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基于KP101 T8非隔離EMC低成本方案

作者: 時(shí)間:2013-11-21 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
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基于KP101 T8非隔離EMC低成本方案

本文引用地址:http://www.butianyuan.cn/article/227862.htm

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基于KP101 T8非隔離EMC低成本方案美國對(duì)比OZ8022V

對(duì)比1):CBB電容:采用154//104,OZ8022V采用154//154,此電容影響150KHZ位置的值,CBB電容越大,

150KHZ 處的余量越大。對(duì)比結(jié)論:如果采用同等大小的 CBB 電容,兩個(gè)方案此處余量相當(dāng),但是 CBB 電容增大會(huì)

影響電源的PF值,測(cè)試結(jié)果 PF值0.95,OZ8022V PF值0.92.

2)EMI 電感:KP101 采用 2 個(gè) 1.5mH 的差模電感,OZ8022V 采用兩個(gè) 4.4mH 差模電感,此時(shí) 250K-1.5MHZ 處余量兩

者相當(dāng)。利弊分析:感量增大,同等磁芯的情況下電感線徑變細(xì),容易造成電感的飽和,低壓功率增加,發(fā)熱嚴(yán)重。

可能造成炸機(jī)。

3)PCB—layout:OZ8022V 對(duì)線路依賴比較大,高低壓恒流效果差,需依靠RC 電路進(jìn)行調(diào)節(jié)。COMP 腳需要增加小

MOS,否則短路時(shí)恢復(fù)電流可能不正常,有可能造成炸機(jī)。KP101不需要這些器件外圍相對(duì)簡單很多。

基于KP101 T8非隔離EMC低成本方案

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對(duì)比4)上圖可見:KP101余量大于0Z8022V。

對(duì)比5)測(cè)試結(jié)果表明:同樣在輸出72V235mA條件下,KP101效率為93%,OZ8022V效率91.2%,KP101效率比OZ8022V高1-2%.

對(duì)比 6)開路短路測(cè)試:KP101 開路短路是直接鎖死 VCC 電壓,當(dāng)輸出電壓高于或低于門限電壓時(shí),VCC 鎖死。測(cè)試表明:開路短路功率保持在 0.5W 左右。短路恢復(fù)時(shí) VCC 重啟工作,可自恢復(fù),開路時(shí)不能自恢復(fù),需要手動(dòng)重啟電源。


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