半導(dǎo)體料材技術(shù)動(dòng)向及挑戰(zhàn)

 

引言
半導(dǎo)體制造技術(shù)能否持續(xù)突破，材料一直扮演著重要的角色，從最早的鍺（Ge），到隨后普遍應(yīng)用的硅（Si），近年來又衍生出更多的材料，本文將針對此方面的新材料、新趨勢的發(fā)展，以及現(xiàn)有的技術(shù)難題等進(jìn)行討論。

銅導(dǎo)線材
在半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展初期的20世紀(jì)50年代，主要是以鍺元素為材料，不過鍺元素的耐高溫性不足、抗輻射能力差，以致在20世紀(jì)60年代后逐漸被硅元素取代，硅在抗熱、抗輻射等方面的表現(xiàn)都優(yōu)于鍺，適合用來制做大功率的集成電路。近年來，隨著制造技術(shù)不斷縮小到0.25um以下，集成電路在線路上的電阻電容延遲（RC-Delay）效應(yīng)已增大到成為問題，使線路信號難以更快速傳遞，即晶體管導(dǎo)通、關(guān)閉的速率難以更快，并且線路間的串音噪聲干擾也增加，這些問題在頻率接近1GHz時(shí)就會(huì)產(chǎn)生。
為了克服這一阻障，必須更換半導(dǎo)體信號線路的材料，從過往的鋁（Al）換替成銅（Cu），換材料之后線路的電阻值降低，鋁的阻值為2.8微歐姆每厘米（2.8uOhm/cm），銅則是1.7uOhm/cm，這樣寄生RC問題獲得緩解，芯片的頻率速率可進(jìn)一步推升。同時(shí)，銅線路也有更好的抗“電子遷移”能力，使芯片可以更持久地運(yùn)作。除了換材料，制造過程方面也必須搭配改變，過去鋁線是采用濺鍍方式制做，換成銅導(dǎo)線則使用電鍍方式制做，如此在過程成本上也更為節(jié)省。此外，由于銅的反應(yīng)較為活潑，因此容更易滲到硅基材中，也容易污染無塵室，這使得制造過程中需要更謹(jǐn)慎地控制。
 
圖1  1998年IBM公司使用自有的CMOS 7S制程技術(shù)來產(chǎn)制芯片，圖中的芯片具有六層電路，并使用上銅導(dǎo)線技術(shù)，其中晶體管的信道長度僅0.12um（圖片來源cc.ee.ntu.edu.tw）

硅絕緣材
芯片電路不斷精密后，除了有前面提到的延遲問題外，另一個(gè)問題是漏電。漏電問題愈來愈嚴(yán)重的結(jié)果是使芯片的功耗攀升，舉例而言，過去Intel的Pentium 4處理器其總體功耗的1/4皆為漏電，只有3/4的用電是真正投入運(yùn)算工作。很明顯，過去的硅基板絕緣層（SOS）已難以抑制漏電，需要更換新的絕緣材來強(qiáng)化，業(yè)界提出了硅覆絕緣（SOI）技術(shù)（上覆硅技術(shù)），以二氧化硅（SiO2）為絕緣材減緩漏電率的成長。
善用SOI技術(shù)的結(jié)果，可以降低芯片50%左右的功耗，如今不僅便攜電子產(chǎn)品講究省電，就連機(jī)房用的高速運(yùn)算也講究省電，電力成為數(shù)據(jù)中心營運(yùn)中，僅次于薪籌的第二大開銷，因此在芯片日益強(qiáng)調(diào)省電特性下，SOI技術(shù)的重要性也持續(xù)增高。比較特別的是，業(yè)界也有人對SOI技術(shù)持不同看法，雖然硅絕緣抑制了漏電，但連帶也阻礙了熱消散。因?yàn)樵谟诙趸璧臒醾鲗?dǎo)率低于50W/mk，而硅則是120W/mk，既然熱消散不易，也就連帶限制了芯片頻率的提升，因?yàn)楦哳l率的運(yùn)作會(huì)加速熱的產(chǎn)生。再者，絕緣的氧化物具有離子化傾向，受輻射所影響則容易誘發(fā)出額外的電流，使芯片內(nèi)噪聲增加。
因此，也有人提出以鉆石為絕緣層的作法，稱為SOD，鉆石的本質(zhì)為碳（C），絕緣性佳（每公分阻值為10的16次方歐姆）、熱傳導(dǎo)率高（大于1200W/mk），可有效絕緣又可有效散熱。雖然如此，但SOI仍是一項(xiàng)具變革性的新材料作法，目前SOI主要是用氧植入（SIMOX）法或氫植入法，其中氫植入法以法國Soitec公司的Smart Cut技術(shù)為主。
 
