關(guān)于LED芯片的散熱
圖1:光衰和結(jié)溫的關(guān)系(點(diǎn)擊圖片放大)
而且,結(jié)溫不但影響長(zhǎng)時(shí)間壽命,也還直接影響短時(shí)間的發(fā)光效率,例如Cree公司的XLamp7090XR-E的發(fā)光量和結(jié)溫的關(guān)系如圖2所示。
圖2:結(jié)溫和發(fā)光量的關(guān)系(點(diǎn)擊圖片放大)
假如以結(jié)溫為25度時(shí)的發(fā)光為100%,那么結(jié)溫上升至60度時(shí),其發(fā)光量就只有90%;結(jié)溫為100度時(shí)就下降到80%;140度就只有70%。可見改善散熱,控制結(jié)溫是十分重要的事。
除此以外LED的發(fā)熱還會(huì)使得其光譜移動(dòng);色溫升高;正向電流增大(恒壓供電時(shí));反向電流也增大;熱應(yīng)力增高;熒光粉環(huán)氧樹脂老化加速等等種種問題,所以說,LED的散熱是LED燈具的設(shè)計(jì)中最為重要的一個(gè)問題。
第一部分LED芯片的散熱
一.結(jié)溫是怎么產(chǎn)生的
LED發(fā)熱的原因是因?yàn)樗尤氲?span id="k0gqkgu" class=hrefStyle>電能并沒有全部轉(zhuǎn)化為光能,而是一部分轉(zhuǎn)化成為熱能。LED的光效目前只有100lm/W,其電光轉(zhuǎn)換效率大約只有20~30%左右。也就是說大約70%的電能都變成了熱能。
具體來說,LED結(jié)溫的產(chǎn)生是由于兩個(gè)因素所引起的。
1.內(nèi)部量子效率不高,也就是在電子和空穴復(fù)合時(shí),并不能100%都產(chǎn)生光子,通常稱為由“電流泄漏”而使PN區(qū)載流子的復(fù)合率降低。泄漏電流乘以電壓就是這部分的功率,也就是轉(zhuǎn)化為熱能,但這部分不占主要成分,因?yàn)楝F(xiàn)在內(nèi)部光子效率已經(jīng)接近90%。
2.內(nèi)部產(chǎn)生的光子無法全部射出到芯片外部而最后轉(zhuǎn)化為熱量,這部分是主要的,因?yàn)槟壳斑@種稱為外部量子效率只有30%左右,大部分都轉(zhuǎn)化為熱量了。
雖然白熾燈的光效很低,只有15lm/W左右,但是它幾乎將所有的電能都轉(zhuǎn)化為光能而輻射出去,因?yàn)榇蟛糠值妮椛淠苁羌t外線,所以光效很低,但是卻免除了散熱的問題。
二.LED芯片到底板的散熱
LED芯片的特點(diǎn)是在極小的體積內(nèi)產(chǎn)生極高的熱量。而LED本身的熱容量很小,所以必須以最快的速度把這些熱量傳導(dǎo)出去,否則就會(huì)產(chǎn)生很高的結(jié)溫。為了盡可能地把熱量引出到芯片外面,人們?cè)贚ED的芯片結(jié)構(gòu)上進(jìn)行了很多改進(jìn)。
為了改善LED芯片本身的散熱,其最主要的改進(jìn)就是采用導(dǎo)熱更好的襯底材料。早期的LED只是采用Si硅作為襯底。后來就改為藍(lán)寶石作為襯底。但是藍(lán)寶石襯底的導(dǎo)熱性能不是太好,(在100°C時(shí)約為25W/(m-K)),為了改善襯底的散熱,Cree公司采用碳化硅硅襯底,它的導(dǎo)熱性能(490W/(m-K))要比藍(lán)寶石高將近20倍。而且藍(lán)寶石要使用銀膠固晶,而銀膠的導(dǎo)熱也很差。而碳化硅的唯一缺點(diǎn)是成本比較貴。目前只有Cree公司生產(chǎn)以碳化硅為襯底的LED。
