非易失閃存技術(shù)NAND Flash內(nèi)存設(shè)備的讀寫控制設(shè)計

NOR Flash和NAND Flash是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Flash因為具有非易失性及可擦除性，在數(shù)碼相機、手機、個人數(shù)字助理( PDA)、掌上電腦、MP3播放器等手持設(shè)備中得到廣泛的應(yīng)用。NAND Flash相對于NOR Flash具有更小的體積、更快的寫入速度、更多次的可擦除次數(shù)以及更低廉的價格而得到了迅速發(fā)展。大容量的NAND Flash特別適合現(xiàn)在數(shù)碼設(shè)備中大數(shù)據(jù)量的存儲攜帶,可以降低成本,提高性能[1]。

1.1　NAND Flash和NOR Flash的區(qū)別

1.1.1　接口差別

NOR Flash帶有SRAM接口，有足夠的地址引腳來尋址，可以直接和CPU相連，CPU可以直接通過地址總線對NOR Flash進行訪問,可以很容易地存取其內(nèi)部的每一個字節(jié)。

NAND Flash器件使用復(fù)雜的I/O口來串行地存取數(shù)據(jù)，只能通過I/O接口發(fā)送命令和地址，對NAND Flash內(nèi)部數(shù)據(jù)進行訪問。各個產(chǎn)品或廠商的方法可能各不相同。8個引腳用來傳送控制、地址和數(shù)據(jù)信息。NAND Flash讀/寫操作采用512或2 048字節(jié)的頁。

NOR Flash是并行訪問，NAND Flash是串行訪問，所以相對來說，前者的速度更快些。

1.1.2　容量和成本

NOR Flash的成本相對高，容量相對小，常見的有128 KB、256 KB、1 MB、2 MB等；優(yōu)點是讀寫數(shù)據(jù)時，不容易出錯。所以在應(yīng)用領(lǐng)域方面，NOR Flash比較適合應(yīng)用于存儲少量的代碼。

NAND Flash的單元尺寸幾乎是NOR Flash器件的一半，由于生產(chǎn)過程更為簡單，也就相應(yīng)地降低了價格。容量比較大，由于價格便宜，更適合存儲大量的數(shù)據(jù)。

1.1.3　可靠性和耐用性

采用Flash介質(zhì)時一個需要重點考慮的問題是可靠性。對于需要擴展MTBF的系統(tǒng)來說，F(xiàn)lash是非常合適的存儲方案?？梢詮膲勖?耐用性)、位交換和壞塊處理三個方面來比較NOR Flash和NAND Flash的可靠性。壽命(耐用性)在NAND Flash閃存中每個塊的最大擦寫次數(shù)是一百萬次，而NOR Flash的擦寫次數(shù)是十萬次。NAND Flash除了具有10∶1的塊擦除周期優(yōu)勢，典型的NAND Flash塊尺寸要比NOR器件小8倍，每個NAND Flash塊在給定的時間內(nèi)的刪除次數(shù)要少一些。

1.1.4　位反轉(zhuǎn)

NAND Flash和NOR Flash都可能發(fā)生比特位反轉(zhuǎn)（但NAND Flash反轉(zhuǎn)的幾率遠大于NOR Flash），因此這兩者都必須進行ECC操作；NAND Flash可能會有壞塊（出廠時廠家會對壞塊做標記），在使用過程中也還有可能會出現(xiàn)新的壞塊，因此NAND Flash驅(qū)動必須對壞塊進行管理。

位反轉(zhuǎn)對于用NAND Flash存儲多媒體信息時倒不是致命的。當然，如果用本地存儲設(shè)備來存儲操作系統(tǒng)、配置文件或其他敏感信息時，必須使用EDC/ECC系統(tǒng)以確?？煽啃浴膲K處理NAND Flash器件中的壞塊是隨機分布的。NAND Flash器件需要對介質(zhì)進行初始化掃描來發(fā)現(xiàn)壞塊，并將壞塊標記為不可用。

1.1.5　易于使用

NAND Flash不能在片內(nèi)運行程序，而NOR Flash可以。但目前很多CPU都可以在上電時以硬件的方式先將NAND Flash的第一個BLOCk中的內(nèi)容（一般是程序代碼，也許不足一個Block，如2 KB大?。┳詣涌截惖絉AM中，然后再運行。因此，只要CPU支持，NAND Flash也可以當成啟動設(shè)備。由于需要I/O接口，NAND Flash要復(fù)雜得多。各種NAND Flash器件的存取方法因廠家而異。在使用NAND Flash器件時，必須先寫入驅(qū)動程序，才能繼續(xù)執(zhí)行其他操作。