圖2  IBM為日本任天堂（Nintendo）的新世代電視游樂器：Wii所設(shè)計(jì)、產(chǎn)制的中央處理器：Broadway（百老匯）即有使用上SOI制程技術(shù)。圖為IBM的無塵室工作者正在檢視Broadway芯片（圖片來源IBM）

低介電質(zhì)材

如前所述，銅導(dǎo)線技術(shù)在于降低RC-Delay效應(yīng)，而銅線主要的目的是降低R值，但對線路與線路間的C值卻沒有改善，為了改善線路間的絕緣效果，人們開始思索用新的絕緣材料來替代原有的SiO2絕緣材料，這方面的替代方案稱為低介電質(zhì)技術(shù)。所謂低介電質(zhì)，其k值（介電系數(shù)）愈低則絕緣性愈高，SiO2的k值約在3.9～4.5間，而可行的替代材料包括氟硅玻璃（FSG）、黑鉆石、BLOK（Barrier Low k）等。以FSG而言，事實(shí)上還有不同的制成方法，以化學(xué)氣相沉積法（CVD）產(chǎn)生的，可使k值達(dá)2.6～3.1，而使用旋轉(zhuǎn)式涂布法（SOD）的則更可低至2.0。當(dāng)然，最好的低介電質(zhì)是真空，其k值為1，干燥的空氣則接近1，但因?yàn)椴皇枪虘B(tài)物而無法使用。
 
圖3  Intel在其開發(fā)者論壇上提及用High-k材料取代現(xiàn)有的SiO2，做為晶體管閘極的絕緣層，使用High-k材料不僅可讓晶體管運(yùn)作更快速，也有助于減少漏電（圖片來源：www.intel.com）

高介電質(zhì)、應(yīng)變硅

除上述外，為了讓芯片有更快的效能，提出了高介電質(zhì)與應(yīng)變硅等技術(shù)，高介電質(zhì)材料主要是替換原有位在閘極金屬電極與硅基板間的SiO2絕緣材，如此可使晶體管的導(dǎo)通、關(guān)閉更加快速，推計(jì)可比傳統(tǒng)SiO2作法快上60%，此外閘極的漏電也能降低（將絕緣層加厚），降低漏電就能減少功耗與發(fā)熱。不過目前高介電質(zhì)技術(shù)仍有些方面不易突破。至于應(yīng)變硅方面，應(yīng)變硅技術(shù)并非更替材料，晶圓基板材料依舊是硅，但卻改變硅原子結(jié)構(gòu)的間距，使電子移動(dòng)的速度增快，進(jìn)而提升芯片的運(yùn)作效率。

太陽能板

由于石油將在數(shù)十年后用盡，使人們增加對太陽能發(fā)電、太陽電池等技術(shù)的關(guān)注度，其中太陽能發(fā)電中的太陽能板也是用半導(dǎo)體材料所制做。目前太陽電池最廣泛使用的材料為硅，并可分成晶硅與非晶硅，其中晶硅還可再分成單晶硅與多晶硅，如此即有三種類型的材料：單晶硅、多晶硅、非晶硅，三種材料的光電轉(zhuǎn)換效率也各有差異，分別為12%～24%、10%～19%、1%～13%，而真正較常運(yùn)用的是單晶與非晶，前者因轉(zhuǎn)換效率高而受青睞，后者則因?yàn)槌杀镜?、制造容易。要注意的是，非晶硅除純硅之外，也有化合性質(zhì)的作法，如碳化硅SiC、鍺化硅SiGe、氫化硅SiH、氧化硅SiO等等。除了硅為主體的太陽能基板，也有非硅的化合物作法，一樣區(qū)分成單晶類與多晶類，單晶類的材料為砷化鎵GaAs、磷化銦InP；多晶類則有硫化鎘CdS、碲化鎘CdTe、銅鍺化銦CuInSe、二鍺銅化銦/鎵Cu(In,Ga)Se2等等。非晶硅材料或化合物材料多用在薄膜技術(shù)制成太陽能板中。

附帶一提的還有一種初展露、尚在研發(fā)的有機(jī)（Oganic）太陽能電池、納米太陽能電池，使用的材料為二氧化鈦TiO2，然而因?yàn)楣怆娹D(zhuǎn)換率僅1%～4%，離實(shí)用化仍有一段距離。
 
