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生成一個(gè)寬度與模擬電壓方根成反比的脈沖

作者: 時(shí)間:2013-03-16 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
圖1中的電路是一個(gè)邊沿觸發(fā)單穩(wěn)電路, 它基于以前一個(gè)邊沿觸發(fā)的拋物線發(fā)生器設(shè)計(jì)(參考文獻(xiàn)1)。本電路對(duì)早期的發(fā)生器做了一個(gè)簡(jiǎn)單但大幅的改動(dòng),即將由級(jí)聯(lián)積分器第一級(jí)的S2與IC3(見原設(shè)計(jì))組成的輸入端與基準(zhǔn)電壓源VREF斷開,而將其連接到圖1中的輸入電壓端子。

圖1,時(shí)鐘輸入端由低至高的轉(zhuǎn)換觸發(fā)了單穩(wěn)態(tài)。在互補(bǔ)的Q與Q輸出處產(chǎn)生的脈沖寬度是0V~3V模擬輸入電壓的數(shù)學(xué)意義非線性函數(shù)。
圖1,時(shí)鐘輸入端由低至高的轉(zhuǎn)換觸發(fā)了單穩(wěn)態(tài)。在互補(bǔ)的Q與Q輸出處產(chǎn)生的是0V~3V模擬輸入電壓的數(shù)學(xué)意義非線性函數(shù)。

本電路輸出Q上的輸出為:

生成一個(gè)寬度與模擬電壓方根成反比的脈沖

雖然經(jīng)此修改就能實(shí)現(xiàn)單穩(wěn)功能,但圖1中的IC 1、IC2和IC3邏輯電路還增加了其它功能。增加的邏輯可確保發(fā)生器忽略那些在單穩(wěn)態(tài)繁忙狀態(tài)內(nèi)到來(lái)的觸發(fā)器脈沖。

這樣, 發(fā)生器的積分器電容可以放電到接近0V,誤差不大于0.4%,即使是在超過(guò)1/[TQ(VIN)]值的相對(duì)高的觸發(fā)器頻率。因此,某個(gè)輸入電壓的輸出脈沖是恒定的,哪怕觸發(fā)周期非常接近或小于輸出脈沖寬度。

IC1和IC2組成的子電路產(chǎn)生一個(gè)RST(復(fù)位)信號(hào),其尾沿決定了一個(gè)單穩(wěn)運(yùn)行周期的結(jié)束。在Q輸出從低到高轉(zhuǎn)換以及RST信號(hào)從高到低轉(zhuǎn)換期間,本電路中的RST信號(hào)禁止單穩(wěn)態(tài)的重新觸發(fā)。為此,觸發(fā)器信號(hào)的時(shí)鐘與RST信號(hào)在IC3中相OR(圖2)。

圖2,所生成RST邏輯信號(hào)的高電平防止在時(shí)鐘輸入端的任何低-高轉(zhuǎn)換去觸發(fā)單穩(wěn)態(tài),除非發(fā)生器的積分器以一種已確定的方式復(fù)位。
圖2,所生成RST邏輯信號(hào)的高電平防止在時(shí)鐘輸入端的任何低-高轉(zhuǎn)換去觸發(fā)單穩(wěn)態(tài),除非發(fā)生器的積分器以一種已確定的方式復(fù)位。

于是,在RST脈沖尾沿后, 下一個(gè)有效觸發(fā)被使能。大約在二次拋物線電壓VOQ達(dá)到其峰值電壓VPEA K的一半時(shí),RST脈沖的前沿出現(xiàn)。在VOQ跌至VPEAK / 2 以下時(shí),RST脈沖的尾沿被延遲。IC1A輸入端RS/CD/RD網(wǎng)絡(luò)的輔助時(shí)間常數(shù)(RD+RS)CD定義了這個(gè)延遲。實(shí)驗(yàn)評(píng)測(cè)表明,輸出脈沖寬度的相對(duì)誤差為:

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然后誤差幅度上升,在輸入電壓為99.925mv時(shí)達(dá)到最大δTQ=-2.337×10-3。通過(guò)進(jìn)一步降低輸入電壓,負(fù)誤差的幅度下降, 在輸入電壓為9 . 9 1 5 m V 時(shí)為δ T Q= -1.113×10-3。在輸入電壓為3.08mV時(shí),相對(duì)誤差為正值,δTQ≈2.9×10-3。進(jìn)一步降低輸入電壓,會(huì)使正誤差快速上升,在輸入電壓為1.065mV時(shí)達(dá)到3%。但注意,輸入電壓跨度幾乎是3000:1。觸發(fā)頻率為2Hz或200Hz。

在觸發(fā)器頻率為2kHz、200kHz和2MHz時(shí),得到的脈沖寬度幾乎相同。由于觸發(fā)器頻率變化而造成的脈沖寬度變化可與δTQ值相當(dāng)甚至更低。對(duì)一個(gè)滿量程輸入,在輸入電壓等于基準(zhǔn)電壓時(shí),測(cè)得的脈沖寬度為445.44μs。

用VOQ輸出, 還可以將此電路用作一個(gè)精密的二次拋物線時(shí)基發(fā)生器;輸入電壓控制著發(fā)生器的速度。



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