一款基于整流管尖峰吸收電路設(shè)計(jì)

采用RCD吸收，因?yàn)椴捎肦CD吸收，其吸收能量包括兩部分，一部分是電容C上的DC能量，一部分就是漏感能量轉(zhuǎn)換到C上的尖峰能量，因?yàn)槁└蟹浅Ｐ?，其峰值電流由不可能太大，所以能量也非常有限，相對來講，只考慮R消耗的直流能量就好了，以上面同樣的參數(shù)，C上的直流電壓為Vo+Ui/N=80V，電阻R取47K，其能量消耗為0.14W，相比上面的1.4W，“低碳”效果非凡。

再談?wù)勥@兩種吸收電路的特點(diǎn)及其他吸收電路：

RC吸收：吸收尖峰的同時(shí)也將變壓器輸出的方波能量吸收，吸收效率低，損耗大，但電路簡單，吸收周期與開關(guān)頻率一致，可以用在低待機(jī)功耗電路中。

RCD吸收：適合所有應(yīng)用RC吸收漏感尖峰的地方(包括正激、反激、全橋、半橋等拓?fù)?吸收效率較RC高，但是存在一直消耗電容(一般比較大)儲存的能量的情況，不適合應(yīng)用在低待機(jī)功耗電路中(包括初級MOS管的漏感吸收)；

再討論一下ZENER吸收：可以應(yīng)用于初級MOS漏感尖峰吸收，次級整流管電壓尖峰吸收，還可應(yīng)用于低待機(jī)功耗電路，吸收效率最高，成本高，但ZENER穩(wěn)壓參數(shù)變化較大，需仔細(xì)設(shè)計(jì)。

整流管的反向恢復(fù)只會出現(xiàn)在連續(xù)工作模式中，斷續(xù)工作模式的電源拓?fù)?，都不會存?a class="contentlabel" href="http://www.butianyuan.cn/news/listbylabel/label/整流管">整流管的反向恢復(fù)問題；

整流管的電容效應(yīng)及次級雜散電容與次級漏感會引起振蕩，這種振蕩在整流管大的dv/dt(變壓器連整流管端電壓變化率)和二極管反向恢復(fù)電流(連續(xù)模式)影響下，表現(xiàn)為變壓器輸出端+輸出電壓通過次級漏感與整流管等雜散電容的諧振，從而引起整流管反向電壓尖峰。

通俗來講，二極管的反向恢復(fù)指正在導(dǎo)通的二極管從導(dǎo)通狀態(tài)轉(zhuǎn)換為反向截至狀態(tài)的一個(gè)動態(tài)過程，這里有兩個(gè)先決條件：二極管在反向截至之前要有一定正向電流(電流大小影響到反向恢復(fù)的最大峰值電流及恢復(fù)時(shí)間，本來已截至的狀態(tài)不在此列，故只有連續(xù)模式才存在反向恢復(fù)問題);為滿足二極管快速進(jìn)入截至狀態(tài)，會有一個(gè)反向電壓加在二極管兩端(這個(gè)反向電壓的大小也影響已知二極管的反向恢復(fù)電流及恢復(fù)時(shí)間)。所以看有無反向恢復(fù)問題，可以對比其是否具備這兩個(gè)條件。

準(zhǔn)諧振電路的好處是將斷續(xù)模式整流二極管最大的端變化電壓N*Uo+Uo變成N*Uo-Uo，減小了其整流二極管在初級MOS管開通時(shí)的電壓變化率，從而減少了漏感振蕩的激勵(lì)源，降低其產(chǎn)生的振蕩尖峰，如幅值不影響整流管耐壓安全，完全可以省去RC等吸收電路。

這里簡約說一下，不管是RCD吸收還是ZVS吸收，其N*Vo/Vclamp(N為變壓器初次級匝比，Vo為輸出電壓，Vclamp為嵌位電壓)越小，吸收的損耗就越小(這里不考慮RCD吸收中的D二極管反向恢復(fù)期間回灌的能量)，如果等于0，那損耗就是0.5*Lleakage*Ip^2*fsw，這個(gè)是極限值，也就是說實(shí)際的吸收損耗肯定會大于這個(gè)數(shù)，要想降低吸收損耗，在滿足MOS耐壓和EMI要求下，提高吸收點(diǎn)電壓就可以降低吸收損耗。