圖3:藍(lán)寶石和碳化硅襯底的LED結(jié)構(gòu)圖
采用碳化硅作為基底以后,的確可以大為改善其散熱,但是其成本過高,而且有專利保護(hù)。最近國(guó)內(nèi)的廠商開始采用硅材料作為基底。因?yàn)楣璨牧系幕撞皇軐@南拗?。而且性能還優(yōu)于藍(lán)寶石。唯一的問題是GaN的膨脹系數(shù)和硅相差太大而容易發(fā)生龜裂,解決的方法是在中間加一層氮化鋁(AlN)作緩沖。
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LED芯片封裝以后,從芯片到管腳的熱阻就是在應(yīng)用時(shí)最重要的一個(gè)熱阻,一般來說,芯片的接面面積的大小是散熱的關(guān)鍵,對(duì)于不同的額定功率,要求有相應(yīng)大小的接面面積。也就表現(xiàn)為不同的熱阻。幾種類型的LED的熱阻如下所示:
早期的LED芯片主要靠?jī)筛饘匐姌O而引出到芯片外部,最典型的就是稱為ф5或F5的草帽管,它的散熱完全靠?jī)筛?xì)細(xì)的金屬導(dǎo)線引出去,所以散熱效果很差,熱阻很大,這也就是為什么這種草帽管的光衰很嚴(yán)重的原因。此外,封裝時(shí)采用的材料也是一個(gè)很重要的問題。小功率LED通常采用環(huán)氧樹脂作為封裝材料,但是環(huán)氧樹脂對(duì)400-459nm的光線吸收率高達(dá)45%,很容易由于長(zhǎng)期吸收這種短波長(zhǎng)光線以后產(chǎn)生的老化而使光衰嚴(yán)重,50%光衰的壽命不到1萬小時(shí)。因而在大功率LED中必須采用硅膠作為封裝材料。硅膠對(duì)同樣波長(zhǎng)光線的吸收率不到1%。從而可以把同樣光衰的壽命延長(zhǎng)到4萬小時(shí)。
下面列出各家LED芯片公司所生產(chǎn)的各種型號(hào)LED的熱阻
由表中可見,Cree公司的LED的熱阻因?yàn)椴捎昧颂蓟枳骰祝绕渌镜臒嶙柚辽俚鸵槐?。大功率LED為了改進(jìn)散熱通常在基底下面再放一塊可焊接的銅底板以便焊到散熱器上去。這些熱阻實(shí)際上都是在這個(gè)銅底板上測(cè)得的。
是不是碳化硅就是LED襯底的最佳選擇呢,不是這樣,任何事物都會(huì)有創(chuàng)新和發(fā)展的,最近臺(tái)灣的鉆石科技開發(fā)出了鉆石島外延片(DiamondIslandsWafer,DIW)做為生產(chǎn)超級(jí)LED的基材。這種LED的熱阻可以低至5°C/W。用它制成的超級(jí)LED可發(fā)出極強(qiáng)的紫外光,其強(qiáng)度不因高溫而降低,反而會(huì)更亮。其結(jié)構(gòu)圖如圖4所示。
圖4:采用類鉆碳(DiamondLikeCarbon,DLC)的鍍膜可以大大改善LED的散熱
圖5:用DLC鍍膜和鋁結(jié)合可以比其它結(jié)構(gòu)的LED有更好的散熱特性
而且采用紫外線來激發(fā)各種熒光粉也可以得到所需要的各種顏色的LED。而且熒光粉不是采用和環(huán)氧樹脂或硅膠混合的方法而是直接涂于芯片表面還可以避免由于環(huán)氧樹脂和硅膠的老化而產(chǎn)生的光衰。
這將會(huì)使整個(gè)LED產(chǎn)生革命性變化。而且擺脫了日美等國(guó)的專利束縛。
評(píng)論