1.2　NAND Flash的存儲結(jié)構(gòu)

大多數(shù)的NAND Flash都大同小異，所不同的只是該NAND Flash芯片的容量大小和讀寫速度等基本特性。

塊Block是NAND Flash的擦除操作的基本/最小單位。頁是讀寫操作的基本單位。

每一個頁，對應(yīng)還有一塊區(qū)域，叫做空閑區(qū)域/冗余區(qū)域，而在Linux系統(tǒng)中，一般叫做OOB（Out Of Band）[2]。這個區(qū)域最初基于NAND Flash的硬件特性，數(shù)據(jù)在讀寫時候相對容易出錯，所以為了保證數(shù)據(jù)的正確性，必須要有對應(yīng)的檢測和糾錯機制，此機制被叫做EDC(Error Detection Code)/ECC（Error Code Correction)。所以設(shè)計了多余的區(qū)域，用于放置數(shù)據(jù)的校驗值。OOB的讀寫操作一般是隨著頁的操作一起完成的，即讀寫頁的時候，對應(yīng)地就讀寫了OOB。OOB的主要用途： 標記是否是壞塊，存儲ECC數(shù)據(jù)，存儲一些和文件系統(tǒng)相關(guān)的數(shù)據(jù)。

1.3　NAND Flash的接口控制設(shè)計

系統(tǒng)中選用的NAND Flash為海力士半導(dǎo)體公司(Hynix)的H27U1G8F2B[3]，它是一個1 GB的內(nèi)存，每頁的大小為2 112字節(jié)（2048＋64備用），每個塊的大小為128K+4K備用字節(jié)。H27U1G8F2B的8個I/O引腳是地址復(fù)用的，這樣可以減少引腳數(shù)，并方便系統(tǒng)升級，閃存的電源為33 V。NAND Flash H27U1G8F2B的接口控制電路如圖1所示。

圖1　NAND Flash控制電路

由于NAND Flash只有8個I/O引腳，而且是復(fù)用的，既可以傳數(shù)據(jù)，也可以傳地址、命令。設(shè)計命令鎖存使能(Command Latch Enable, CLE) 和 地址鎖存使能(Address Latch Enable，ALE)，就是先要發(fā)一個CLE（或ALE）命令，告訴NAND Flash的控制器一聲，下面要傳的是命令（或地址）。這樣，NAND Flash內(nèi)部才能根據(jù)傳入的內(nèi)容，進行對應(yīng)的動作。相對于并口的NOR Flash的48或52個引腳來說，大大減小了引腳數(shù)目，這樣封裝后的芯片體積小。同時，減少了芯片接口，使用此芯片的相關(guān)的外圍電路會更簡化，避免了繁瑣的硬件連線。

2　軟件設(shè)計

2.1　NAND Flash的讀寫控制

Linux MTD[4]對NAND Flash芯片的讀寫主要分三部分：

① struct mtd_info中的讀寫函數(shù)，如read、write_oob等，這是MTD原始設(shè)備層與Flash硬件層之間的接口。

② struct nand_ecc_CTRl中的讀寫函數(shù)，如read_page_raw、write_page等，主要用來做一些與ECC有關(guān)的操作。

③ struct nand_Chip中的讀寫函數(shù)，如read_buf、cmdfunc等，與具體的NAND controller相關(guān)，就是這部分函數(shù)與硬件的交互。

這三部分讀寫函數(shù)是相互配合著完成對NAND Flash芯片的讀寫的。首先，MTD上層需要讀寫NAND Flash芯片時，會調(diào)用struct mtd_info中的讀寫函數(shù)；接著，struct mtd_info中的讀寫函數(shù)就會調(diào)用struct nand_chip或struct nand_ecc_ctrl中的讀寫函數(shù)；最后，若調(diào)用的是struct nand_ecc_ctrl中的讀寫函數(shù)，那么它又會接著調(diào)用struct nand_chip中的讀寫函數(shù)。讀寫相關(guān)函數(shù)如圖2所示。

2.2　NAND Flash的讀頁流程

2.2.1　讀頁時序

讀頁流程如圖3所示?？梢钥吹饺绻獙崿F(xiàn)讀一個頁的數(shù)據(jù)，就要發(fā)送Read的命令，而且是分兩個周期，即分兩次發(fā)送對應(yīng)的命令。第一次是00h,第二次是30h，而兩次命令中間，需要發(fā)送對應(yīng)的你所要讀取的頁的地址。 圖4為讀頁時序。