圖文詳解硅光子技術(shù)制造細薄膜的LED陣列
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附生細薄膜 LED (Ts) 的溫度被初步評量，量測決定于來自于附生細薄膜LED射極光的波長分布的If。初步模擬表示Ts約為50℃甚至有一個十分高的電流密度約為20kA/cm2（If 約為12mA），對于附生細薄膜LED可被連結(jié)DLC細薄膜于硅基座上；Ts也早已增加達約100℃于電流密度為5kA/cm2 (If 約為3mA)時，其附生細薄膜LED于各種技術(shù)層。它證明連結(jié)的附生細薄膜LED于DLC細薄膜上有較高的熱流傳導(dǎo)，保證較高的熱傳導(dǎo)特性，以及有較好的LED特性；甚至于較高的LED電流密度范圍時。
結(jié)語
制造較高密度的附生細薄膜LED數(shù)組，其特性為3度空間可透過EFB技術(shù)整合有CMOS IC驅(qū)動器。1200dpi附生細薄膜LED數(shù)組也能透過EFB被整合于IC驅(qū)動器。附生細薄膜LED數(shù)組被整合于IC驅(qū)動器中顯示有好的LED特性以及高可靠。此一EFB技術(shù)提供有整合光以及CMOS裝置并保證可于硅光子技術(shù)所完成。
較高的密度的2D整合附生細薄膜LED可被完成于玻璃與可撓性的塑料基座上。2D LED數(shù)組的數(shù)組厚度可盡可能的細為21.2μm，并能透過EFB被制造于相異的原料基座上。測試結(jié)果也說明EFB技術(shù)可以被應(yīng)用于相異的原料裝置的超高密度整合。本研究為第一個提出也附生細薄膜LED可以直接的連結(jié)于DLC細薄膜成形于硅基座上。附生細薄膜LED數(shù)組 鏈接于DLC細薄膜的測試顯示，不同的鏈接特性有小的以及更好的LED特性可以被建構(gòu)。EFB技術(shù)將提供新的高密度被整合裝置生產(chǎn)的改格且于系統(tǒng)中包含有相異的材料，并被期望于為來有更新的電子組件。
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