新聞中心

EEPW首頁(yè) > 電源與新能源 > 設(shè)計(jì)應(yīng)用 > 高頻開(kāi)關(guān)的光耦合器驅(qū)動(dòng)器

高頻開(kāi)關(guān)的光耦合器驅(qū)動(dòng)器

作者: 時(shí)間:2012-09-27 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

  光耦合TLP250的驅(qū)動(dòng)電路如圖1所示。其中包括、前級(jí)放大器、觸發(fā)器、功率放大器等部分。

光耦合驅(qū)動(dòng)器TLP250的驅(qū)動(dòng)電路圖

  圖1 光耦合的驅(qū)動(dòng)電路

  1)

  通常簡(jiǎn)稱(chēng)為光耦,它是由發(fā)光二極管和接收二極管組成。當(dāng)發(fā)光二極管通過(guò)毫安級(jí)的電流時(shí),接收二極管能產(chǎn)生出微安級(jí)的電流和不大的電壓。光耦的隔離耐壓通常大于1500 V,分布電容小,干擾也很小。

  2)前級(jí)放大器

  前級(jí)放大器是一個(gè)運(yùn)算放大器(比較器),放大倍數(shù)大,輸出脈沖沿較陡。

  3)觸發(fā)器

  觸發(fā)器能使輸出電壓波形的上升沿和下降沿很陡,能使功放級(jí)脈沖的上升時(shí)間和下降時(shí)間小于0.5 PS,“拉”、“灌”電流的峰值可以達(dá)到安培級(jí)。輸出端7和輸出端6并聯(lián)(避免插件接觸不良),經(jīng)過(guò)R3限流接到MOSFET管的柵級(jí)。R4是放電電阻,當(dāng)驅(qū)動(dòng)芯片未插上或接觸不良時(shí)沒(méi)有柵壓。

 ?。?)外接負(fù)偏壓

  用凡通過(guò)數(shù)毫安的電流后,使穩(wěn)壓管VS穩(wěn)壓,得到5 V的負(fù)偏壓。其陰極(正電壓端)接MOSFET的源極S,當(dāng)輸出端(7)為低電位(近似5端的電位,即輔助電源UCC的負(fù)端電位)時(shí),柵極電位低于源極,即負(fù)偏,MOSFET管可靠地截止,不易受干擾。



評(píng)論


相關(guān)推薦

技術(shù)專(zhuān)區(qū)

關(guān)閉