DRAM 8英寸線趨減 IC制造須理性突圍

　　DRAM 8英寸線將逐漸退出

　　隨著半導(dǎo)體工藝制程技術(shù)的進(jìn)步，90納米及以下制程產(chǎn)品的比重增大以及12英寸硅片的優(yōu)越性逐漸擴(kuò)大，首先在競(jìng)爭(zhēng)最激烈的存儲(chǔ)器制造中呈現(xiàn)。

　　臺(tái)灣力晶半導(dǎo)體的黃崇仁表示，2006年是轉(zhuǎn)折點(diǎn)，DRAM中的8英寸芯片性價(jià)比已不具有優(yōu)勢(shì)，一批較早的8英寸芯片廠，已無(wú)法采用0.11微米工藝來(lái)制造512Mb的DDR2存儲(chǔ)器。

　　臺(tái)灣拓璞產(chǎn)業(yè)研究所最近發(fā)表的看法認(rèn)為，五大集團(tuán)三星、美光、海力士、英飛凌及爾必達(dá)主導(dǎo)了全球的DRAM業(yè)，全球DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)應(yīng)用中，有55%用于PC中。預(yù)計(jì)2007年臺(tái)式機(jī)中存儲(chǔ)器用量將增加46%;而筆記本中將增加63%；服務(wù)器中將增加47%;而消費(fèi)電子產(chǎn)品及手機(jī)中也分別有56%及69%的增長(zhǎng)。所以，2007年DRAM總需求將有57.4%的增長(zhǎng)。但在供給方面，2007年中DRAM的8英寸芯片生產(chǎn)線的自然淘汰率將占20%至30%，其中有的8英寸線升級(jí)至12英寸或者改成其他用途。

　　不同品種有其相應(yīng)的特征尺寸及生存周期，完全由市場(chǎng)來(lái)決定,目前DRAM已進(jìn)入80納米量產(chǎn)時(shí)代，而模擬電路中0.18微米仍是國(guó)際先進(jìn)水平。所以各種不同的硅片尺寸都有其相應(yīng)的生存之道，但是大尺寸硅片逐步取代小尺寸是自然規(guī)律。如右圖所示。

　　中國(guó)芯片制造仍在初級(jí)階段

　　自華虹NEC在中國(guó)建成第一個(gè)8英寸生產(chǎn)線至今，中國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)正在逐步成長(zhǎng)壯大。雖然也有中芯國(guó)際的12英寸芯片生產(chǎn)線以及全國(guó)8英寸硅片的產(chǎn)能規(guī)模已達(dá)每月30萬(wàn)片以上，但是從總體看，產(chǎn)業(yè)的水平仍處在初級(jí)階段，其現(xiàn)狀如下：

 
　　有12英寸及90納米的代工能力，但至少落后于臺(tái)積電等世界一流代工企業(yè)一年以上。目前在高端產(chǎn)品代工方面仍以標(biāo)準(zhǔn)型存儲(chǔ)器為主。而在邏輯電路代工方面，由于90納米技術(shù)進(jìn)展緩慢，加上缺乏頂級(jí)fabless公司的大訂單，造成新建12英寸的產(chǎn)能擴(kuò)展緩慢。

　　0.18微米及以上的代工，由于同質(zhì)化，缺乏特長(zhǎng)工藝能力，加上臺(tái)積電等打壓，致使硅片平均銷售價(jià)格下降，毛利率低，而造成企業(yè)效益不夠理想。

　　中國(guó)芯片制造業(yè)，從結(jié)構(gòu)上看大部分6英寸及8英寸舊線的贏利狀況較好，目前可能是全球唯一還在增建8英寸芯片生產(chǎn)線的地區(qū)。

　　在12英寸新線建設(shè)中，中國(guó)仍處在擴(kuò)張的態(tài)勢(shì)，中芯國(guó)際除了在北京有Fab4之外，上海的Fab8已處于設(shè)備安裝階段，另一條武漢的中芯12英寸生產(chǎn)線已加快步伐，預(yù)計(jì)2007年底可能提前進(jìn)行設(shè)備安裝。但是面臨一個(gè)做什么產(chǎn)品的決策問(wèn)題，可以預(yù)計(jì)DRAM及NAND閃存是個(gè)正確的選擇。

