安森美半導體用于白家電各功能模塊的高能效方案
圖3為基于安森美半導體NCP1129設計的25 W高壓市電供電電源,它提供12 V恒壓輸出,采用峰值電流模式控制,帶可調節(jié)斜坡補償,確保在連續(xù)導電模式(CCM)的穩(wěn)定性;優(yōu)化短路保護及實際過載檢測;輕載條件下頻率反走至26kHz。
本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/221629.htm同時安森美半導體還為客戶提供高集成度功率因數(shù)控制器、DC-DC控制器、分立MOSFET、功率整流器、二極管及晶體管等完整系列的電源半導體產(chǎn)品。
電機驅動功能
安森美半導體為白家電變頻驅動提供分立及模塊式設計:
分立設計器件:安森美半導體用于MOSFET/IGBT門極驅動器NCP5104、NCP5106、NCP5111、NCP5181能工作在高達600V的輸入電壓,具有每納秒50V的dv/dt抗擾度,并兼容于3.3V和5V輸入邏輯,這些器件使用啟動電路(bootstrap)技術來確保驅動高邊功率開關,并提供強固的設計。
安森美半導體用于功率因數(shù)控制器的IGBT產(chǎn)品有 NGTB05N60、NGTB10N60、NGTB15N60、NGTB20N60L2、NGTB30N60,帶續(xù)流二極管;用于電機驅動被動功率因數(shù)校正的IGBT產(chǎn)品有NGTG12N60、NGTG15N60S1、NGTG20N60L2、NGTG30N60F、NGTG50N60F,不帶續(xù)流二極管。
安森美半導體用于電機控制的MOSFET產(chǎn)品具有低導通阻抗、低電容、低門極電荷等特性,能將器件導通損耗、開關損耗以及驅動器損耗降至最低,提供高抗雪崩能力及大電流通過能力。
模塊式設計:安森美半導體采用IMST(絕緣金屬基板技術)技術使分立無源器件(電阻、電容)、分立有源器件(二極管、晶體管)及集成電路(門驅動器、DSP、邏輯)等封裝到同一智能功率模塊(IPM)中。
智能功率模塊(IPM)內含門極驅動、欠壓保護(UVLO)、過溫檢測及電流檢測等功能,通過內部優(yōu)化布線來改善EMI及散熱性能,可集成PFC。
安森美半導體用于白家電電機運動控制的步進電機驅動器提供高精度微步進,提供平順、安靜的運行。AMIS-30622集成無傳感器停轉檢測,能動態(tài)控制速度、轉矩及位置,維持連續(xù)運行;LB1948MC及LV8548MC能提供雙極及BiDCMOS選擇,支持單通道步進電機/雙通道直流電機,勵磁模式支持滿步、半步,具有低飽和電壓、低導通阻抗等特性;LV8712T采用單通道PWM恒流控制,勵磁模式包括滿步、半步、1/4步、1/8步,集成過熱關閉、低壓檢測以及有源反激等保護。
安森美半導體提供應用于無刷直流電機(BLDC)驅動的單相及三相電機驅動器,LB11685AV采用無傳感器設計,脈沖幅度調制(PAM)控制,軟啟動有利于提升啟動時的穩(wěn)定性,軟開關則有助于提供靜音驅動,內置限流器、過熱關閉及抖動鎖定(beat lock)保護;LV8136V是一款三相BLDC電機用PWM系統(tǒng)預驅動IC,提供高能效、150°PWM靜音驅動。
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