基于WISHBONE總線的FLASH閃存接口設計 (圖)

引言
---隨著半導體工藝技術的發(fā)展，ic設計者已能將微處理器、模擬ip核、數(shù)字ip核和存儲器(或片外存儲控制接口)集成在單一芯片上，即soc芯片。對片上系統(tǒng)(soc)數(shù)據(jù)記錄需要低功耗、大容量、可快速重復擦寫的存儲器。常用的介質主要有：動態(tài)存儲器（dram）、靜態(tài)存儲器（sram）和閃速存儲器（flash memory）。dram容量大，但需要不斷刷新才能保持數(shù)據(jù)，會占用微處理器時間，同時增加了功耗；sram雖然不需要動態(tài)刷新，但價格太貴，并且斷電后跟dram一樣數(shù)據(jù)都無法保存。flash memory是一種兼有紫外線擦除eprom和電可擦除可編程只讀存儲器(eeprom)兩者優(yōu)點的新型非易失存儲器。由于它可在線進行電可擦除和編程，芯片每區(qū)可獨立擦寫至少1000 000次以上，因而對于需周期性地修改被存儲的代碼和數(shù)據(jù)表的應用場合，以及作為一種高密度的、非易失的數(shù)據(jù)存儲介質flash是理想的器件選擇。在我們設計的系統(tǒng)中，處理器是openrisc1200，所用的flash是amd與富士公司的am29lv160d芯片。利用fpga實現(xiàn)接口，由于openrisc1200（or1200）采用wishbone總線，所以本設計的接口具有可移植性。

am29lv160d芯片特點
---am29lv160d是一種僅需采用3.0v電源進行讀寫的閃存。該器件提供了70ns、90ns、120ns讀取時間，無需高速微處理器插入等待狀態(tài)進行速度匹配。為了消除總線競爭，芯片引入了片選使能（ce#）,寫使能（we#）和輸出使能（oe#）控制端口。芯片采用分塊結構，非常適用于要求高密度的代碼或數(shù)據(jù)存儲的低功耗系統(tǒng)。
---● 甚低功耗
---工作在5mhz時, 電流典型值為：
---睡眠模式下電流為200na；
---備用模式下電流為200na；
---讀數(shù)據(jù)時為9ma；
---編程/擦除模式下電流為20ma。
---● 靈活的分塊結構
---一個16kb，兩個8kb，一個32kb，和31個64kb塊（字節(jié)模式）；
---一個8kb，兩個4 kb,一個16 kb，和31個32 kb塊（字模式）；
---支持整個芯片擦除；
---復雜的塊保護特性。
---● 具有內部嵌入算法
---內部嵌入擦除算法自動預編程和擦除整個芯片或任意塊的組合；
---內部嵌入算法自動將給定地址的數(shù)據(jù)寫入芯片及對其校驗。
---● 與jedec標準兼容
---● 具有硬件reset復位與ready/busy擦寫查詢管腳
---● 具有擦除暫停與擦除繼續(xù)功能

wishbone總線簡介
---wishbone總線規(guī)范是一種片上系統(tǒng)ip核互連體系結構。它定義了一種ip核之間公共的邏輯接口，減輕了系統(tǒng)組件集成的難度，提高了系統(tǒng)組件的可重用性、可靠性和可移植性，加快了產(chǎn)品市場化的速度。wishbone總線規(guī)范可用于軟核、固核和硬核，對開發(fā)工具和目標硬件沒有特殊要求，并且?guī)缀跫嫒菟械木C合工具，可以用多種硬件描述語言來實現(xiàn)。
---靈活性是wishbone總線的另一個優(yōu)點。由于ip核種類多樣，其間并沒有一種統(tǒng)一的間接方式。為滿足不同系統(tǒng)的需要，wishbone總線提供了四種不同的ip核互連方式：
---點到點（point-to-point），用于兩ip核直接互連；
---數(shù)據(jù)流（data flow），用于多個串行ip核之間的數(shù)據(jù)并發(fā)傳輸；
---共享總線（shared bus）（見圖1），多個ip核共享一條總線；
---交叉開關（crossbar switch），同時連接多個主從部件，提高系統(tǒng)吞吐量。

