一種利用普通電源變壓器的MOS場效應(yīng)管逆變器

這里介紹的逆變器(見圖1)主要由MOS場效應(yīng)管，普通電源變壓器構(gòu)成。其輸出功率取決于MOS場效應(yīng)管和電源變壓器的功率，免除了煩瑣的變壓器繞制，適合電子愛好者業(yè)余制作中采用。下面介紹該變壓器的工作原理及制作過程。

工作原理

這里我們將詳細介紹這個逆變器的工作原理。

方波的產(chǎn)生

這里采用CD4069構(gòu)成方波信號發(fā)生器。電路中R1是補償電阻，用于改善由于電源電壓的變化而引起的震蕩頻率不穩(wěn)。電路的震蕩是通過電容C1充放電完成的。其振蕩頻率為f=1/2.2RC。圖示電路的最大頻率為：fmax=1/2.2x103x2.2x10—6=62.6Hz，最小頻率為fmin=1 /2.2x4.3x103x2.2x10—6=48.0Hz。由于元件的誤差，實際值會略有差異。其它多余的發(fā)相器，輸入端接地避免影響其它電路。

圖2

場效應(yīng)管驅(qū)動電路

由于方波信號發(fā)生器輸出的振蕩信號電壓最大振幅為0~5V，為充分驅(qū)動電源開關(guān)電路，這里用TR1、TR2將振蕩信號電壓放大至0~12V。如圖3所示。

圖3

場效應(yīng)管電源開關(guān)電路

場效應(yīng)管是該裝置的核心，在介紹該部分工作原理之前，先簡單解釋一下MOS場效應(yīng)管的工作原理。

MOS 場效應(yīng)管也被稱為MOS FET，即Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor(金屬氧化物半導體場效應(yīng)管)的縮寫。它一般有耗盡型和增強型兩種。本文使用的是增強型MOS場效應(yīng)管，其內(nèi)部結(jié)構(gòu)見圖4。它可分為 NPN型和PNP型。NPN型通常稱為N溝道型，PNP型通常稱P溝道型。由圖可看出，對于N溝道型的場效應(yīng)管其源極和漏極接在N型半導體上，同樣對于P 溝道的場效應(yīng)管其源極和漏極則接在P型半導體上。我們知道一般三極管是由輸入的電流控制輸出的電流。但對于場效應(yīng)管，其輸出電流是由輸入的電壓(或稱場電壓)控制，可以認為輸入電流極小或沒有輸入電流，這使得該器件有很高的輸入阻抗，同時這也是我們稱之為場效應(yīng)管的原因。

圖4

為解釋MOS場效應(yīng)管的工作原理，我們先了解一下僅含一個P—N結(jié)的二極管的工作過程。我們知道在二極管加上正向電壓(P端接正極，N端接負極)時，二極管導通，其PN結(jié)有電流通過。這是因在P型半導體端為正電壓時，N型半導體內(nèi)的負電子被吸引而涌向加有正電壓的P型半導體端，而P型半導體端內(nèi)的正電子則朝N型半導體端運動，從而形成導通電流。同理，當二極管加上反向電壓(P端接負極，N端接正極時，這時在P型半導體端為負電壓，正電子被聚集在P型半導體端，負電子則聚集在N型半導體端，電子不移動，其PN結(jié)沒有電流流過，二極管截止。

對于場效應(yīng)管，在柵極沒有電壓時，有前面的分析可知，在源極與漏極之間不會有電流流過，此時場效應(yīng)管處于截止狀態(tài)。當有一個正電壓加在N溝道的MOS場效應(yīng)管柵極上時，由于電場的作用，此時N型半導體的源極和漏極的負電子被吸引出來而涌向柵極，但由于氧化膜的阻擋，使得電子聚集在兩個N溝道之間的P型半導體中，從而形成電流，使源極和漏極之間導通。我們也可以想象為兩個N型半導體之間為一條溝，柵極電壓的建立相當于為他們之間搭了一座橋梁，該橋梁的大小由柵壓決定。下面簡述一下用C—MOS場效應(yīng)管(增強型MOS場效應(yīng)管)組成的應(yīng)用電路的工作過程。電路將一個增強型P溝道MOS場校官和一個增強型N溝道MOS場效應(yīng)管組合在一起使用。當輸入端為底電平時，P溝道MOS場效應(yīng)管導通，輸出端與電源正極接通。當輸入端為高電平時，N溝道MOS場效應(yīng)管導通，輸出端與電源地接通。在該電路中，P溝道MOS場效應(yīng)管和N溝道場效應(yīng)管總是在相反的狀態(tài)下工作，其相位輸入端和輸出端相反。通過這種工作方式我們可以獲得較大的電流輸出。同時由于漏電流的影響，使得柵壓在還沒有到0V，通常在柵極電壓小于1V到2V時，MOS場效應(yīng)管即被關(guān)斷。不同場效應(yīng)管關(guān)斷電壓略有不同。也以為如此，使得該電路不會因為兩管同時導通而造成電源短路。

以上分析我們可以畫出原理圖中MOS場效應(yīng)管部分的工