關(guān)于單片機(jī)EMC的一些建議

2.3當(dāng)時(shí)序約束有足夠的余量的時(shí)候，通過(guò)降低輸出能力來(lái)減緩內(nèi)部時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)的邊沿。
減少同步開關(guān)的峰值電流，和di/dt，一個(gè)重要的考慮因素就是降低內(nèi)部時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)的能力（其實(shí)就是放大倍數(shù)，穿通電流與之相關(guān)型很大）。降低時(shí)鐘邊沿的電流，將顯著改善EMI。當(dāng)然這樣做的缺點(diǎn)就是，由于時(shí)鐘和負(fù)載的開通時(shí)間的變長(zhǎng)使得單片機(jī)的平均電流可能增加?？焖龠呇睾拖鄬?duì)較高的峰值電流，時(shí)間更長(zhǎng)邊沿較慢的電流脈沖這兩者需要做一個(gè)妥協(xié)。

2.4晶振的內(nèi)部驅(qū)動(dòng)（反向器）最好不要超過(guò)實(shí)際的需求。
這個(gè)問(wèn)題，實(shí)際上前面也談過(guò)了，當(dāng)增益過(guò)大的時(shí)候會(huì)帶來(lái)更大的干擾。

3 設(shè)計(jì)最小穿通電流的驅(qū)動(dòng)器
3.1 時(shí)鐘，總線和輸出驅(qū)動(dòng)器應(yīng)盡可能使得傳統(tǒng)電流最小
穿通電流【重疊電流，短路電流】，是從單片機(jī)在切換過(guò)程中，PMOS和NMOS同時(shí)導(dǎo)通時(shí)候，電源到地線的電流，穿通電流直接影響了EMI和功耗。
這個(gè)內(nèi)容實(shí)際上是在單片機(jī)內(nèi)部的，時(shí)鐘，總線和輸出驅(qū)動(dòng)器，消除或減少穿通電流的方法是盡量先關(guān)閉一個(gè)FET，然后再開通一個(gè)FET。當(dāng)電流較大時(shí)，需要額外的預(yù)驅(qū)動(dòng)電路或電壓擺率。