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手機USB充電所面臨的綠色挑戰(zhàn)

作者: 時間:2013-01-21 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
承受30kV的接觸放電電壓(IEC61000-4-2)。對于這種應(yīng)用來說,8/20μs的性能很關(guān)鍵。在這種情況下,為了保護器芯片,二極管將吸收27A的峰值脈沖電流(IPP)到GND。這意味著,到達插座和器的浪涌電流可能達27A,這個電流將被GND吸收,而不會損壞TVS二極管或電路。充電器芯片見到的電壓在遭受浪涌期間(數(shù)十毫秒)不會超過18.5V,因此不會對芯片的完整性造成影響。總的峰值脈沖功率約500W。

如果出于任何理由,將TVS二極管連接到VBAT或另外一條永久偏置線,那么TVS二極管的漏電流必須非常低。這種解決方案的漏電流為0.5μA時可以滿足便攜式設(shè)備的要求。

最后,解決方案的占位面積必須非常小,以便在已經(jīng)集成了許多功能和許多芯片的PCB上得以實現(xiàn)。ESDA8V2-1MX2采用1.0mmx1.45mm的微型QFN封裝,最大厚度只有0.6mm。


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