基于MOSFET與變壓器原邊串聯(lián)的RCD緩沖電路選擇

對于MOSFET，工作時候與變壓器原邊串聯(lián)，由于變壓器漏感和MOSFET較大的開通電容的影響，使得其關(guān)斷時候會承受一個很高的電壓尖峰。

為了減小這個尖峰，我們使用RCD緩沖電路。如圖：

RCD電路有很多類型：純粹的RCD，帶回饋電感的RCD，帶回饋變壓器的RCD。后邊兩種都是為了將消耗在R上的能量轉(zhuǎn)化為電磁能量回饋電網(wǎng)減小損耗。

RCD工作時候，由于釬位關(guān)系將開關(guān)管兩端電壓限制在2Vdc，C使得開關(guān)管集電極或者漏級電壓上升速度減緩。之后C通過電阻R放電，或者將能量轉(zhuǎn)移到電感或變壓器中最終回饋電網(wǎng)。

C的取值需要足夠的大，使得開關(guān)管電壓上升速度足夠緩慢，保證開關(guān)管不受到?jīng)_擊。而C因?yàn)閾p耗的原因也不能太大，而R的大小沒有特別要求，R越小，C的放電速度越快。只需要在Ton的時間內(nèi)保證C在下次開關(guān)管關(guān)斷時候放完電荷就可以了。