PSR原邊反饋電源設(shè)計的“獨特”方法

因IC內(nèi)部一般內(nèi)置VDS耐壓600~650V的MOS，考慮到漏感尖峰，需留50~100V的應(yīng)力電壓余量，所以反射電壓需控制在100V以內(nèi)，

得：(Vout+VF)*n100,即：n100/(5+1),n16.6,

取n=16.5,得初級匝數(shù)NP=15*16.5=247.5

取NP=248，代入上式驗證，(Vout+VF)*(NP/NS)100,

即(5+1)*(248/15)=99.2100,成立。

確定NP=248Ts。

拆下變壓器測量電感量，此時所測得的電感量作為最大值依據(jù)，再根據(jù)廠商制造能力適當(dāng)留+3%~+5%的誤差范圍和余量，如：測量為2mH，則取2-2*0.05=1.9mH，誤差為+/-0.1mH。

現(xiàn)在再來驗證以上參數(shù)變壓器BOBBIN的繞線空間。

已知：E1和E2銅線直徑為0.1mm,實際外徑為0.12mm;

NP銅線直徑為0.12mm,實際外徑為0.14mm;

NS銅線直徑為0.4mm,實際外徑為0.6mm;

TAPE采用0.025mm厚的麥拉膠紙。

A.

NV若采用銅線直徑為0.2mm,實際外徑為0.22mm

線包單邊厚度為：E1+TAPE+NP+TAPE+E2+TAPE+NS+TAPE+NV+TAPE

=0.12+0.025+0.14*4+0.025+0.12+0.025+0.6+0.025+0.22+0.025*2=1.77mm.

B.

NV若采用銅線直徑為0.1mm雙線并饒,實際外徑為0.12mm

線包單邊厚度為：E1+TAPE+NP+TAPE+E2+TAPE+NS+TAPE+NV+TAPE

=0.12+0.025+0.14*4+0.025+0.12+0.025+0.6+0.025+0.12+0.025*2=1.67mm.

測量或查EFD15的BOBBIN的單邊槽深為2.0mm，所以以上2種方式繞制的變壓器都可行。

2.EPC13的變壓器設(shè)計

依然沿用以上設(shè)計方法，測量或查BOBBIN資料可得EPC13BOBBIN幅寬為6.8mm，

次級匝數(shù)為：6.8/0.6=11.3Ts,取11Ts.

初級匝數(shù)為：11*16.5=181.5Ts,取182Ts.

反饋匝數(shù)為：15/(5+1)*11=27.5Ts,取28Ts.

EPC13的繞線方式同EFD15，在這里就不再重復(fù)了。

以上變壓器設(shè)計出的各項差數(shù)是以控制漏感為出發(fā)點的，各項參數(shù)(肖特基的VF,MOS管的電壓應(yīng)力余量……)都是零界或限值，實際設(shè)計中會因次級繞線同名端對應(yīng)輸出PIN位出現(xiàn)交叉，或輸出飛線套鐵氟龍?zhí)坠埽蚬?yīng)商的制程能力，都會使次級線圈減少1~2圈，對應(yīng)的初級和反饋也需根據(jù)匝比減少圈數(shù)；另，目前市場的競爭導(dǎo)致制造商把IC內(nèi)置MOS管的VDS耐壓減小一點來節(jié)省成本，為保留更大的電壓應(yīng)力余量，需再減少初級匝數(shù);以上的修改都會對EMC輻射造成負面影響，對應(yīng)的取舍還需權(quán)衡，但前提是必須使產(chǎn)品工作在DCM模式。

從08年市場上推出PSR原邊反饋方案到現(xiàn)在我一直都有在用此方案設(shè)計產(chǎn)品，回顧看看，市場上也出現(xiàn)了很多不同品牌的PSR方案，但相對以前剛推出的PSR控制IC來說，有因市場反映不良而不斷改進的部分，但也有因為惡性競爭而COSTDOWN的部分。主要講講COSTDOWN的部分。

因受一些品牌在IC封裝工藝上的專利限制，所以目前大部分的內(nèi)置MOS的IC(不僅是PSR控制IC，也包括PWM控制IC)采用的是在基板上置入控制晶圓和MOS晶圓，之間用金線作跳線連接，這樣就有2個問題產(chǎn)品了：

1.金線帶來的EMC輻射。