白光led壽命,白光led詳細(xì)圖文分析

為了獲得充分的白光LED光束，曾經(jīng)開(kāi)發(fā)大尺寸LED芯片，試圖以此方式達(dá)成預(yù)期目標(biāo)。實(shí)際上在白光LED上施加的電功率持續(xù)超過(guò)1W以上時(shí)光束反而會(huì)下降，發(fā)光效率則相對(duì)降低20%~30%，提高白光LED的輸入功率和發(fā)光效率必須克服的問(wèn)題有：抑制溫升；確保使用壽命；改善發(fā)光效率；發(fā)光特性均等化。

增加功率會(huì)使用白光LED封裝的熱阻抗下降至10K/W以下，因此國(guó)外曾經(jīng)開(kāi)發(fā)耐高溫白光LED，試圖以此改善溫升問(wèn)題。因大功率白光LED的發(fā)熱量比小功率白光LED高數(shù)十倍以上，即使白光LED的封裝允許高熱量，但白光LED芯片的允許溫度是一定的。抑制溫升的具體方法是降低封裝的熱阻抗。

提高白光LED使用壽命的具體方法是改善芯片外形，采用小型芯片。因白光LED的發(fā)光頻譜中含有波長(zhǎng)低于450nm的短波長(zhǎng)光線(xiàn)，傳統(tǒng)環(huán)氧樹(shù)脂密封材料極易被短波長(zhǎng)光線(xiàn)破壞，高功率白光LED的大光量更加速了密封材料的劣化。改用硅質(zhì)密封材料與陶瓷封裝材料，能使白光LED的使用壽命提高一位數(shù)。

改善白光LED的發(fā)光效率的具體方法是改善芯片結(jié)構(gòu)與封裝結(jié)構(gòu)，達(dá)到與低功率白光LED相同的水準(zhǔn)，主要原因是電流密度提高2倍以上時(shí)，不但不容易從大型芯片取出光線(xiàn)，結(jié)果反而會(huì)造成發(fā)光效率不如低功率白光LED，如果改善芯片的電極構(gòu)造，理論上就可以解決上述取光問(wèn)題。

實(shí)現(xiàn)發(fā)光特性均勻化的具體方法是改善白光LED的封裝方法，一般認(rèn)為只要改善白光LED的熒光體材料濃度均勻性與熒光體的制作技術(shù)就可以克服上述困擾。

減少熱阻抗、改善散熱問(wèn)題的具體內(nèi)容分別是：

① 降低芯片到封裝的熱阻抗。

② 抑制封裝至印制電路基板的熱阻抗。

③ 提高芯片的散熱順暢性。

為了降低熱阻抗，國(guó)外許多LED廠商將LED芯片設(shè)在銅與陶瓷材料制成的散熱鰭片表面，如圖1所示，用焊接方式將印制電路板上散熱用導(dǎo)線(xiàn)連接到利用冷卻風(fēng)扇強(qiáng)制空冷的散熱鰭片上。德國(guó)OSRAM Opto Semiconductors Gmb 實(shí)驗(yàn)結(jié)果證實(shí)，上述結(jié)構(gòu)的LED芯片到焊接點(diǎn)的熱阻抗可以降低9K/W，大約是傳統(tǒng)LED的1/6左右。封裝后的LED施加2W的電功率時(shí)，LED芯片的溫度比焊接點(diǎn)高18℃，即使印制電路板的溫度上升到500℃，LED芯片的溫度也只有700℃左右。熱阻抗一旦降低，LED芯片的溫度就會(huì)受到印制電路板溫度的影響，為此必須降低LED芯片到焊接點(diǎn)的熱阻抗。反過(guò)來(lái)說(shuō)，即使白光LED具備抑制熱阻抗的結(jié)構(gòu)，如果熱量無(wú)法從LED封裝傳導(dǎo)到印制電路板的話(huà)，LED溫度的上升將使其發(fā)光效率下降，因此松下公司開(kāi)發(fā)出了印制電路板與封裝一體化技術(shù)，該公司將邊長(zhǎng)為1mm的正方形藍(lán)光LED以覆芯片化方式封裝在陶瓷基板上，接著再將陶瓷基板粘貼在銅質(zhì)印制電路板表面，包含印制電路板在內(nèi)模塊整體的熱阻抗大約是15K/W。