　　目前唯一在中國(guó)大肆擴(kuò)張的是無(wú)錫海力士及意法的合資存儲(chǔ)器廠，其進(jìn)展速度超出業(yè)界的預(yù)期。至2007年底擴(kuò)充硅片月產(chǎn)能將為8英寸5萬(wàn)片及12英寸6萬(wàn)片，將成為中國(guó)最大的芯片制造廠。

　　從全球8英寸芯片廠范圍看，唯有中國(guó)內(nèi)地還在逐年擴(kuò)張，但是由于種種原因，速度已經(jīng)減緩，因此可以預(yù)計(jì)，在未來(lái)三年內(nèi)，臺(tái)灣地區(qū)半導(dǎo)體廠的西移，是影響內(nèi)地半導(dǎo)體業(yè)增長(zhǎng)的主要因素。但是在近時(shí)期內(nèi)中國(guó)內(nèi)地不太可能成為全球最大的8英寸芯片廠基地。 (本文作者為美國(guó)應(yīng)用材料公司顧問(wèn))

　　專家觀點(diǎn)

　　中國(guó)芯片制造業(yè)突圍策略

　　我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)根本問(wèn)題是基礎(chǔ)薄弱，盡管近年來(lái)我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在設(shè)計(jì)、制造、封裝，包括設(shè)備及材料等方面都有長(zhǎng)足的進(jìn)步，產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)逐年完善，但是缺乏品牌及世界一流的公司來(lái)支撐。為了下一步更健康地發(fā)展，提出以下一些思路，供業(yè)界探討。

　　首先，要明白建成什么樣的芯片制造業(yè)。實(shí)際上，在發(fā)展中國(guó)的芯片產(chǎn)業(yè)中，以下三點(diǎn)才是根本及生存基礎(chǔ)：集成電路產(chǎn)業(yè)涉及國(guó)家安全；高科技受西方國(guó)家控制；必須要做強(qiáng)，至少有2至3個(gè)國(guó)際一流品牌，才不致輕易被競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手打垮。因此，依此思路許多問(wèn)題應(yīng)該能迎刃而解。如發(fā)展國(guó)產(chǎn)CPU主要為國(guó)家安全，不可能完全拿經(jīng)濟(jì)利益來(lái)考量。又如12英寸芯片生產(chǎn)線一定要上，但必須以企業(yè)為主體，而且國(guó)家在政策上要給予支持。在適當(dāng)時(shí)候，要支持中國(guó)的芯片產(chǎn)業(yè)的兼并壯大。不能滿足于一條芯片生產(chǎn)線有3至5萬(wàn)片月產(chǎn)能。再如從國(guó)家利益出發(fā)，扶植1至2家企業(yè)搞IDM模式也很有必要。

　　其次，要改善芯片自給率。要把改善芯片自給率作為芯片產(chǎn)業(yè)的一個(gè)重要目標(biāo)來(lái)考核，同時(shí)國(guó)家要有相應(yīng)的政策與措施配合。近年來(lái)雖然芯片產(chǎn)業(yè)從數(shù)量上增加迅速，但是芯片自給率的改善并不能讓人滿意。

　　第三，正確認(rèn)識(shí)來(lái)自臺(tái)灣地區(qū)的影響。中國(guó)內(nèi)地半導(dǎo)體工業(yè)己與我國(guó)臺(tái)灣地區(qū)半導(dǎo)體業(yè)緊密結(jié)合在一起。目前臺(tái)灣地區(qū)半導(dǎo)體業(yè)處于國(guó)際先進(jìn)地位：IC設(shè)計(jì)業(yè)居全球第二，代工和封裝業(yè)居全球首位，集成電路總產(chǎn)值己超過(guò)韓國(guó)居全球第三。但是臺(tái)灣島內(nèi)發(fā)展半導(dǎo)體有先天性缺陷阻礙其進(jìn)一步成長(zhǎng)。主要問(wèn)題有以下四方面：市場(chǎng)?。蝗瞬哦倘?；電力不足；地震多。因此，向外擴(kuò)展，尤其是西移內(nèi)地是必然趨勢(shì)。