一種低壓DC-DC升壓電路的實現(xiàn)
式中: Rt─ 定時電阻(Ω); Ct─定時電容(F); Dmax─ 最大占空比; f─ 開關(guān)頻率(Hz)。
?。?) 變壓器設(shè)計。變壓器是DC-DC 變換的重要元件, 主要技術(shù)參數(shù)是初次級匝數(shù)比(n=Np/Ns) 和初次級的電感量(Lp, Ls)。變壓器的初級匝數(shù)和次級匝數(shù)分別為:
Np≥UimaxDmax/2 BmAe
Ns= (U0+UF) Np/UiminDmax
式中: Uimax─最大輸入電壓(V); Uimin─ 最小輸入電壓(V); Bm─ 飽和磁通密度(T); Ae─磁芯截面積(m2);UF─整流管正向壓降(V); U0─ 輸出電壓(V)。
輸出部分的設(shè)計。輸出部分主要是輸出濾波電感L和輸出電容C 構(gòu)成的LC 低通網(wǎng)絡(luò), 電感量和電容值:
L≥(U0+UF(1-Dmin))/△LL
C≥△LL/8fU0max
式中: △LL─電感脈動電流, 一般取值△LL= (10%~25%; I0max(A); Dmin─最小占空比; U0max─輸出最大紋波電壓(V)。
?。?) 開關(guān)管和整流管的選取。開關(guān)管的最大電流Ipmax由下式求得:
Ipmax=(I0max+△LL/2) +IMNp/Ns
式中: IM─勵磁電流(A); I0max─ 變壓器最大輸出電流(A)。開關(guān)管耐壓為: UB≥2Ui.整流管的最大峰值電流IFM為: IFM≥Iomax+△LL/2.整流管的反向截止電壓URRM≥2Uimax。
1.3 可靠性設(shè)計
可靠性設(shè)計主要是對電路中的功率元器件進行降額設(shè)計和熱設(shè)計。降額設(shè)計可參照產(chǎn)品使用手冊, 保證其參數(shù)的合理應(yīng)用, 如電壓、電流參數(shù)的選用留有一定的余量, 這對可靠性指標的保證有很大好處; 熱設(shè)計可在設(shè)計過程中應(yīng)用合理有效的措施使電源的溫升降至最低, 提高其可靠性, 而在低溫的環(huán)境下, 對器件的溫度級別進行適當?shù)倪x擇, 對電容、磁芯等器件在滿足輸出指標的低溫特性問題上也進行適當?shù)目紤], 確保電源的可靠工作。
?。?) 功率元器件的降額設(shè)計。由設(shè)計公式計算出各元器件的實際要求數(shù)值, 按降額使用的要求選取元器件。
磁性元件的設(shè)計: 變壓器和輸出濾波電感是DC-DC變換器的主要發(fā)熱源, 承載著很大的功率, 本電路變壓器選用的EE55 型磁芯, 電感選用的4H399 型磁環(huán)。
整流管: 本電路輸出電壓高、電流較小, 選用高耐壓的快恢復二極管。其具有很好的開關(guān)特性, 它的正向壓降(UF)隨溫度的升高而降低, 可方便的串、并聯(lián)使用,可降低整流管的導通損耗, 有利于電路的效率。本電路輸出電壓為100V, 輸出電流為10A.因此, 選用快恢復二極管DSEI2×61-12B.
開關(guān)管: 功率MOSFET 具有開關(guān)速度快、損耗低、驅(qū)動電流小、無二次擊穿現(xiàn)象、過載能力強、抗干擾能力強等優(yōu)點, 廣泛應(yīng)用于高頻開關(guān)電源。當輸入電壓為低壓19.2 時, 流過開關(guān)管的峰值電流取Ip≈72A; 輸入電壓為高壓28.8V 時, 漏源電壓UDS=2×28.8+U 尖峰(尖峰是變壓器漏感產(chǎn)生的)。
?。?) 熱設(shè)計。只有減小熱阻, 提高效率, 才能提高電路的可靠性。電路的發(fā)熱元件主要是開關(guān)管、變壓器、整流管和電感等, 設(shè)計方面采取的措施包括:
?、僭谏崞魃虾侠矸植紵嵩?, 將上述元器件分開擺放;②功率器件與散熱器的連接面均勻涂抹導熱硅脂, 減少熱阻, 增加熱傳導; ③ 進行熱分析計算和熱設(shè)計, 確定散熱器的尺寸、風機風量的大小及風道的設(shè)計。
1.4 電路試驗結(jié)果
通過對該DC-DC 搭試電路的反復試驗和相關(guān)指標測試, 其結(jié)果基本滿足設(shè)計要求。電路性能指標的測試數(shù)據(jù)見表2.該電路的主要不足之處在于變換電路和變壓器的漏感處理不理想, 導致初級MOSFET 上承受的峰值電壓太高, 輸入電壓為高壓28.8V 時最大可達150~160V, 采用的RC 吸收電路發(fā)熱嚴重功耗大, 同時電路的效率偏低, 需要對電路進一步的優(yōu)化和改進。
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