針對(duì)白光LED的長(zhǎng)壽化問(wèn)題，目前LED廠商采取的對(duì)策是變更密封材料，同時(shí)將熒光材料分散在密封材料內(nèi)，可以更有效地抑制材質(zhì)劣化與光線(xiàn)穿透率降低的速度。

由于環(huán)氧樹(shù)脂吸收波長(zhǎng)為400~450nm 的光線(xiàn)的百分比高達(dá)45%，硅質(zhì)密封材料則低于1%，環(huán)氧樹(shù)脂亮度減半的時(shí)間不到1萬(wàn)小時(shí)，硅質(zhì)密封材料可以延長(zhǎng)到4萬(wàn)小時(shí)左右（如圖2所示），幾乎與照明設(shè)備的設(shè)計(jì)壽命相同，這意味著照明設(shè)備在使用期間不需更換白光LED。不過(guò)硅質(zhì)密封材料屬于高彈性柔軟材料，加工上必須使用不會(huì)刮傷硅質(zhì)密封材料表面的制作技術(shù)，此外制程上硅質(zhì)密封材料極易附著粉屑，因此未來(lái)必須開(kāi)發(fā)可以改善表面特性的技術(shù)。

雖然硅質(zhì)密封材料可以確保白光LED有4萬(wàn)小時(shí)的使用壽命，然而照明設(shè)備業(yè)界有不同的看法，主要爭(zhēng)論是傳統(tǒng)白熾燈與熒光燈的使用壽命被定義成“亮度降至30%以下”，亮度減半時(shí)間為4萬(wàn)小時(shí)的白光LED，若換算成亮度降至30%以下的話(huà)，大約只剩2萬(wàn)小時(shí)。目前有兩種延長(zhǎng)組件使用壽命的對(duì)策，分別是：

① 抑制白光LED整體的溫升。

② 停止使用樹(shù)脂封裝方式。

以上兩項(xiàng)對(duì)策可以達(dá)成亮度降至30%時(shí)使用壽命達(dá)4萬(wàn)小時(shí)的要求。抑制白光LED溫升可以采用冷卻白光LED封裝印制電路板的方法，主要原因是封裝樹(shù)脂在高溫狀態(tài)下，加上強(qiáng)光照射會(huì)快速劣化，依照阿雷紐斯法則，溫度降低100℃時(shí)壽命會(huì)延長(zhǎng)2倍。

停止使用樹(shù)脂封裝可以徹底消滅劣化因素，因?yàn)榘坠釲ED產(chǎn)生的光線(xiàn)在封裝樹(shù)脂內(nèi)反射，如果使用可以改變芯片側(cè)面光線(xiàn)行進(jìn)方向的樹(shù)脂材質(zhì)反射板，由于反射板會(huì)吸收光線(xiàn)，所以光線(xiàn)的取出量會(huì)銳減，這也是采用陶瓷系與金屬系封裝材料的主要原因。LED封裝基板無(wú)樹(shù)脂化結(jié)構(gòu)如圖3所示。

有兩種方法可以改善白光LED芯片的發(fā)光效率：一種是使用面積比小型芯片（1mm2左右）大10倍的大型LED芯片；另外一種是利用多個(gè)小型高發(fā)光效率LED芯片組合成一個(gè)單體模塊。雖然大型LED芯片可以獲得大光束，不過(guò)加大芯片面積會(huì)有負(fù)面影響，例如芯片內(nèi)發(fā)光層不均勻、發(fā)光部位受到局限、芯片內(nèi)部產(chǎn)生的光線(xiàn)放射到外部時(shí)會(huì)嚴(yán)重衰減等。針對(duì)以上問(wèn)題，通過(guò)對(duì)白光LED的電極結(jié)構(gòu)的改良，采用覆芯片化封裝方式，同時(shí)整合芯片表面加上技術(shù)，目前已經(jīng)達(dá)成50lm/W的發(fā)光效率。大型白光LED的封裝方式如圖4所示。有關(guān)芯片整體的發(fā)光層均等性，自從出現(xiàn)梳子狀與網(wǎng)格狀P型電極這后，使電極也朝最佳化方向發(fā)展。

