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凌力爾特推出 LTC3612 新的高可靠性 H 級(jí)和軍用 MP 級(jí)版本

作者: 時(shí)間:2014-02-12 來(lái)源:電子產(chǎn)品世界 收藏

  2014 年 1 月 29 日,公司 (Linear Technology Corporation) 推出 新的高可靠性 H 級(jí)和軍用 MP 級(jí)版本,該器件是一款高效率、4MHz 同步降壓性穩(wěn)壓器,采用恒定頻率、電流模式架構(gòu)。 采用 3mm x 3mm QFN 或耐熱性能增強(qiáng)型 TSSOP-20 封裝,能夠以低至 0.6V 的輸出電壓提供高達(dá) 3A 的連續(xù)輸出電流。該器件在 2.25V 至 5.5V 的輸入電壓范圍內(nèi)工作,適用于單節(jié)鋰離子電池應(yīng)用以及 3.3V 或 5V 中間總線系統(tǒng)。其開(kāi)關(guān)頻率是用戶可編程的,范圍為 300kHz 至 4MHz,允許使用纖巧、低成本電容器和電感器。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/221405.htm

   采用 RDS(ON) 僅為 45mΩ 和 70mΩ 的內(nèi)部開(kāi)關(guān),為 5VIN 至 1.8VOUT 轉(zhuǎn)換等高降壓比應(yīng)用提供超過(guò) 90% 的效率。采用突發(fā)模式 (Burst Mode®) 工作可最大限度地提高輕負(fù)載效率,無(wú)負(fù)載時(shí)僅需要 70µA 電流,從而使該器件非常適用于需要最長(zhǎng)電池運(yùn)行時(shí)間的應(yīng)用??烧{(diào)突發(fā)模式箝位使設(shè)計(jì)師能夠進(jìn)一步優(yōu)化輕負(fù)載效率。就需要最低噪聲的應(yīng)用而言,LTC3612 可配置為以脈沖跳躍或強(qiáng)制連續(xù)模式運(yùn)行,從而降低了噪聲和潛在的 RF 干擾。LTC3612 還為跟蹤功能以及 DDR 存儲(chǔ)器模式 (可提供 / 吸收 ±1.5A 電流的) 提供輸入引腳。其他特點(diǎn)包括可選有源電壓定位、電源良好 (Power Good) 電壓監(jiān)視器、外部同步功能和過(guò)熱保護(hù)。

  LTC3612產(chǎn)品數(shù)據(jù)表鏈接地址:http://datasheet.eepw.com.cn/datasheet/show/id/3121058。

  LTC3612產(chǎn)品電路圖鏈接地址:http://diagram.eepw.com.cn/diagram/circuit/cid/370/cirid/121364。

  高可靠性 H 級(jí)版本在 -40ºC 至 150ºC 的工作結(jié)溫范圍內(nèi)保證符合性能規(guī)格。LTC3612HUDC 采用 3mm x 4mm QFN-20 封裝,而 LTC3612HFE 采用 20 引線、耐熱性能增強(qiáng)型 TSSOP 封裝,千片批購(gòu)價(jià)分別為每片 3.95 美元和 4.15 美元。軍用 MP 級(jí)版本 LTC3612MPUDC 采用 QFN 封裝,LTC3612MPFE 采用 TSSOP 封裝,在 -55ºC 至 150ºC 的工作結(jié)溫范圍內(nèi)保證符合性能規(guī)格,千片批購(gòu)價(jià)分別為每片 9.85 美元和 10.40 美元。所有版本都有現(xiàn)貨供應(yīng)。


照片說(shuō)明:采用 3mm x 4mm QFN 和 TSSOP 封裝的 3A、4MHz 同步降壓型 DC/DC

  性能概要:LTC3612

  · 在 -55°C 至 +150°C 溫度范圍工作 (MP 級(jí)),在 -40°C 至 +150°C 溫度范圍工作 (H 級(jí))
  · 3A 輸出電流
  · 2.25V 至 5.5V 輸入電壓范圍
  · 低輸出紋波突發(fā)模式工作:IQ = 70µA
  · ±1% 輸出電壓準(zhǔn)確度
  · 輸出電壓低至 0.6V
  · 高效率:高達(dá) 95%
  · 低壓差工作:100% 占空比
  · 停機(jī)電流:≤1µA
  · 可調(diào)開(kāi)關(guān)頻率:高達(dá) 4MHz
  · 具內(nèi)部補(bǔ)償?shù)目蛇x有源電壓定位 (AVP)
  · 可選脈沖跳躍 / 強(qiáng)制連續(xù) / 具可調(diào)突發(fā)箝位的突發(fā)模式工作
  · 可編程軟啟動(dòng)
  · 為啟動(dòng)跟蹤或外部基準(zhǔn)提供輸入
  · DDR 存儲(chǔ)器模式,IOUT = ±1.5A
  · 采用 20 引線 (3mm x 4mm) QFN 和 20 引線 TSSOP耐熱性能增強(qiáng)型封裝



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