高亮度LED之“封裝熱導(dǎo)”原理技術(shù)探析

附注：雖然鋁、銅都是合適的熱導(dǎo)熱金屬，不過礙于成本多半是選擇鋁材質(zhì)。

IMS強(qiáng)化MCPCB在絕緣層上的熱傳導(dǎo)

MCPCB雖然比FR4PCB散熱效果佳，但MCPCB的介電層卻沒有太好的熱傳導(dǎo)率，大體與FR4PCB相同，僅0.3W/m.K，成為散熱塊與金屬核心板間的傳導(dǎo)瓶頸。

為了改善此一情形，有業(yè)者提出了IMS（InsulatedMetalSubstrate，絕緣金屬基板）的改善法，將高分子絕緣層及銅箔電路以環(huán)氧方式直接與鋁、銅板接合，然后再將LED配置在絕緣基板上，此絕緣基板的熱傳導(dǎo)率就比較高，達(dá)1.12W/m.K，比之前高出37倍的傳導(dǎo)效率。

更進(jìn)一步的，若絕緣層依舊被認(rèn)為是導(dǎo)熱性不佳，也有直接讓LED底部的散熱塊，透過在印刷電路板上的穿孔（ThroughHole）作法，使其直接與核心金屬接觸，以此加速散熱。此作法很耐人尋味，因?yàn)檫^去的印刷電路板不是為插件元件焊接而鑿，就是為線路繞徑而鑿，如今卻是為散熱設(shè)計(jì)而鑿。

結(jié)尾

除了MCPCB、MCPCB＋I(xiàn)MS法之外，也有人提出用陶瓷基板（Ceramic Substrate），或者是所謂的直接銅接合基板（Direct Copper Bonded Substrate，簡稱：DBC），或是金屬復(fù)合材料基板。無論是陶瓷基板或直接銅接合基板都有24170W/m.K的高傳導(dǎo)率，其中直接銅接合基板更允許制程溫度、運(yùn)作溫度達(dá)800℃以上，不過這些技術(shù)都有待更進(jìn)一步的成熟觀察。