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基于AMBA-AHB總線的SDRAM控制器的計方案

作者: 時間:2013-12-31 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

  4.2 總線地址譯碼

  AHB 總線可以掛多個從設(shè)備,如圖3 所示的從機A,從機B.因此在一次讀寫操作中,需要對來自總線的讀寫地址進行譯碼,以判斷總線是對哪個從設(shè)備進行訪問,并產(chǎn)生相應(yīng)的內(nèi)部片選信號。

  4.3

  SDRAM 控制器由5個模塊組成:SDRAM 控制器模塊、控制接口模塊、命令解析模塊、地址數(shù)據(jù)復(fù)用總線模塊和數(shù)據(jù)通路模塊。SDRAM 控制器模塊是頂層模塊,通過例化其他4個子模塊將其連成一個整體。

  4.3.1 控制接口模塊

  控制接口模塊對來自AHB 總線信號和SDRAM 控制寄存器的信號解碼并寄存,傳送已經(jīng)解碼的NOP、WRITEA、READA、REFRESH、PRECHARGE 和LOAD_MODE命令和ADDR給命令解析模塊。

  控制接口模塊還含有一個用于給命令解析模塊產(chǎn)生周期刷新命令的刷新電路,用于給命令模塊發(fā)送刷新請求。收到命令模塊的刷新請求后,減法計數(shù)器重新裝入數(shù)值,重復(fù)以上過程。

  本設(shè)計所使用的MT48LC16M4A2 型號SDRAM 存儲器具有每64 ms刷新4 096次的要求,因此由64 ms/4 096=15.625 09 μs知,器件必須至少每15.625 09 μs刷新一次。假如存儲器和工作在100 MHz的時鐘周期下,那么刷新間隔周期的最大數(shù)值是15.625 μs/0.01 μs=1 562 d.

  4.3.2 命令解析模塊

  命令解析模塊接收控制接口模塊輸出的已經(jīng)解碼的命令和周期性輸出的刷新請求,產(chǎn)生合適的命令給SDRAM器件。從刷新控制邏輯電路發(fā)出的刷新請求比主機接口的命令的優(yōu)先級別高,因此模塊還含有一個簡易的仲裁電路,用于仲裁主機的命令和刷新控制邏輯所產(chǎn)生的刷新請求。

  在仲裁電路已經(jīng)接受主機命令后,命令被送到模塊的命令發(fā)生器部分,命令模塊使用3個移位寄存器來產(chǎn)生命令之間的時序,一個移位寄存器用于控制ACT 命令;第二個用于控制讀或?qū)懨畎l(fā)出的時間;第三個用于對命令的持續(xù)時間定時,這樣仲裁其就可以判斷最近請求的操作是否已經(jīng)完成。

  命令解析模塊所產(chǎn)生的輸出信號OE用于控制數(shù)據(jù)通路模塊的輸入數(shù)據(jù)通路的三態(tài)緩沖。

  4.3.3 地址數(shù)據(jù)復(fù)用總線模塊

  該模塊實現(xiàn)SDRAM的地址復(fù)用,地址的行部分在ACT(RAS)命令時復(fù)用到SDRAM輸出的A[11:0],地址的列部分在讀(CAS)或?qū)懨顣r復(fù)用到SDRAM地址線上。

  4.3.4 數(shù)據(jù)通路模塊

  數(shù)據(jù)通路模塊提供了SDRAM和主機之間的數(shù)據(jù)接口,負責與外部SDRAM存儲器之間的數(shù)據(jù)交換,具體說就是在對SDRAM寫操作時將來自AHB總線的數(shù)據(jù)放到外部數(shù)據(jù)線上,在對SDRAM讀操作時,將來自SDRAM的數(shù)據(jù)正確送到AHB總線上。

  5 設(shè)計實現(xiàn)與仿真結(jié)果

  本文使用Micron 公司提供的型號為MT48LC16M4A2 的Verilog 仿真模型進行仿真驗證,證明了設(shè)計的正確性。仿真結(jié)果如圖4,圖5所示,圖4是SDRAM寫操作的仿真時序圖,即將AHB總線控制操作轉(zhuǎn)化成SDRAM 寫操作指令;圖5 表示的是將寫入SDRAM的數(shù)據(jù)連續(xù)讀出的仿真時序。

  

  6 結(jié)語

  本方案設(shè)計了一個基于AMBA-AHB 總線的SDRAM控制器,將AMBA-AHB 總線的控制操作轉(zhuǎn)化成了符合SDRAM 操作規(guī)范的控制指令,最后的仿真波形證實了該設(shè)計的正確性。


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