LED外延片生長基本原理

LED外延片生長基本原理

LED外延片生長的基本原理是，在一塊加熱至適當溫度的襯底基片（主要有紅寶石和SiC兩種）上，氣態(tài)物質In,Ga,Al,P有控制的輸送到襯底表面，生長出特定單晶薄膜。目前LED外延片生長技術主要采用有機金屬化學氣相沉積方法。

有機金屬化學氣相沉積方法(MOCVD )

金屬有機物化學氣相淀積（Metal-OrganicChemicalVaporDeposition，簡稱 MOCVD）， 1968年由美國洛克威爾公司提出來的一項制備化合物半導體單品薄膜的新技術。該設備集精密機械、半導體材料、真空電子、流體力學、光學、化學、計算機多學科為一體，是一種自動化程度高、價格昂貴、技術集成度高的尖端光電子專用設備，主要用于GaN（氮化鎵）系半導體材料的外延生長和藍色、綠色或紫外發(fā)光二極管芯片的制造，也是光電子行業(yè)最有發(fā)展前途的專用設備之一。