led燈具檢測方法關(guān)鍵缺陷及改善策略

　　傳統(tǒng)的 LED 及其模塊光、色、電參數(shù)檢測方法有電脈沖驅(qū)動(dòng)，CCD 快速光譜測量法，也有在一定的條件下，熱平衡后的測量法，但這些方法的測量條件和結(jié)果與LED 進(jìn)入照明器具內(nèi)的實(shí)際工作情況都相差甚遠(yuǎn)。文章介紹了通過Vf—TJ 曲線的標(biāo)出并控制LED 在控定的結(jié)溫下測量其光、色、電參數(shù)不僅對(duì)采用LED的照明器具的如何保證LED 工作結(jié)溫提供了目標(biāo)限位，同時(shí)也使LED 及其模塊的光、色、電參數(shù)的測量參數(shù)更接近于實(shí)際的應(yīng)用條件。文章還介紹了采用LED的照明器具如測量LED 的結(jié)溫并確定LED 參考點(diǎn)的限值溫度與結(jié)溫的函數(shù)關(guān)系。這對(duì)快速評(píng)估采用LED 的照明器具的工作狀態(tài)和使用壽命提供了一個(gè)有效的途徑。

　　一、 序言

　　對(duì)于一個(gè)新興的產(chǎn)品，其產(chǎn)品自身的發(fā)展總是先于產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)和檢測方法。雖然產(chǎn)品的標(biāo)準(zhǔn)和檢測方法不可能先于產(chǎn)品的研發(fā)，但是，產(chǎn)品的標(biāo)準(zhǔn)和檢測方法應(yīng)盡可能地緊跟產(chǎn)品設(shè)計(jì)開發(fā)的進(jìn)度，因?yàn)楫a(chǎn)品的標(biāo)準(zhǔn)和檢測方法的制定過程本身就是對(duì)產(chǎn)品研發(fā)過程的回顧研討和小結(jié)，只要條件基本成熟，產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)和檢測方法的制訂越及時(shí)，就越能減少產(chǎn)品研發(fā)過程的盲目性。LED 照明產(chǎn)業(yè)發(fā)展到現(xiàn)在，我們對(duì)LED 照明產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)和檢測方法的回顧、小結(jié)的時(shí)候已經(jīng)基本到來。

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　　二、 LED 模塊的光電參數(shù)和檢測方法的現(xiàn)狀和改進(jìn)方法

　　1、傳統(tǒng)的LED 模塊的檢測方法

　　目前傳統(tǒng)的 LED 模塊的檢測方法主要有兩種，第一種是采用脈沖測量的方法，它是把照明LED 模塊固定在測量裝置上（例如積分球的測量位置等），采用脈沖恒流電源與瞬時(shí)測量光譜儀的同步聯(lián)動(dòng)，即對(duì)LED 發(fā)出數(shù)十毫秒～數(shù)佰毫秒恒流的脈沖電流的同時(shí)，同步打開瞬時(shí)測量光譜儀器的快門，對(duì)LED 發(fā)出的光參數(shù)（光通量、光色參數(shù)等）進(jìn)行快速檢測，同時(shí)，也同步采集LED 的正向壓降和功率等參數(shù)。由于這種方式在檢測過程中，LED 的結(jié)溫幾乎等同于室溫，所以，測量結(jié)果的光效高，光色和電參數(shù)與實(shí)際使用情況有明顯差異，這一般都是LED 芯片（器件）生產(chǎn)商采用的快速檢測方法，而與LED 實(shí)際應(yīng)用在最終照明器具中的狀態(tài)不具有可參比性。

