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詳解如何讓工頻機(jī)穩(wěn)定之管壓降探測(cè)

作者: 時(shí)間:2013-11-29 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

工頻機(jī)要穩(wěn)定,還得是!

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/227715.htm

趁著前段時(shí)間不忙,我又研究了工頻機(jī)?,F(xiàn)在我將一點(diǎn)心得寫出來,和大家共勉。

大部分的朋友認(rèn)為工頻機(jī)較高頻的扎實(shí),其實(shí)我認(rèn)為工頻機(jī)要做到萬無一失還是需要非常多的機(jī)器和經(jīng)驗(yàn)的。首先我們來看一組照片:

詳解如何讓工頻機(jī)穩(wěn)定之管壓降探測(cè)

詳解如何讓工頻機(jī)穩(wěn)定之管壓降探測(cè)

詳解如何讓工頻機(jī)穩(wěn)定之管壓降探測(cè)

這是我一個(gè)客戶拍的照片,晚上給我發(fā)來的,從以上照片可以看出來,這些管子一旦壞了,就是一排排的炸掉,可見這個(gè)保護(hù),是要做的很給力才能避免類似情況。

我一直在試驗(yàn)很多保護(hù),在H橋的電路中有幾種保護(hù):

1、H橋負(fù)極加采樣電阻的保護(hù),這種電路的特點(diǎn)是直接采樣H橋的母線電流,用電流峰值做短路保護(hù),該電路存在的缺陷就是不隔離,H橋母線上的干擾很大,在工頻機(jī)里面,H橋上走的電流超大,對(duì)該采樣電阻的要求很高,采樣電阻大了,自己發(fā)熱,采樣電阻小了,反應(yīng)不過來,還能影響驅(qū)動(dòng),這個(gè)在大功率的逆變上,沒有人這么干了。我之前用2110加采樣電阻這樣搞過,太費(fèi)力,保護(hù)不一定好,功率還出不來,長(zhǎng)期可靠性有待驗(yàn)證。

2、H橋輸出用電流互感器采集,這個(gè)辦法在經(jīng)典的APC的UPS上出現(xiàn)了。這是一種無損檢測(cè)方式,值得大家學(xué)習(xí)與采用,他具有H橋在每個(gè)SPWM脈沖輸出的時(shí)候,探測(cè)電流的能力,隔離采樣,無干擾,靈敏度很高,因?yàn)镾PWM脈沖頻率不高,所以這個(gè)互感器的帶寬并不需要多高。但是確定依然很明顯,這個(gè)互感器因?yàn)椴杉降拿}沖有相當(dāng)多的部分是在超過50%占空比下,需要一個(gè)去磁電路,另外由于輸出是雙極性的,需要一堆外部運(yùn)放比較器之類的東西搭個(gè)限流保護(hù)監(jiān)測(cè)的信號(hào)處理單元,APC的機(jī)器上這部分很復(fù)雜。另外這個(gè)磁芯需要很高的抗低頻工頻紋波的特性,這一個(gè)指標(biāo)就能讓成本很高了。

3、,我之前所想的是工頻的耐折騰,應(yīng)該隨便一個(gè)保護(hù)都可以,實(shí)際上并不是這樣,做慣了高頻,啥都要想著最完善的保護(hù),沒有想到在工頻上走了彎路,其實(shí)一定要按照高頻的保護(hù),照搬到工頻上來,這樣才能讓工頻機(jī)如虎添翼,一邊能有強(qiáng)帶載能力的體現(xiàn),一邊能將壽命保證到最長(zhǎng)。

工頻機(jī)并聯(lián)管子的問題:

在中小功率的工頻機(jī)中,大部分都是用的MOSFET并聯(lián),而且通常的做法,是一并就并N多N多。炸起來,也是一炸炸N多N多,呵呵。我也炸過的,后面想想,MOSFET這種東西還得從頭開始學(xué)習(xí)。

MOSFET有個(gè)特性,你并聯(lián)越多了,導(dǎo)通內(nèi)阻是小了,但是并聯(lián)的結(jié)電容也越多了,結(jié)電容越多了,驅(qū)動(dòng)也難了,好不容易解決了驅(qū)動(dòng)問題,GS波形漂亮了,但是還在發(fā)熱,而且好像比不并還熱點(diǎn),而且有的開機(jī)就炸了,高頻逆變后級(jí)部分的H橋,經(jīng)常聽到有人問我,高壓IRFP460并聯(lián),還沒有帶載就炸了。

其實(shí)并聯(lián)的不但增加了驅(qū)動(dòng)上結(jié)電容,而且增加了米勒電容,這個(gè)米勒我們看不到,我習(xí)慣統(tǒng)稱為米勒。這個(gè)地方很致命,我曾經(jīng)詳細(xì)說過這個(gè)電容的機(jī)理,在此不再說明。

米勒電容的表現(xiàn)為,管子并聯(lián)多了,這個(gè)電容會(huì)在MOSFET的GD上越并越多。這樣在H橋上形成很大的DV/DT的尖峰脈沖,這個(gè)是會(huì)嚴(yán)重影響效率的,因?yàn)樗麜?huì)造成上下2管的輕微直接導(dǎo)通。隨著管子的熱量開始積累,越來越嚴(yán)重,這也是我為何一定要分開光耦隔離驅(qū)動(dòng),外加正負(fù)電源驅(qū)動(dòng)MOSFET的原因。



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