從LED基本特性入手開展低成本高亮LED測(cè)試

高亮發(fā)光二極管（High brightness light emitting diodes，HBLED）綜合具備了高輸出、高效率和長壽命等優(yōu)勢(shì)。制造商們正在開發(fā)可以實(shí)現(xiàn)光通量更高、壽命更長、色彩更豐富而且單位功率發(fā)光度更高的器件。要確保其性能和可靠性，就必須在生產(chǎn)的每個(gè)階段實(shí)施精確的、成本經(jīng)濟(jì)的測(cè)試。

圖1示出了典型的二極管的電I－V特性曲線。雖然一個(gè)完整的測(cè)試程序可以包括數(shù)百個(gè)點(diǎn)，但對(duì)一個(gè)有限的樣本的探查一般就足以提供優(yōu)值。許多HBLED測(cè)試需要以一個(gè)已知的電流信號(hào)源驅(qū)動(dòng)器件并相應(yīng)測(cè)量其電壓，或者反過來。同時(shí)具備了可同步動(dòng)作的信號(hào)源和測(cè)量功能可以加速系統(tǒng)的設(shè)置并提升吞吐率。測(cè)試可以在管芯層次（圓片和封裝）或者模塊/子組件水平上進(jìn)行。在模塊/子組件水平上，HBLED可以采取串聯(lián)和/或并聯(lián)方式；于是一般需要使用更高的電流，有時(shí)達(dá)50A或者更高，具體則取決于實(shí)際應(yīng)用。有些管芯級(jí)的測(cè)試所用的電流在5～10A的范圍內(nèi)，具體取決于管芯的尺寸。

圖1. 典型的HBLED DC I－V曲線和測(cè)試點(diǎn)