　　第二種檢測方法是把LED模塊安裝在檢測裝置上后，可能帶上一固定的散熱器（也可能具有基座控溫功能），給LED施加其聲稱的工作電流，受傳統(tǒng)的照明光源檢測方法的影響，也是等到LED達(dá)到熱平衡后再開始測量它的光電參數(shù)。這種方法看似比較嚴(yán)密，但實(shí)際上，它的熱平衡條件和工作條件與此類LED裝入最終的照明器具中的狀態(tài)仍沒有好的關(guān)聯(lián)性，因此所測的光電參數(shù)與今后實(shí)際的應(yīng)用狀態(tài)的參數(shù)仍不具有可參比性。已經(jīng)頒布的GB/T24824—2009/CIE 127-2007NEQ《普通照明用LED模塊的基本性能的測量方法》標(biāo)準(zhǔn)中，在這方面是這樣規(guī)定的：“試驗(yàn)或測量時(shí)LED模塊應(yīng)工作在熱平衡狀態(tài)下，在監(jiān)視環(huán)境溫度的同時(shí)，最好能監(jiān)視LED模塊自身的工作溫度，以保證試驗(yàn)的可復(fù)現(xiàn)性。如可能監(jiān)測LED模塊結(jié)電壓，則應(yīng)首選監(jiān)測結(jié)電壓。否則，應(yīng)監(jiān)測LED模塊指定溫度測量點(diǎn)的溫度”?？梢娫诒O(jiān)測結(jié)電壓的條件下來測量LED 模塊的光電參數(shù)是保證檢測重現(xiàn)性的首選方案，但是，標(biāo)準(zhǔn)中沒有指明在模擬實(shí)際使用結(jié)溫條件下檢測LED 模塊的光、色、電參數(shù)。

　　2、LED 模塊測量方法的改進(jìn)

　　眾所周知，LED 的光、電參數(shù)特性與它的工作時(shí)的結(jié)溫密切相關(guān)，同一個(gè)LED 產(chǎn)品，結(jié)溫的不會(huì)造成這些參數(shù)的明顯不同，這也造成了同一個(gè)LED 光、色、電參數(shù)測量結(jié)果的明顯不一致性，所以測量LED 的光電參數(shù)首先應(yīng)考慮在設(shè)定的工作結(jié)溫的條件下來進(jìn)行。另外，LED 因?yàn)榉庋b的工藝、材料等差異，其聲稱的最高工作結(jié)溫是明顯不同的，為了保證LED 照明產(chǎn)品具有高效、長壽的特點(diǎn)，LED 實(shí)際的工作結(jié)溫應(yīng)明顯低于最高工作結(jié)溫。例如，目前我們大量采用的LED 封裝方法和技術(shù)，在LED 的發(fā)光面前，都具有高分子硅膠加熒光粉的覆蓋層。實(shí)踐證明，要使此類LED 照明器具，到70%的光通維持率的時(shí)間要≥6 萬小時(shí)，其工作結(jié)溫必須保持在70℃～75℃以下。從提高光效和使用壽命的角度來講，LED 的工作結(jié)溫能保持在60℃以下更好，但從照明器具的造型、體積、性價(jià)比來講，則應(yīng)該控制在能達(dá)到預(yù)期的光效和使用壽命的基礎(chǔ)上把LED的最高工作結(jié)溫控制在70℃～75℃最為合適。為了使LED 及其模塊的光、色、電參數(shù)的檢測也盡可能接近于實(shí)際應(yīng)用的結(jié)溫狀態(tài)，就必須解決如何測量LED的結(jié)溫并能在這一結(jié)溫下進(jìn)行光、色、電參數(shù)的檢測問題。

　?。?）目前LED 的結(jié)溫測量方法大概有

　　1）通過測量管腳溫度和芯片耗散功率和熱阻系數(shù)求得結(jié)溫。但是因?yàn)楹纳⒐β屎蜔嶙柘禂?shù)的不準(zhǔn)確，所以測量精度比較低。

　　2）紅外熱成像法，利用紅外非接觸溫度儀直接測量LED 芯片的溫度，但要求被測器件處于未封裝的狀態(tài)，另外對(duì)LED 封裝材料折射率有特殊要求，否則無法準(zhǔn)確測量，測量精度比較低。

　　3）利用發(fā)光光譜峰位移測定結(jié)溫，也是一種非接觸的測量方法，直接從發(fā)光光譜確定禁帶寬度移動(dòng)技術(shù)來測量結(jié)溫，這一方法對(duì)光譜測試儀器分辨精度要求較高，發(fā)光峰位的精度測定難度較大，而光譜峰位移1 納米的誤差變化就對(duì)應(yīng)著測量結(jié)溫約30 度的變化，所以測量精度和重復(fù)性都比較低。

