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GaN基不同電極形狀的LED性能比較

作者: 時(shí)間:2012-02-07 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

  目前LED 的出光效率普遍較低,這是由于晶格對(duì)光的吸收、襯底對(duì)光的吸收以及光在出射過(guò)程中反射、全內(nèi)反射造成的損失等多方面的原因?qū)е碌?。近年?lái),對(duì)提高LED 出光效率方面的研究也較多,其中改進(jìn)LED 是一個(gè)新起的分支[1 - 2]。優(yōu)化LED 的需要注意3 個(gè)方面:①使用n 電極環(huán)繞p 電極的方法,這樣能夠讓電流在盡可能大的面積上由p 電極進(jìn)入n 電極,增加有效發(fā)光長(zhǎng)度; ②n 與p 電極之間的距離應(yīng)相等,使電流盡可能均勻的分布; ③n 電極要分布在外側(cè),這與①的理由相同。提高了LED 的出光效率就在一定程度上提高了LED 的電光轉(zhuǎn)換效率,對(duì)于LED 的節(jié)能優(yōu)勢(shì)有著重要的影響。但J. S. Yun 等人[2]只對(duì)常用的電極做簡(jiǎn)單優(yōu)化,本文前期工作設(shè)計(jì)了復(fù)雜的優(yōu)化電極,并通過(guò)軟件模擬結(jié)果優(yōu)化電極,提高了出光效率的結(jié)果。

  為對(duì)軟件模擬的情況進(jìn)行實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證,本次實(shí)驗(yàn)對(duì)前期模擬的6 種優(yōu)化電極的藍(lán)光芯片進(jìn)行試制,并對(duì)理論結(jié)果與實(shí)驗(yàn)結(jié)果在光學(xué)、電學(xué)和可靠性等方面做詳細(xì)的比較分析,用測(cè)試結(jié)果驗(yàn)證優(yōu)化電極在各方面的優(yōu)勢(shì),并對(duì)各種電極的壽命做出預(yù)測(cè)。

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