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基于CPLD控制的直流固態(tài)功率控制器的設(shè)計

作者: 時間:2007-04-16 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

SSPC(固態(tài)功率控制器)是由半導(dǎo)體器件構(gòu)成的智能裝置,用于接通/斷開電路,實現(xiàn)電路保護和上級計算機的控制信號并向上位機實時反饋其狀態(tài)信息。由于控制邏輯完全由CPLD內(nèi)部的硬件電路完成,因此與功率器件一起工作時,具有很好的兼容性和抗干擾能力。研制多的SSPC組共享大規(guī)模控制芯片,具有相當大的工程實用價值,尤其適用于空間有限的場合,如飛機上。

本文充分利用CPLD的特點,設(shè)計了具有集成度高、速度快、抗干擾能力強和可靠性高等優(yōu)點的28V直流SSPC。在一塊電路板上集成多個SSPC,各個功率問相互獨立工作,進一步提高了功率密度。

1 功能定義

28V直流SSPC應(yīng)該具有以下功能:

(1) 上位機的控制信號。該控制信號能夠兼容TTL/CMOS電平,且高電平表示導(dǎo)通,低電平表示關(guān)斷;

(2) 根據(jù)流過的SSPC的邏輯分析出自身的狀態(tài),并根據(jù)表1中的代碼表示上傳給上位機;

(3) SSPC能夠?qū)崟r診斷自身故障,并根據(jù)故障的嚴重程度不同,采取不同的保護措施。

2 總體方案設(shè)計

28V直流SSPC組的結(jié)構(gòu)如圖1所示。

每路SSPC的取樣電阻上的電壓經(jīng)過調(diào)理電路和低通濾波以后,送到4通道的A/D轉(zhuǎn)換器的模擬輸入端,A/D轉(zhuǎn)換器的數(shù)據(jù)輸出端、狀態(tài)信號和控制信號分別接到CPLD的I/O引腳,便于程序控制A/D轉(zhuǎn)換器的動作。CPLD另外的I/O口可以配置為MOSFET的動作命令輸出口線、SSPC的狀態(tài)輸出口線和與上位機相連的控制命令輸入口線;CPLD自身提供的JTAG BST電路,可以方便地測試系統(tǒng)內(nèi)部測試器件之間的連接和檢驗器件的操作。

由CPLD組成的邏輯判斷電路的主要功能有:

(1) 將A/D轉(zhuǎn)換得到的數(shù)據(jù)通過邏輯判斷,綜合出SSPC的工作狀態(tài)并向上位機輸出;

(2) 上位機的控制命令,結(jié)合自身的工作狀態(tài),綜合得出SSPC的通斷信號,控制MOSFET的開通和關(guān)斷。

3 硬件設(shè)計

(1) 關(guān)鍵器件選型

電力MOSFET選用IR公司的IRF540N,它的漏-源最大耐壓為IOOV,導(dǎo)通阻抗44mΩ,允許通過的最大33A。其最大優(yōu)點為納秒級的開通和關(guān)斷時間,能夠完全滿足設(shè)計需要。

邏輯控制芯片采用ALTERA公司的flex6000系列。該系列采用的OptiFLEX結(jié)構(gòu)增加了器件的有效面積,可用門的數(shù)目達8 000~24 000門,觸發(fā)器豐富且基于LUT(查找表)結(jié)構(gòu),能夠滿足系統(tǒng)處理數(shù)據(jù)的需要。其待機狀態(tài)的小于1mA的低功耗模式,具有強功能的I/O引腳和靈活的內(nèi)部連接等優(yōu)點,從而使其成為設(shè)計首選。

(2) 硬件電路的組成

①電力MOSFET驅(qū)動和保護電路[3]:采用專門的驅(qū)動芯片TC4427,12V供電,如圖2所示。為了抑制電壓和電流的瞬變,MOSFET保護電路采用RCD吸收電路,用以減小器件的開關(guān)損耗。

②取樣電路:利用取樣電阻(一般選用康銅絲),將流過負載的電流信號轉(zhuǎn)化成可測的電壓信號,經(jīng)過隔離放大器、整流電路、濾波電路、采樣保持器和A/D轉(zhuǎn)換電路,將數(shù)字信號傳送到CPLD進行邏輯分析。

③信號采集和調(diào)理電路:通過隔離放大器,將取樣電阻的電壓調(diào)節(jié)到A/D轉(zhuǎn)換器的允許范圍內(nèi),經(jīng)過R-C低通濾波器濾除噪聲信號后,送到A/D轉(zhuǎn)換器的輸入端。

