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最新FPGA所需求的電源IC

作者: 時間:2013-11-03 來源:網(wǎng)絡 收藏
or: rgb(68, 68, 68); line-height: 22px; text-indent: 2em; font-family: 宋體, Georgia, verdana, serif; ">?搭載各種保護功能(OCP、SCP、UVLO、TSD)

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/228021.htm

【規(guī)格概要】

參見表1。基本上,兩種產(chǎn)品都是高效同步整流的降壓型控制器,不僅在重負載時的效率高,輕負載時的效率

也很高。標準電壓為0.75V/0.7V,適用低電壓,±1%的精度對于前述的±3%的精度來說具有充分的余量。不僅

如此,通過ROHM獨創(chuàng)的H3RegTM控制模式實現(xiàn)了高速負載瞬態(tài)響應(圖2),非常適合用作電源。

表1:BD95601MUV(1ch)、BD95602MUV(2ch)的規(guī)格概要

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圖2:負載電流急劇變動也可用最小限的電壓降實現(xiàn)高速負載瞬態(tài)響應

【高速負載瞬態(tài)響應H3RegTM控制】

為了提高負載瞬態(tài)響應的速度,有一種解決方案是使用恒定導通時間控制,但H3RegTM控制是進一步提高負載急劇變動時的瞬態(tài)響應速度的、改進型(改良形)恒定導通時間控制方式(圖3)。

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圖3:ROHM獨創(chuàng)的高速負載瞬態(tài)響應H3RegTM控制

?為了與內(nèi)部電壓控制比較器輸入的標準電壓(REF)進行比較,將被分壓的輸出電壓反饋給FB引腳;

?在正常運行中,H3RegTM控制器一旦檢測到FB引腳的電壓低于REF電壓,在下述公式規(guī)定的時間(tON)之內(nèi),導通高邊MOSFET的柵極(HG),使輸出電壓上升;

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?tON后HG一旦關(guān)斷,低邊MOSFET的柵極(LG)導通,F(xiàn)B引腳電壓開始下降,當與REF電壓達到一致時關(guān)斷LG。

?通過這樣的反復運行,保持輸出恒定;

?負載急劇變動時,輸出降低、過了FB引腳電壓所規(guī)定的tON時間還沒有上升到REF電壓以上時,可通過延長tON時間、供給更多的電力來加快輸出電壓的恢復,即提高負載瞬態(tài)響應特性;

?輸出電壓恢復,即返回正常運行。

3.整合參考設計,獲得優(yōu)異的電源特性

圖4為此次AVNET Internix Kintex7用ROHM電源模塊的VMGTAVtt輸出波形。由圖可見,VMGTAVtt為收發(fā)器用1.2V模擬電源,精度要求為±2.5%,最為苛刻。但是,1.2V輸出的BD95601MUV,波紋為5.6mV,誤差僅為0.47%。

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圖4:電壓波紋波形

要想獲得優(yōu)異的電源,一種方法是利用電源模塊或FPGA套件的評價結(jié)束后,移植到實機時,采用參考設計;同時采用獨自進行板上電源設計的也為數(shù)不少。

當然,值得強調(diào)的是,即使所有方面都進行了優(yōu)化調(diào)整,如果IC自身性能不夠好,無論如何調(diào)整也無法獲得所述的優(yōu)異特性。設計開關(guān)電源并不是一件簡單輕松的事。除了計算元件常數(shù),為了獲得最佳特性還要進行元件的化學研究、基板設計,而且沒有調(diào)試就無法獲得真正的性能。

一直以來,ROHM在模擬設計技術(shù)方面擁有獨特優(yōu)勢,擁有可實現(xiàn)具有這樣卓越特性的模塊的元件選型和基板設計技術(shù)訣竅,并具備完善的客戶支持體制。

4.總結(jié)

如前所述,F(xiàn)PGA所需要的電源,



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