圖4  德國西門子公司（Siemens）用單晶硅材料制成的太陽能基板

無線射頻

無線射頻（RF）電路、集成電路、微波功率電路等所用的材料，必須從形成的基礎(chǔ)構(gòu)造來討論，這包括晶體管、異質(zhì)接面雙極晶體管（HBT）、金屬半導(dǎo)體場效晶體管（MESFET）、以及高電子遷移率晶體管（HEMT，也稱異質(zhì)結(jié)構(gòu)場效晶體管HFET）。
在具體材料上，晶體管用的是硅，HBT的基板部分使用SiGe、GaAs，其上的生成層則用AlGaAs、InP、InGaP，此外寬能帶（Wide-bandgap）的材料也備受矚目，如GaN、InGaN；MESFET則是GaAs、InP、SiC（從未使用純硅）；HEMT則是以“GaAs與AlGaAs”或“AlGaN與GaN”所構(gòu)成。除了材料外，基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)也有所不同，以Si為主材料若用于射頻電路中，多半采行BiCMOS的基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)，即是結(jié)合BJT與CMOS的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)而成，此稱為Si BiCMOS制程技術(shù)，射頻電路采行SiGe、Si BiCMOS等作法，在高頻運(yùn)作時(shí)有較好的表現(xiàn)。
另外，與HEMT相關(guān)的還有pHEMT、mHEMT等，使用的基板主材是GaAs，緩沖層則是AlInAs，信道材料則是GaInAs。

發(fā)光二極管

過去認(rèn)為發(fā)光二極管僅做為狀態(tài)燈號之用，但其實(shí)這只是可見光的部分，不可見光的紅外線LED、紫外線LED也各有用途：紅外線LED用于遙控器、保全裝置；紫外線則用于鈔票鑒識(shí)器、樹脂硬化、光催化等;最新的超短波長的遠(yuǎn)紫外線LED則可望用在污染物分解、新型光儲(chǔ)存媒體讀寫、納米科技等。更進(jìn)一步，由于藍(lán)光技術(shù)成熟后，白光也成為可行，加上亮度表現(xiàn)的不斷提升，使LED的應(yīng)用范疇逐漸提升，包括液晶顯示器的背光、電子照明等開始陸續(xù)采行LED。以下列出常見的LED發(fā)光材料：
AlGaAs：紅光、紅外光
AlGaP：綠光
AlGaInP：高亮度的橘光、橙光、黃光、綠光
GaAsP：紅光、橘光、黃光
GaP：紅光、黃光、綠光
GaN：綠光、草綠光、藍(lán)光
InGaN：近紫外光，藍(lán)綠光，藍(lán)光
ZnSe：藍(lán)光
C（鉆石）：紫外光
AlN：遠(yuǎn)紫外光～近紫外光
AlGaN：遠(yuǎn)紫外光～近紫外光
值得注意的是，近年來為了適應(yīng)LED持續(xù)提升亮度的需求，在（藍(lán)光LED）基板材料上也進(jìn)行了多番變革，包括碳化硅SiC、藍(lán)寶石（Al2O3）等，此外純硅的材料也相當(dāng)受到關(guān)切，尤其基板不僅要與發(fā)光體搭配，還必須達(dá)到最高的透光率，以免阻礙發(fā)光體的亮度發(fā)揮。
 
圖5  運(yùn)用紅光LED的照射使植物（農(nóng)作物）增長，此種作法未來有可能運(yùn)用在太空中生產(chǎn)食物
 
圖6  今日藍(lán)光LED所用的基板材料主要為碳化硅（SiC）或藍(lán)寶石（Sapphire，Al2O3），圖為藍(lán)寶石

結(jié)語
毫無疑問的，無論是集成電路、太陽電池、無線微波、發(fā)光二極管等各種的半導(dǎo)體運(yùn)用，都仍在制做過程與材料上進(jìn)行精進(jìn)、提升與突破，甚至經(jīng)常要在各種取向中權(quán)衡取舍，包括特性表現(xiàn)（導(dǎo)電、散熱、透光、速度、硬度、熱膨脹性）、制程難易度、材料成本等，進(jìn)一步的還要規(guī)避他人的專利而達(dá)到相同目的，以及更外圍的封裝材料與技術(shù)搭配。然而技術(shù)的突破也使市場及應(yīng)用更加寬廣，這也是半導(dǎo)體材料技術(shù)持續(xù)誘人與爭相投入的原因。

（本文摘自臺(tái)灣《零組件》雜志）