flash接口的設計
 ---由于or1200采用的是wishbone共享總線，其地址線為32位，數(shù)據(jù)線也為32位。設計中采用將低位與flash相聯(lián)接,并將接口位度設計為16位。原理框圖如圖2所示。邏輯接口部分采用fpga來實現(xiàn)。系統(tǒng)選用xilinx公司最新推出的90nm工藝制造的現(xiàn)場可編程門陣列芯片spartan-3來實現(xiàn)接口設計，利用它的可編程性特性帶來了電路設計的簡單化和調試的靈活性。
---flash讀接口設計
---該接口可實現(xiàn)單周期讀與塊讀功能，時序部分與wishbone兼容。由于采用的flash最大讀周期時間至少為90ns，故只有在總線時鐘工作在10mhz以下頻率時可以直接將ack_o端口與stb_i端口相聯(lián)。當master（指令cache）發(fā)出塊讀信號時，將發(fā)出一個lock_o＝vih信號給總線仲裁器，要求總線能不間斷提供總線。其對slave（flash接口部分）控制信號為：
---we_i=vil,cyc_i=vih,stb_i=vih，byte=vih
---當master結束塊讀時發(fā)出stb_o= vil信號即可。其輸出接口部分如圖3所示。
---該輸出接口模塊源代碼如下：
---module wboprt16(clk_i, rst_i,we_i,stb_i,ack_o,dq_i,dat_o);
--- //wishbone slave interface
---input clk_i,rst_i,we_i,stb_i;
---output ack_o;
---output [15:0] dat_o;
---//non-wishbone interface
---input [15:0] dq_i;
---reg [15:0] dat_o;
---always @(posedge clk_i or negedge rst_i)
---begin :label_a
---if (!rst_i)
---dat_o<=16b0;//asynchronous reset
---else if ((stb_i & !we_i)==b1)
---dat_o<=dq_i;
---else
---dat_o<=dat_o;
---end
---assign ack_o=stb_i;
---endmodule
 flash寫接口設計
---因為flash寫命令需要多個時鐘周期時間，其中采用unlock bypass模式時為2個時鐘周期，采用正常寫模式需要4個時鐘周期，并且在對flash寫和擦寫時更是需要等待幾十微秒到幾秒鐘的時間，因此對接口slave必須引入寫或擦寫完成狀態(tài)信號來控制總線數(shù)據(jù)的傳輸。為簡化設計采用ry/by引腳來判斷。輸出端口原理圖與圖3類似，只需對部分端口進行修改即可。
---為了能夠對塊保護的程序代碼進行升級，特別設計了一個12v電源電路來實現(xiàn)暫時塊寫保護解除功能，如圖4所示。利用am29lv160d芯片提供的暫時塊寫保護解除模式——即通過對reset＃引腳加vid電壓。在該模式下先前被保護的塊可以通過塊地址選中來進行編程和擦除。并且一旦vid移除所有先前保護的塊恢復到保護狀態(tài)。
 ---圖4中rv控制信號處采用了r=5kω，c=100pf，以便使得vid電壓上升時間與下降時間≥500ns，從而滿足相應的時序要求。肖特基二極管的引入保證了系統(tǒng)reset信號被鉗制在vcc＋0.3v以內?？傮w上來說，該電源隔離電路的引入對整個系統(tǒng)的成本影響很小，而使系統(tǒng)可以在線編程被保護的flash存儲塊。
---在進行flash編程時部分要用到命令總線時序定義，如表1所示。
總結
---本文介紹了amd公司am29lv160d芯片特點，并在此基礎上設計了基于wishbone總線的接口。該接口設計方法對其他相關soc總線接口設計具有直接的參考意義。

參考文獻
1 amd am29lv160d data sheet .amd corporation
2 wishbone soc architecture specification.
revision b.3. silicore corporation
3 鄧良惠,梁國龍. 超大容量flash閃存與
dsp的數(shù)據(jù)存儲接口技術.設計與應用