熟，XMC的主要精力僅放在3D NAND 產(chǎn)品的設(shè)計、制造與次系統(tǒng)組件產(chǎn)品(SSD, eMMC，eMCP)應(yīng)用方面，不再投資封裝和測試領(lǐng)域。

　　為何現(xiàn)在不做DRAM?

　　王繼增解釋道，DRAM過去依靠PC來推動其發(fā)展，但是，隨著移動裝置的迅速發(fā)展，PC市場已經(jīng)出現(xiàn)了萎縮的苗頭。Mobile DRAM是當(dāng)下的發(fā)展熱點。不同于NAND Flash正處于一個從2D向3D過渡的轉(zhuǎn)折時期，DRAM技術(shù)的發(fā)展依然靠傳統(tǒng)的微縮技術(shù)，在此方面，美光、三星等SK海力士等已經(jīng)占據(jù)了市場的主導(dǎo)地位，形成了很高的技術(shù)和市場壁壘。所以，目前XMC不會切入DRAM市場。