L型電極的大功率LED芯片的封裝

美國(guó)GREE公司的1W大功率芯片（L型電極），它的上下各有一個(gè)電極。其碳化硅（SiC）襯底的底層首先鍍一層金屬，如金錫合金（一般做芯片的廠家已鍍好），然后在熱沉上也同樣鍍一層金錫合金。將LED芯片底座上的金屬和熱沉上的金屬熔合在一起，稱為共晶焊接，如圖1所示。

圖1 共晶焊接

對(duì)于這種封裝方式，一定要注意當(dāng)led芯片與熱沉一起加熱時(shí)，二者接觸要好，最好二者之間加有一定壓力，而且二者接觸面一定要受力均勻，兩面平衡?？刂坪媒鸷湾a的比例，這樣焊接效果才好。這種方法做出來的LED的熱阻較小、散熱較好、光效較高。

這種封裝方式是上、下兩面輸入電流。如果與熱沉相連的一極是與熱沉直接導(dǎo)電的，則熱沉也成為一個(gè)電極。因此連接熱沉與散熱片時(shí)要注意絕緣，而且需要使用導(dǎo)熱膠把熱沉與散熱片粘連好。使用這種LED要測(cè)試熱沉是否與其接觸的一極是零電阻，若為零電阻則是相通的，故與熱沉相連加裝散熱片時(shí)要注意與散熱片絕緣。

共晶點(diǎn)

加熱溫度也稱為共晶點(diǎn)。溫度的多少要根據(jù)金和錫的比例來定：

·AuSn（金80%，錫20%）：共晶點(diǎn)為282℃，加熱時(shí)間控制在幾秒鐘之內(nèi)。

·AuSn（金10%，錫90%）：共晶點(diǎn)為217℃，加熱時(shí)間控制在幾秒鐘之內(nèi)。

·AgSn（銀3.5%，錫96.5%）：共晶點(diǎn)為232℃，加熱時(shí)間控制在幾秒鐘之內(nèi)。