④A/D轉(zhuǎn)換電路:采用12位的四通道A/D轉(zhuǎn)換器AD7864,與CPLD的接口主要有:a.數(shù)據(jù)輸出線:與CPLD的I/O口相連;b.控制線:轉(zhuǎn)換啟動信號(CONVST)、片選信號(CS)、通道選擇信號(H/S SEL和SL1~SL4)以及讀寫控制信號(RD/WR)等;c.狀態(tài)線:BUSY信號和轉(zhuǎn)換結(jié)束標志(EOC)等。

⑤隔離電路:CPLD為3V I/O供電和2.5V內(nèi)核供電,因此采集的SSPC狀態(tài)信號和接收的電力MOSFET控制信號都需要經(jīng)過電平轉(zhuǎn)換及電氣隔離,但實際上要采用光耦隔離的方式進行。因為MOSFET的控制信號需要較大的驅(qū)動電流,如果直接從CPLD輸出來驅(qū)動,會因CPLD電流太小而無法驅(qū)動,所以實際中采用六通道反相器74LF04來做光耦前一級的驅(qū)動;接收上位機輸出的控制信號是從光耦輸出來的,其電流一般不大(Ie5mA),所以可以直接接在CPLD的I/O口上。

4 軟件功能設(shè)計

(1) 控制AD7864的動作,從數(shù)據(jù)口讀出轉(zhuǎn)換的結(jié)果。

運用狀態(tài)機的設(shè)計方法,AD7864的動作可大致分為3個步驟區(qū)間,每個步驟對應(yīng)一個狀態(tài),每個狀態(tài)賦予CPLD特定的功能。

①在步驟S0(CS=1、WR=1、RD=1)時,A/D轉(zhuǎn)換之中;

②在步驟S1(CS=0、WR=1、RD=1)時,監(jiān)控EOC信號是否由高電平變?yōu)榈碗娖剑?BR>A/D轉(zhuǎn)換是否結(jié)束;

③在步驟S2(CS=0、WR=1、RD=0)時,從DB0~DB11讀取轉(zhuǎn)換的結(jié)果。

軟件流程如圖3所示。

(2) 對采集的數(shù)據(jù)進行分析。

數(shù)據(jù)分析流程如圖4所示。

①當電流在額定范圍內(nèi)時,SSPC正常工作;

②當電流大于額定電流,而小于額定電流的800%時,SSPC進入反時限保護;

③當電流大于額定電流的800%時,SSPC立刻跳閘。

下面介紹SSPC的反時限保護階段的算法推導(dǎo)。

反時限保護曲線的通用表達式為:

式中:t為以秒為單位的動作時間;k為時間系數(shù)(整定值);I為測量的電流;Iopr為電流動作定值。反時限保護曲線的陡度,由α、β共同決定。

將上式化為kβ=「(I/Iopr)α-1」t,

離散模型為:

采樣周期△t=20/N(ms)為常數(shù)(N為每周期內(nèi)采樣點數(shù)),M為使等式成立時累加的采樣周期數(shù);當電流I大于反時限啟動電流Iopr時,即I/Iopr大于1時,在每個采樣周期中斷中將此周期的「(I/Iopr)α-1 」累加,當累加值大于kβ/△t時,反時限累計延時到,保護跳閘。

用VHDL語言實現(xiàn)的反時限保護算法流程如圖5所示。

(3) SSPC將內(nèi)部采集到的電流信號、接收到的控制命令和內(nèi)部狀態(tài)(包括系統(tǒng)啟動的狀態(tài)、電流在不同的范圍內(nèi)變化、跳閘的條件和從跳閘恢復(fù)到正常的條件以及故障切除和未切除時的系統(tǒng)啟動等)經(jīng)過邏輯判斷后,綜合出MOSFET的導(dǎo)通/關(guān)斷指令,作為驅(qū)動電路的輸入信號。

軟件流程如圖6所示。

5 試驗結(jié)果

該仿真是在ALTERA系列CPLD的開發(fā)環(huán)境MAX+PLUS II上進行的。當在不同的電流值下采集到的四路SSPC負載電流為不同值時,SSPC的工作情況也不一樣。

(1) 當I/Iopr8時,SSPC立即跳閘。

(2) 當I/Iopr為1.2(SSPC_1)、2(SSPC_2)、由1.2增加到2(SSPC_3)和5(SSPC_4)時,SSPC的跳閘時間分別為402ms、161ms、223ms和26ms。

各個臨界點的實驗所得數(shù)據(jù)經(jīng)過曲線擬和,得到如圖7所示結(jié)果。

試驗結(jié)果表明,利用CPLD進行SSPC的開發(fā)設(shè)計,其延遲時間完全可以通過編程控制,且各路SSPC之間干擾較少。

CPLD內(nèi)部的硬件結(jié)構(gòu)決定了系統(tǒng)良好的抗干擾性和高可靠性,非常適合于電力系統(tǒng)方面的控制。因此,采用CPLD應(yīng)是一個研究方向。

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