　　4）向列型液晶熱成像技術(shù)，對(duì)儀器分辨率要求高，只能測量未封裝的單個(gè)裸芯片，不能測量封裝后的LED。

　　5）利用二極管 PN 結(jié)電壓與結(jié)溫的Vf-TJ 關(guān)系曲線，來測量LED 的結(jié)溫。

　　從上述介紹的各種 LED 結(jié)溫的測量方法可看出，采用監(jiān)視二極管PN 結(jié)電壓的變化來推算結(jié)溫的方法最具有可行性并且測量精度也最高，所以在很多集成IC 電路中，為了檢測IC 芯片的工作結(jié)溫，往往會(huì)刻出或值入1 個(gè)或幾個(gè)二極管，通過測量其正向電壓降的變化來達(dá)到測量芯片結(jié)溫的目的。

　?。?）目前國際上較先進(jìn)的Vf—TJ 測量方法

　　目前國際上先進(jìn)的 Vf—TJ 測量方法是把被測的LED 連上引出線放入在硅油缸內(nèi)，隨后加熱硅油缸使硅油的溫度達(dá)到140℃左右，隨后讓缸內(nèi)硅油自然冷卻，只要冷卻時(shí)硅油溫度下降的速度足夠慢，就可以認(rèn)為LED 的結(jié)溫與LED 的熱沉的溫度是基本一致的，在此過程中，根據(jù)所測的硅油溫度，每下降2℃～10℃時(shí)瞬時(shí)給LED 輸入規(guī)定的電流脈沖，并測量其在這一溫度下的正向電壓降，把這一測量點(diǎn)的溫度和正向電壓降導(dǎo)入到電腦軟件的數(shù)據(jù)庫，從140℃左右開始，隨溫度的下降，每下降一個(gè)設(shè)定的等分溫度測量一次熱沉溫度和正向電壓降，一直測量到25℃左右，當(dāng)完成這一組測量數(shù)據(jù)并導(dǎo)入到電腦軟件的數(shù)據(jù)庫后，由軟件產(chǎn)生一個(gè)Vf—TJ 曲線。這一方法屬于在溫度下降時(shí)測量方法，對(duì)于測量來說是可行的，但是因?yàn)樵囼?yàn)室的環(huán)境溫度是衡定的（一般為25℃），而硅油缸的油溫是從高到低下降的，這就造成當(dāng)硅油缸的油溫較高時(shí)，因?yàn)榕c試驗(yàn)室環(huán)境溫度的溫差大而使冷卻速度較快，為了保證測量的準(zhǔn)確性采用了適當(dāng)?shù)拇胧┦构栌透自跍囟容^高時(shí)溫度下降不致于太快，但當(dāng)硅油缸溫度較低時(shí)，因?yàn)榕c室溫的溫差太小而使冷卻的速度太慢，這大大延長了這一檢測過程的測量時(shí)間。因?yàn)樯鲜鲈?，這一溫度下降時(shí)的測量方法在標(biāo)定Vf—TJ 過程是不可能短的，（大約需4～5 小時(shí)），否則將產(chǎn)生明顯的測量誤差。另外，這種檢測裝置油缸是固定的，要測量第二組，時(shí)間很慢。還有上述加熱裝置是在硅油缸外面的底部，加熱與控溫以及測量的溫度都存在明顯的滯后，這也造成這一方法測量結(jié)溫的準(zhǔn)確性比較差。

　?。?）新的Vf—TJ 檢測方法

　　本機(jī)構(gòu)發(fā)明的檢測方法是采用溫度上升時(shí)的測量方法，采用電腦設(shè)定的PID（積分、微分加上加熱與不加熱時(shí)間比例控制）方法來加熱和控制硅油缸的溫度，即在硅油缸加熱的起始段，加熱時(shí)間與不加熱時(shí)間的比例是很小的，并且可調(diào)，使硅油缸溫度上升速率能保證LED 結(jié)溫、熱沉與硅油溫度的一致性，隨著硅油溫度的逐步上升，與室溫的溫差也隨之加大，此時(shí)PID 加熱和控溫系統(tǒng)會(huì)自動(dòng)加大加熱時(shí)間與不加熱時(shí)間的比例，（實(shí)際加大了單位時(shí)間內(nèi)的加熱功率）所以能保證硅油缸內(nèi)硅油的溫度上升速率始終保持在設(shè)定的速率上，不會(huì)因?yàn)楣栌蜏囟扰c環(huán)境溫度的差異不同而發(fā)生油溫上升的速率不同?？梢栽O(shè)定讓硅油衡溫在應(yīng)用溫度范圍的任一溫度值上，也可以實(shí)現(xiàn)0.1℃/分鐘～2℃/分鐘的升溫速率。

　　在每次升溫階段后，具有一個(gè)衡