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開關電源設計中MOSFET驅動技術詳解

作者: 時間:2014-01-21 來源:網(wǎng)絡 收藏
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本文引用地址:http://www.butianyuan.cn/article/226757.htm

下圖是電流波形

開關電源設計中MOSFET驅動技術詳解

紅色的是R3=1歐姆,綠色的是R3=100歐姆。可見R3越大,MOS的導通速度越慢。

可以看到,驅動電阻增加可以降低MOS開關的時候得電壓電流的變化率。比較慢的開關速度,對EMI有好處。下圖是對兩個不同驅動情況下,MOS的DS電壓波形做付利葉分析得到

開關電源設計中MOSFET驅動技術詳解

紅色的是R3=1歐姆,綠色的是R3=100歐姆??梢姡寗与娮璐蟮臅r候,高頻諧波明顯變小

但是驅動速度慢,又有什么壞處呢?那就是開關損耗大了,下圖是不同驅動電阻下,導通損耗的功率曲線。

開關電源設計中MOSFET驅動技術詳解

紅色的是R3=1歐姆,綠色的是R3=100歐姆??梢?,驅動電阻大的時候,損耗明顯大了。

結論:驅動電阻到底選多大?還真難講,小了EMI不好;大了效率不好。所以只能一個折中的選擇了。

那如果,開通和關斷的速度要分別調(diào)節(jié),怎么辦?就用以下電路。

開關電源設計中MOSFET驅動技術詳解

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關鍵詞: 開關電源 MOSFET 驅動技術

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