免除藍寶石襯底垂直設計提升LED的性能
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我們所制作的VLEDMS結構顯示在圖3，該LED芯片的面積僅1mm2，擁有藍光、綠光和紫外三種顏色。通過使用外延沉積技術——我們正在申請中的專利技術——這些LED沿著一個新的結構生長在藍寶石襯底上，該結構能夠使藍寶石剝離。當LED在金屬合金襯底上成形之后，n-GaN表面就形成圖案來減小由于全內(nèi)反射造成的損失。
圖3.（邊）SemiLEDs的垂直結構LED包含一個直接沉積在金屬合金襯底上的鏡子、0.2μm厚的p-GaN/p-AlGaN層，一個InGaN/GaN多層量子阱激活區(qū)以及一個4μm厚的n-GaN層。
相比于傳統(tǒng)的LED，VLEDMS擁有非常好的電流-電壓（I-V）特性，即在350mA的驅動電流下，正向電壓將產(chǎn)生一個0.2伏的衰減。由于采用了垂直電流路徑以及具備了更大
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