新聞中心

EEPW首頁 > 光電顯示 > 設(shè)計應(yīng)用 > 小型熒光燈用400V功率MOSFETSTS1DNC40/STQ1NC40

小型熒光燈用400V功率MOSFETSTS1DNC40/STQ1NC40

作者: 時間:2006-05-07 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

1 主要特點

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/225746.htm

隨著全球節(jié)能技術(shù)的提高,小型熒光燈市場的發(fā)展非常迅猛。在眾多的低成本解決方案中,用戶通常選用簡單的自振蕩電路,而這些電路一般都采用STBV或BUL系列等功率雙極型器件。

在采用如L6569型驅(qū)動器的應(yīng)用,選用MOSFET是一個十分有效的解決方案。為此,ST公司專門推出了用于小型熒光燈的400V功率MOSFET STS1DNC40和STQ1NC40,這兩種器件與傳統(tǒng)器件相比,具有高效、低成本的優(yōu)點,同時不影響產(chǎn)品的性能或使用壽命。另外,由于NC系列硅效率的提高和NC系列(PwerMESH)上RDS(on)*面積的減小,這兩款器件的功耗也有明顯的降低。

STS1DN40和STQ1NC40是全新的小型熒光燈400V功率MOSFET。其中STS1DN40采用表面安裝雙島版SO-8封裝,而STQ1NC40則采用TO-92封裝。這兩種器件集NC系列400V器件的性能和小型裝所特有的靈活性于一身,因而具有成本低、可節(jié)省電路板空間(采用STS1DNC40可節(jié)省一個封裝)以及可鉗位尺寸等特點。

2 主要電氣參數(shù)

STS1DNC40的典型RDS(on)為4.7Ω,可采用低門限門極驅(qū)動,由于采用SO-98的標(biāo)準(zhǔn)外形封裝,因此十分方便于自動化表面安裝。而STQ1NC40的典型RDS(on)也為4.7Ω,并具有極高的db/dt能力,可進行100%的雪崩測試。它采用新高壓基準(zhǔn),并采用門極電荷 最小化的TO-92封裝形式。STS1DNC40和STQ1NC40的主要電氣參數(shù)如表1所列。

表1 STS1DNC40和STQ1NC40的主要電氣參數(shù)

P/N 電源(V) 封裝 RDS(ON)(Ω)最大值 BVDSS(V) 總功耗Tc=25℃
STS1DNC40 220 SO-8 5.5 400 2W
STQ1NC40 220 TO-92 5.5 400 3.5W

表2 220V小型熒光燈用標(biāo)準(zhǔn)功率MOSFET的主要參數(shù)

P/N 電源(V) 封裝 RDS(ON)(Ω)最大值 BVDSS(V) 典型CFL功率范圍(W) 技術(shù)
STD1NB50/-1 220 DPAK/IPAK 9 500 7-23 PowerMESHI
STD2NB50/-1 220 DPAK/IPAK 6 500 7-23 PowerMESHI
STD3NB50/-1 220 DPAK/IPAK 2.7 500 7-23 PowerMESHII
STD4NB50/-1 220 DPAK/INAK 1.5 500 7-23 PowerMESHII
STD2NB50/-1 220 DPAK/IPAK 5.5 400 7-23 PowerMESHII

3 應(yīng)用電路

圖1是采用STQ1NC40設(shè)計的小型熒光燈電路原理圖,可以看出,采用這種新型元器件設(shè)計的電路可極大的提高電路的靈活性和降低電路成本。表2給出了ST公司其它的220V小型熒光燈用功率MOSFET的主要參數(shù)。



評論


相關(guān)推薦

技術(shù)專區(qū)

關(guān)閉