垂直結(jié)構(gòu)LED技術(shù)面面觀
我們知道,LED芯片有兩種基本結(jié)構(gòu),橫向結(jié)構(gòu)(Lateral)和垂直結(jié)構(gòu)(Vertical)。橫向結(jié)構(gòu)LED芯片的兩個電極在LED芯片的同一側(cè),電流在n-和p-類型限制層中橫向流動不等的距離。垂直結(jié)構(gòu)的LED芯片的兩個電極分別在LED外延層的兩側(cè),由于圖形化電極和全部的p-類型限制層作為第二電極,使得電流幾乎全部垂直流過LED外延層,極少橫向流動的電流,可以改善平面結(jié)構(gòu)的電流分布問題,提高發(fā)光效率,也可以解決P極的遮光問題,提升LED的發(fā)光面積。
我們先來了解下垂直結(jié)構(gòu)LED的制造技術(shù)與基本方法:
制造垂直結(jié)構(gòu)LED芯片技術(shù)主要有三種方法:
一、采用碳化硅基板生長GaN薄膜,優(yōu)點是在相同操作電流條件下,光衰少、壽命長,不足處是硅基板會吸光。
二、利用芯片黏合及剝離技術(shù)制造。優(yōu)點是光衰少、壽命長,不足處是須對LED表面進(jìn)行處理以提高發(fā)光效率。
三、是采用異質(zhì)基板如硅基板成長氮化鎵LED磊晶層,優(yōu)點是散熱好、易加工。
制造垂直結(jié)構(gòu)LED芯片有兩種基本方法:剝離生長襯底和不剝離生長襯底 。其中生長在砷化鎵生長襯底上的垂直結(jié)構(gòu)GaP基LED芯片有兩種結(jié)構(gòu):
不剝離導(dǎo)電砷化鎵生長襯底:在導(dǎo)電砷化鎵生長襯底上層迭導(dǎo)電DBR反射層,生長 GaP 基LED外延層在導(dǎo)電DBR反射層上。
剝離砷化鎵生長襯底:層迭反射層在GaP基LED外延層上,鍵合導(dǎo)電支持襯底,剝離砷化鎵襯底。導(dǎo)電支持襯底包括,砷化鎵襯底,磷化鎵襯底,硅襯底,金屬及合金等。
另外,生長在硅片上的垂直GaN基LED也有兩種結(jié)構(gòu):
不剝離硅生長襯底:在導(dǎo)電硅生長襯底上層迭金屬反射層或?qū)щ奃BR反射層,生長氮化鎵基LED外延層在金屬反射層或?qū)щ奃BR反射層上。
剝離硅生長襯底:層迭金屬反射層在氮化鎵基LED外延層上,在金屬反射層上鍵合導(dǎo)電支持襯底,剝離硅生長襯底。
再簡單說明制造垂直氮化鎵基 LED 工藝流程:層迭反射層在氮化鎵基 LED 外延層上,在反射層上鍵合導(dǎo)電支持襯底,剝離藍(lán)寶石生長襯底。導(dǎo)電支持襯底包括,金屬及合金襯底,硅襯底等。
無論是GaP基LED、GaN基LED,還是ZnO基LED這一類通孔垂直結(jié)構(gòu)LED,相比傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)LED有著較大的優(yōu)勢,具體表現(xiàn)在:
1、目前,現(xiàn)有的所有顏色的垂直結(jié)構(gòu)LED:紅光LED、綠光LED、藍(lán)光LED及紫外光LED,都可以制成通孔垂直結(jié)構(gòu)LED有極大的應(yīng)用市場。
2、所有的制造工藝都是在芯片( wafer )水平進(jìn)行的。
3、由于無需打金線與外界電源相聯(lián)結(jié),采用通孔垂直結(jié)構(gòu)的 LED 芯片的封裝的厚度降低。因此,可以用于制造超薄型的器件,如背光源等。
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