選擇符合EN55022標準的低EMI電源前該了解些什么

引言

由于市場對于提升信息技術(shù)和通信設備性能的需求，因此如今的系統(tǒng)設計人員面臨著必需設計EMI兼容產(chǎn)品的巨大挑戰(zhàn)。在銷售之前，所有通常被規(guī)定為具有一個高于 9kHz 之已調(diào)時鐘信號的信息技術(shù)設備 (ITE) 都必須滿足相關的政府標準，例如美國的 FCC Part 15 Subpart B 和歐盟的 EN55022，這些標準規(guī)定了工業(yè)和商業(yè)環(huán)境 (Class A) 以及家庭環(huán)境 (Class B) 的最大可容許輻射發(fā)射。鑒于此類嚴格的EMI標準、工程人力資源限制和產(chǎn)品快速上市要求，使得通過EN55022標準認證之電源模塊的普及率有所提高。然而重要的是必須知曉電源模塊在認證時所處的電氣操作條件，以避免在之后的設計過程中感到詫異。對開關模式穩(wěn)壓器中的 EMI 干擾源和場強因子有所了解將有助于設計工程師選擇最佳的組件，以減輕特別是那些所需電流水平較高之尖端設備中的電磁輻射。

圖 1：FCC 輻射限值 (USA) 和 EN55022 Class B 輻射限值 (歐盟)

對于電磁理論的思考將有助讀者更好地了解 EMI 對于工作在較高電壓和較高輸出功率下的大功率降壓型轉(zhuǎn)換器的影響。我們回憶一下高斯定理 (Gauss’ Law)，該闡述了某一封閉區(qū)域內(nèi)電場強度與其內(nèi)部的總電荷成正比。

例如：該電荷量與通過一根 PCB 走線傳遞的電流大小成正比。(1A 等于每秒 1 庫侖電荷。) 于是，增加輸出功率所需的較高電流將產(chǎn)生較強的磁場，由于交流電通路在一個周期之內(nèi)的不同時點運行，所以在開關模式穩(wěn)壓器中電場始終處于變化之中就是理所當然的事了。接著，麥克斯韋 (Maxwell) 方程組告訴我們：這一不斷變化的電場將產(chǎn)生一個成比例增強的磁場，從而引起一個從導體 (降壓型轉(zhuǎn)換器內(nèi)部的所有電流通路) 輻射的自保持 EMI 電波。這里進行的討論并不能盡述，例如：對于圍繞電流通路的磁性組件以及功率電感器上快速極性變化的影響尚未涉及，不過，較高輸出功率對于輻射EMI的影響卻是清晰可見的。EMI 輻射源

由于其特殊的性質(zhì)，開關電源會產(chǎn)生輻射到周圍大氣中的電磁波。脈沖電壓和電流將因開關動作而出現(xiàn)，并直接影響輻射電磁波的強度 (見邊欄)。此外，轉(zhuǎn)換器內(nèi)部的寄生器件也會產(chǎn)生電磁輻射。圖 2 給出了一款典型的降壓型轉(zhuǎn)換器，其包括功率 MOSFET 的寄生電感器和寄生電容器。

圖 2：具寄生電感器和電容器的降壓型開關穩(wěn)壓器

在每個開關周期里，存儲在寄生電感器中的能量將和存儲于寄生電容器中的能量發(fā)生共振。當能量釋放時將在開關節(jié)點 (VSW) 上產(chǎn)生一個很大的電壓尖峰，其最大可達輸入電壓的兩倍，如圖 3 所示。當 MOSFET 的電流能力增加時，存儲在寄生電容器中的能量往往也會增加。另外，開關動作還使輸入電流以及流過頂端 MOSFET (ITOP) 和底端 MOSFET (IBOT) 的電流產(chǎn)生脈動。此脈沖電流將在輸入電源電纜和 PCB 板印制線 (其充當了發(fā)射天線) 上產(chǎn)生電波，從而產(chǎn)生輻射發(fā)射和傳導發(fā)射。

當輸入電壓和輸出電流增加時，每個周期中功率電感器改變極性時開關節(jié)點上的電壓尖峰也將增大。而且，輸出電流越高，電路回路內(nèi)部產(chǎn)生的脈沖電流越大。因此，輻射發(fā)射在很大程度上取決于被測試器件所處的電氣操作條件。一般來說，輻射噪聲將隨著輸入電壓和輸出功率 (特別是輸出電流) 的提高而增加。由于作為低噪聲替代方案的線性穩(wěn)壓器效率過低，而且在高電壓和高功率級別下耗散過多的熱量，因此設計工程師不得不克服因采用最先進的開關電源解決方案而引發(fā)的難題，其中的EMI抑制變得頗為棘手。

圖 3：12V 輸入降壓型開關穩(wěn)壓器中的典型開關節(jié)點電壓尖峰和振鈴

EMI 抑制

用于降低來自開關模式電源轉(zhuǎn)換器設計的輻射EMI之替代方法面臨著其他的難題。一種傳統(tǒng)方