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D類功放控制IC芯片LX1710/LX1711

作者: 時(shí)間:2006-05-07 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

摘要:LX1710/LX1711是Microsemi公司生產(chǎn)的一款數(shù)字功放控制器,它與外接功率型開(kāi)關(guān)管配合可構(gòu)成完整的數(shù)字功放,是中功率數(shù)字功放中具有Hi-Fi特性的控制芯片。文中介紹了它的要電氣特性和外接電路,給出了它與仙童公司的MOSFET FDS4953及FDS6612A組成的數(shù)字功放評(píng)估板的應(yīng)用電路和實(shí)際指標(biāo)。

本文引用地址:http://www.butianyuan.cn/article/226445.htm

關(guān)鍵詞:中功率D類功放 數(shù)字功放控制IC LX1710 LX1711 FDS4953 FDS6612A

1 概述

D類數(shù)字功放是近年來(lái)在電腦多媒體領(lǐng)域中出現(xiàn)的新芯片,隨著這類技術(shù)的成熟,它已開(kāi)始向傳統(tǒng)音響領(lǐng)域擴(kuò)張。數(shù)字功放簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)就如同開(kāi)關(guān)電源一樣,用開(kāi)關(guān)信號(hào)來(lái)控制音頻放大的輸出。在數(shù)字功率中首先將模擬音頻信號(hào)或數(shù)字音頻信號(hào)變換成PWM脈寬調(diào)制編碼音頻信號(hào),并由PWM碼控制驅(qū)動(dòng)器去控制大功率開(kāi)關(guān)晶體管的開(kāi)關(guān)。然后用輸出的大功率PWM信號(hào)經(jīng)LPF低能濾波器濾波后得到的模擬音頻信號(hào)去推動(dòng)喇叭負(fù)載。

將PWM調(diào)制和控制部分與功率元件集成在一片上的All-IN-ONE芯片只能適合較小功率的放大器。而如果將控制部分單獨(dú)集成,就相當(dāng)于使用了中大功率放大,因此不必加裝散熱板,這使得整機(jī)的設(shè)計(jì)更加方便。對(duì)于200W以上的大功率數(shù)字功放來(lái)說(shuō),這種結(jié)構(gòu)縮小體積的效果十分明明。因此,越來(lái)越多的幾瓦至幾十瓦的數(shù)字功放也開(kāi)始運(yùn)用獨(dú)立控制部分方案。這一方案的另一大優(yōu)點(diǎn)是其后接的大功率MOSFET選擇范圍很大,有利于提高音頻質(zhì)量和控制成本,因而適宜于不同檔次的Hi-Fi設(shè)備。LX1710/LX1711就是少數(shù)具有Hi-Fi特性的數(shù)字功放控制芯片之一。

2 LX1710/LX1711的主要電氣特性

LX1710/LX1711采用28腳扁平封裝,其主要參數(shù)特性如表1所列。它們的差別是前者的最高耐壓力25V,而后者為30V,另外,最大功率和其它相應(yīng)的電流參數(shù)也有所不。但其使用卻完全相同,并可直接代換。

表1 LX1710/LX1711主要電氣特性

項(xiàng) 目 引腳號(hào) 條 件

參 數(shù) 值

單 位
最小 標(biāo)準(zhǔn) 最大
電源電壓 VDD LM1710 7 - 15 V
LM1711 7 - 25
空載電流 IQ - - 40 60 mA
輸出 LM1710 Pout VDD=15V,RL=4Ω,THD+N1%,f=1022kHz - 25 - W
LM1711 VDD=25V,RL=4Ω,THD+N=1%,f=10~22kHz - 54 - W
效率   VDD=15V,Pout=20W,f=1kHz - 85 - %
總高次諧波加噪聲 THD+N f=1kHz,Pout=1W - 0.05 - %
信噪比 S/N - - 81 - dB
開(kāi)關(guān)頻率 Fs - - 335 - kHz
消耗電流 - 待機(jī)(腳:0V,Ta=25) - 25 - μA
- 空載(腳:2V,VDD=15V,功率MOSFET不接) - 2.9 5 mA
電源紋波消除率 PSRR VDD=15V,Vripple=1VRMS,f=1010kHz 60 80 - dB

3 結(jié)構(gòu)原理和應(yīng)用電路

圖1是LX1710/LX1711的內(nèi)部主要結(jié)構(gòu)和外圍電路接線圖。在該電路中,LX1710用作控制芯片,在帶有2Ω負(fù)載時(shí),最大可獲得38W輸出功率,其效率可達(dá)84%。另外,MOSFET管散熱僅靠印制板即可,不需再加散熱板。

該芯片的PWM輸出脈沖由三解波和比較器以普通方式生成。因?yàn)椋饨庸β试訦形開(kāi)關(guān)電路構(gòu)成,故反饋信號(hào)可用差動(dòng)方式取得。由于其模擬輸入也采用差動(dòng)方式,因而可抑止共模噪聲。

該芯片內(nèi)含切斷輸入信號(hào)的靜音和耗電25μA的睡眠功能。并具有過(guò)電流保護(hù)功能,當(dāng)負(fù)載短路時(shí)能保護(hù)外接功率MOSFET管不被燒毀。

控制形D類功放芯片的外圍元件比單片一體型D功放IC的外圍元件要多不少。其中,最主要的元件是兩對(duì)開(kāi)關(guān)功率MOSFET管,并要求這兩具管子能較小的驅(qū)動(dòng)來(lái)獲得較大的能量,同時(shí)應(yīng)在小能量時(shí)保持較小的導(dǎo)通阻抗。圖中選擇的是仙童公司出品的低開(kāi)啟電壓型功率MOSFET FDS4853(N溝道,對(duì)管)和FDS6612(P溝道,單管),這幾個(gè)MOSFET均具有較低的開(kāi)啟電壓值。

該電路的另一個(gè)特別是由R3和R4構(gòu)成的反饋電路。這個(gè)反饋電路接在濾波器之前,可以有效地抑制由于L1,L2,C20,C21構(gòu)成的LC濾波電路所引起的頻率特性的惡化和失真的增加。而如果象傳統(tǒng)模擬功放那樣直接從喇叭負(fù)載上引出反饋,則會(huì)減少高頻成分的反饋量,而這對(duì)改善模擬波形作用不大。

LC二階低通濾波器的高端截止頻率fh=1/(π(LC)1/2),品質(zhì)因素Q=RLC20/L1。所以喇叭阻抗的大小會(huì)對(duì)高頻端的頻率響應(yīng)產(chǎn)生直接影響。要使高端響應(yīng)平坦,相頻變化不激烈,Q值不能大小1。從理論上說(shuō),D類功放低頻可以到零頻,但由于電路中的輸入電容C3和C14的存在,而使直波被隔斷了。

D類功放的電源退耦十分重要,接線不當(dāng)就有可能引起自激振蕩。因此,電路中除大容量電解電容外,其它退耦電容都應(yīng)采用低電感型電容,幾μF的電容以鉭電容為宜。其中0.1μF的幾只電容應(yīng)盡量靠近IC電路的引腳處,以加強(qiáng)高頻退耦作用。另外,普通地線和功率地線也應(yīng)分開(kāi)布線。



評(píng)論


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