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熱插拔控制器在直流升壓電路中的設(shè)計(jì)應(yīng)用

作者: 時(shí)間:2014-02-02 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
完成輸出電容的充電且不引起故障保護(hù)的動(dòng)作。

本文引用地址:http://www.butianyuan.cn/article/226595.htm

(5)選擇使能啟動(dòng)電壓

EN端啟動(dòng)電壓為1.35 V,關(guān)閉電壓為1.25 V.利用此引腳,可以做輸入欠壓保護(hù);設(shè)計(jì)分壓電阻為240 kΩ和13 kΩ,開啟電壓為26.3 V,在24.3 V時(shí)關(guān)閉。

(6)其他參數(shù)

GATE驅(qū)動(dòng)電阻,為了抑制高頻振蕩,通常取10 Ω;PG 端上拉電阻,保證吸收電流小于2 mA,在本設(shè)計(jì)中不需要,懸空處理;Vcc端旁路電容,取0.1 μF.

電源使能端串聯(lián)一個(gè)二極管BAV70,低電平時(shí)可以關(guān)閉升壓電路和電源輸出。

4 測試結(jié)果和各測試點(diǎn)的工作波形

測試結(jié)果為過流保護(hù)動(dòng)作點(diǎn):1.45 A;輸出長期短路無損壞,短路去除恢復(fù)輸出;遙控端使能工作正常。

上電時(shí)各個(gè)測試點(diǎn)波形如圖4所示。

熱插拔控制器在直流升壓電路中的設(shè)計(jì)應(yīng)用

圖4中CH2是升壓后的電壓,當(dāng)輸入加電,升壓電路立即工作,很快達(dá)到28 V.為了防止后極負(fù)載的浪涌電流對MOSFET的沖擊,可以看到驅(qū)動(dòng)電壓(CH1)是緩慢上升的,輸出電壓(CH3)也是跟隨緩慢上升。在啟動(dòng)過程中,很明顯看到MOSFET的驅(qū)動(dòng)電壓不高,MOSFET工作于線性區(qū),同樣可以抑制輸出端電流的增大,有效保護(hù)MOSFET在啟動(dòng)過程中不過載。

正常工作時(shí)的各點(diǎn)電壓如圖5所示。由圖5可以看到,正常工作時(shí),輸出電壓(CH3)等于升壓后的電壓(CH2),MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓(CH1)比輸出電壓高了14 V,可以保證MOSFET良好導(dǎo)通,降低熱耗和壓差。

熱插拔控制器在直流升壓電路中的設(shè)計(jì)應(yīng)用

當(dāng)負(fù)載過流或短路時(shí)的波形如圖6所示。由圖6可以看到,當(dāng)輸出過流或短路時(shí),MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓(CH1)迅速下降,導(dǎo)致輸出電壓(CH3)跟著下降,有效的保護(hù)電源的安全。經(jīng)過2 s的重啟周期后,驅(qū)動(dòng)電壓有個(gè)小小的試探電壓,如果故障仍然存在,重啟不成功,驅(qū)動(dòng)電壓又恢復(fù)到零。反之重啟成功,正常輸出。如圖7所示。

熱插拔控制器在直流升壓電路中的設(shè)計(jì)應(yīng)用

5 結(jié)語

實(shí)踐證明,基于TPS2491的保護(hù)控制電路具有電路簡單可靠,應(yīng)用方便的特點(diǎn)。本電路應(yīng)用于開關(guān)中,完美解決了原來沒有輸出過流短路保護(hù)以及不能遙控輸出的缺陷,收到了良好效果。

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