SL11R單片機(jī)外部存儲(chǔ)器擴(kuò)展

2.3 動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器的擴(kuò)展

SL11R擴(kuò)展動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器非常簡(jiǎn)單。因?yàn)樗呀?jīng)內(nèi)置了動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器控制電路，與EDO DRAM直接連接就可以，不需要另加電路，而且自動(dòng)刷新，用戶使用動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器負(fù)使用SRAM一樣方便。SL11R擴(kuò)展DRAM的電路見(jiàn)圖4。

擴(kuò)展DRAM時(shí)要選擇3.3V的EDO DRAM，盡量使用1M×16位的內(nèi)存芯片如GM71V18163CJ、IS41LV16100、HY51V18164等，這樣電路設(shè)計(jì)較簡(jiǎn)單。筆者在使用過(guò)程中發(fā)現(xiàn)，某些DRAM與SL11R存在兼容性問(wèn)題，有時(shí)工作不穩(wěn)定，但換另一批次的芯片后又正常工作，所以設(shè)計(jì)者在使用時(shí)應(yīng)注意篩選。

SL11R對(duì)DRAM的尋址空間為0x8000～0x9FFF和0xA000～0xBFFFF。這個(gè)地址值控制尋址的低位地址（A0～A12），另外有2個(gè)對(duì)應(yīng)的頁(yè)面寄存器控制尋址的高位地址，每個(gè)頁(yè)面都能完成對(duì)1M×16位空間的尋址。這兩個(gè)16位的頁(yè)面寄存器是0xC018和0xC01A，以頁(yè)面1寄存器0xC018具體說(shuō)明如下：

如果A21=1，則對(duì)0x8000～0x9FFF空間的讀寫(xiě)操作是針對(duì)DRAM，由DRAMOE和DRAMWT引腳選通DRAM，參見(jiàn)圖4。

如果A21=0，則對(duì)0x8000～0x9FFF空間的讀寫(xiě)操作是針其它外設(shè)，由nXMEMSEL引腳選通。這種方式使SL11R另外增加了1M×16位的尋址空間，但這個(gè)空間DMA方式不能直接尋址。

A13～A20則是頁(yè)面1的高位地址，加上08000～0x9FFF的低位（A0～A12）實(shí)現(xiàn)頁(yè)面1的尋址。

頁(yè)面2的尋址與頁(yè)面1的尋址完全一樣，只是由0xC01A和對(duì)0xA000～0xBFFF的尋址實(shí)現(xiàn)。

頁(yè)面1和頁(yè)面2的尋址空間是重疊的，一般可以使用一個(gè)頁(yè)面對(duì)DRAM尋址，另一個(gè)頁(yè)面對(duì)其它外設(shè)尋址。

3 存儲(chǔ)器速度的影響

SL11R的工作頻率較高，必須要考慮存儲(chǔ)器的速度，否則可能工作不正常。

3.1 靜態(tài)存儲(chǔ)器速度

讀取外部靜態(tài)存儲(chǔ)器的時(shí)序見(jiàn)圖5，具體參數(shù)見(jiàn)表2。表2中的參數(shù)是SL11R的內(nèi)部工作時(shí)鐘PCLK工作36MHz，等待周期設(shè)定為0時(shí)的數(shù)據(jù)。