LED芯片的技術(shù)發(fā)展?fàn)顩r

對(duì)于標(biāo)準(zhǔn)管芯（200-350μm2），日本日亞公司報(bào)道的最高研究水平，紫光（400 nm）22 mW，其外量子效率為35.5%，藍(lán)光(460 nm) 18.8 mW，其外量子效率為34.9%。美國(guó)Cree公司可以提供功率大于15 mW 的藍(lán)色發(fā)光芯片(455～475 nm)和最大功率為21 mW的紫光發(fā)光芯片（395～410 nm），8 mW 綠光（505～525 nm）發(fā)光芯片。臺(tái)灣現(xiàn)在可以向市場(chǎng)提供6 mW左右的藍(lán)光和4 mW左右的紫光芯片，其實(shí)驗(yàn)室水平可以達(dá)到藍(lán)光10 mW和紫光7～8 mW的水平。國(guó)內(nèi)的公司可以向市場(chǎng)提供3～4mW的藍(lán)光芯片，研究單位的水平為藍(lán)光6 mW左右，綠光1～2 mW，紫光1～2 mW。

隨著外延生長(zhǎng)技術(shù)和多量子阱結(jié)構(gòu)的發(fā)展，超高亮度發(fā)光二極管的內(nèi)量子效率己有了非常大的改善，如波長(zhǎng)625 nm AlGaInP基超高亮度發(fā)光二極管的內(nèi)量子效率可達(dá)到100%，已接近極限。AlGaInN基材料內(nèi)存在的晶格和熱失配所致的缺陷、應(yīng)力和電場(chǎng)等使得AlGaInN基超高亮度發(fā)光二極管的內(nèi)量子效率比較低，但也在35～50%之間，半導(dǎo)體材料本身的光電轉(zhuǎn)換效率己遠(yuǎn)高過其它發(fā)光光源，因此提高芯片的外量子效率是提高發(fā)光效率的關(guān)鍵。