淺談非隔離式電源的共模電流

圖 2 100 fF 可導(dǎo)致超出 EMI 限制

上升時(shí)間控制通過降低電源的開關(guān)速度來限制高頻譜，最適合解決 10MHz 以上的 EMI 問題。減小開關(guān)節(jié)點(diǎn)的寄生電容很容易，只需最小化蝕刻面積或者使用屏蔽材料。該節(jié)點(diǎn)到整流電源線路的電容，不會(huì)形成共模電流，因此您可以將導(dǎo)線埋入多層型印制線路板 (PWB)，從而減少大量不需要的電容。但是，您無法徹底消除它，因?yàn)?FET 漏極和電感仍然余留有電容。圖 2 給出了一幅曲線圖，引導(dǎo)您逐步計(jì)算 EMI 頻譜。第一步是計(jì)算電壓波形（紅色）的頻譜。通過計(jì)算漏電壓波形的傅里葉級(jí)數(shù)，或者只需計(jì)算基本分量然后對(duì)包線取近似值（1除以調(diào)和數(shù)和基本分量），便可完成上述計(jì)算。在高頻完成進(jìn)一步的調(diào)節(jié)（1/ （pi *上升時(shí)間）），如7MHz以上頻率所示。下一步，用該電壓除以寄生電容的電抗。有趣的是，低頻輻射為扁平穩(wěn)定狀態(tài)，直到頻率穿過由上升時(shí)間設(shè)定的極點(diǎn)為止。最后，CISPR B 類規(guī)定也被繪制成圖。僅 0.1 pF 的寄生電容和一個(gè)高壓輸入，輻射就已接近于規(guī)定值。

EMI 問題也存在于更高的頻率，原因是輸入線路傳輸共振引起的電路共振和輻射。共模濾波可以幫助解決這些問題，因?yàn)樵?C_Stray2存在大量的電容。例如，如果電容大小為 20 pF，則其在 5MHz 下阻抗低于 2 K-Ohms。我們可以在電路和50 Ohm 測(cè)試電阻器之間增加阻抗足夠高的共模電感，以降低測(cè)得輻射。更高頻率時(shí)，也是如此。

總之，使用高壓、非隔離式電源時(shí)，共模電流會(huì)使 EMI 輻射超出標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定。在一些雙線式設(shè)計(jì)中（無基底連接），解決這個(gè)問題尤其困難，因?yàn)橛性S多高阻抗被包含在內(nèi)。解決這個(gè)問題的最佳方法是最小化寄生電容，并對(duì)開關(guān)頻率實(shí)施高頻脈動(dòng)。頻率更高時(shí)，電路其余部分的分散電容的阻抗變小，因此共模電感可以同時(shí)降低輻射發(fā)射和傳導(dǎo)發(fā)射。