有關(guān)覆芯片化封裝方式，由于發(fā)光層貼近封裝端極易排放熱量，加上發(fā)光層的光線(xiàn)發(fā)射到外部時(shí)無(wú)電極遮蔽的困擾，所以美國(guó)Lumileds公司與日本豐田合作已經(jīng)正式采用覆芯片化封裝方式，芯片表面加工可以防止光線(xiàn)從芯片內(nèi)部朝芯片外部發(fā)射時(shí)在界面處發(fā)生反射，若在光線(xiàn)取出部位的藍(lán)寶石基板上設(shè)置凹凸?fàn)罱Y(jié)構(gòu)，芯片外部的取光率可以提高30%左右。經(jīng)過(guò)改良的大型LED芯片封裝實(shí)體可以使芯片側(cè)面射出的光線(xiàn)朝封裝上方的反射板行進(jìn)，高效率取出芯片內(nèi)部光線(xiàn)的封裝大小是7mm×7mm左右。大型LED的最后封裝方式如圖5所示。

小型LED芯片的發(fā)光效率的提升似乎比大型LED芯片模塊更有效。例如日本CITIZEN公司組合8個(gè)小型LED芯片，達(dá)到60lm/W的高發(fā)光效率。若使用日亞公司制作的0.3mm×0.3mm 小型LED芯片，一個(gè)封裝模塊最多使用12個(gè)這樣的芯片，各LED芯片采用傳統(tǒng)金線(xiàn)粘合封裝方式，施加功率是2W左右。

對(duì)于白光LED輝度與色溫不均勻問(wèn)題，在使用上必須篩選光學(xué)特性類(lèi)似的白光LED。事實(shí)上減少白光LED發(fā)光特性的不均勻性、使LED芯片發(fā)光特性一致化以及實(shí)施熒光體材料濃度分布均勻化管理是非常重要的。

有關(guān)LED芯片的發(fā)光特性，各廠商都在非常積極地進(jìn)行芯片篩選、發(fā)光特性的均等化處理等以減少LED發(fā)光特性不均勻問(wèn)題，如松下電器公司已通過(guò)芯片的篩選達(dá)成特性一致化的目標(biāo)。該公司利用覆芯片化方式，將64個(gè)LED芯片封裝在一片基板上，最后再分別覆蓋熒光體。在加工時(shí)LED芯片先封裝在次基板測(cè)試發(fā)光特性，接著將發(fā)光特性一致的芯片移植封裝在主基板上。8個(gè)LED芯片封裝在一片基板上，即使LED芯片的發(fā)光特性不均勻，8個(gè)LED芯片合計(jì)的發(fā)光特性在封裝之間的不均勻性會(huì)變得非常小。利用多個(gè)小型LED芯片的組合提高發(fā)光波長(zhǎng)均勻性的效果如圖6所示。

白光LED通常是用內(nèi)含熒光體材料的密封樹(shù)脂直接包覆LED芯片，此時(shí)密封樹(shù)脂中熒光體材料的濃度可能出現(xiàn)偏差，最后造成白光LED的色溫分布不均勻。因此，可將含熒光體材料的樹(shù)脂薄片與LED芯片結(jié)合，由于薄片厚度與熒光體材料的濃度經(jīng)過(guò)嚴(yán)格的管理，所以白光LED的色溫分布不均程度比傳統(tǒng)方式減少了4/5。業(yè)界認(rèn)為使用熒光體薄片方式，配合LED芯片的發(fā)光特性，改變熒光體的濃度與薄片的厚度，就可以使白光LED的色溫變化控制在預(yù)期范圍內(nèi)。

雖然說(shuō)隨著白光LED發(fā)光效率的逐步提高，將白光LED應(yīng)用在照明領(lǐng)域的可能性也越來(lái)越大，但是很明顯地，單只白光LED的光通量均偏低，因此以目前的封裝形式是不太可能以單只白光LED來(lái)達(dá)到照明所需要的流明數(shù)。針對(duì)這人問(wèn)題，目前主要的解決方法大致上可分為兩類(lèi)：一類(lèi)是較傳統(tǒng)地將多只LED組成光源模塊來(lái)使用，而其中每只白光LED所需要的驅(qū)動(dòng)電源與一般使用的相同（為20~30mA）；另一類(lèi)方法是使用較大面積的芯片，此時(shí)不再使用傳統(tǒng)的0.3mm2大小的芯片，而采用0.6~1mm2大小的芯片，并使用高驅(qū)動(dòng)電流來(lái)驅(qū)動(dòng)這樣的發(fā)光組件（一般為150~350mA，目前最高達(dá)到500mA以上）。但無(wú)論是使用何種方法，都會(huì)因?yàn)楸仨氃跇O小的LED封裝中處理極高的熱量，若組件無(wú)法散去這些熱量，除了各種封裝材料會(huì)由于彼此間膨