大、中功率MOSFET與IGBT驅(qū)動(dòng)電路方案探討
1 引言
隨著電力電子技術(shù)和電力半導(dǎo)體器件的飛速發(fā)展,近幾年來MOSFET和IGBT在變頻調(diào)速裝置、開關(guān)電源、不間斷電源等各種高性能、低損耗和低噪聲的場(chǎng)合得到了廣泛的應(yīng)用。這些功率器件的運(yùn)行狀態(tài)直接決定了設(shè)備性能的優(yōu)劣,而性能良好的驅(qū)動(dòng)電路又是開關(guān)器件安全可靠運(yùn)行的重要保障。在設(shè)計(jì) MOSFET和IGBT的驅(qū)動(dòng)電路時(shí),應(yīng)考慮以下幾個(gè)因素:
?。?)要有一定的驅(qū)動(dòng)功率。也就是說,驅(qū)動(dòng)電路能提供足夠的電流,在所要求的開通時(shí)間和關(guān)斷時(shí)間內(nèi)對(duì)MOSFET和IGBT的輸入電容Ciss充電和放電。輸入電容Ciss包括柵——源之間的電容CGS和柵——漏之間的電容CGD。 MOSFET和 IGBT的開通和關(guān)斷實(shí)質(zhì)上是對(duì)其輸入電容的充放電過程,柵極電壓VGS的上升時(shí)間tr和下降時(shí)間tf決定輸入回路的時(shí)間常數(shù),即:tr(或tf)=2.2RCiss ,式中R是輸入回路電阻,其中包括驅(qū)動(dòng)電源的內(nèi)阻Ri。從上式中可以知道驅(qū)動(dòng)電源的內(nèi)阻越小,驅(qū)動(dòng)速度越快。
?。?)驅(qū)動(dòng)電路延遲時(shí)間要小。開關(guān)頻率越高,延遲時(shí)間要越小。
(3)大功率IGBT在關(guān)斷時(shí),有時(shí)須加反向電壓,以防止受到干擾時(shí)誤開通。
?。?)驅(qū)動(dòng)信號(hào)有時(shí)要求電氣隔離。
以PWM DC-DC全橋變換器為例,其同一橋臂的兩只開關(guān)管的驅(qū)動(dòng)信號(hào)S上和S下相差1800,是剛好相反的,即一只開關(guān)管開通,另一只開關(guān)管要關(guān)斷,或者同時(shí)關(guān)斷。其中,兩只上臂的開關(guān)管之間和下臂的開關(guān)管必須隔離。對(duì)于中小功率的驅(qū)動(dòng)電路,用脈沖變壓器的方法實(shí)現(xiàn)隔離最為簡(jiǎn)單,而在大功率的應(yīng)用場(chǎng)合,則要使用集成驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)。
2 適用于中、小功率情況下的驅(qū)動(dòng)電路
在驅(qū)動(dòng)小功率的MOSFET和IGBT時(shí),如果控制芯片的驅(qū)動(dòng)信號(hào)是圖騰柱輸出方式,且可提供一定的驅(qū)動(dòng)電流,那么可以直接由控制芯片來驅(qū)動(dòng)變壓器,如圖1所示:
圖1 用芯片直接驅(qū)動(dòng)電路示意圖
圖中,UC3875提供了四個(gè)輸出電流峰值為2A的圖騰柱輸出極,由于它們直接驅(qū)動(dòng)的是變壓器,必須給每個(gè)輸出端與電源和地線之間接一個(gè)肖特基二極管,以防止損壞輸出端。變壓器次級(jí)經(jīng)過一個(gè)電阻后直接接到開關(guān)管的觸發(fā)極,電阻的作用是抑制脈沖變壓器的漏感和開關(guān)管的柵極電容引起的的震蕩。
但是要驅(qū)動(dòng)功率較大的MOSFET和IGBT,上述控制芯片的驅(qū)動(dòng)能力就顯得不夠了,此時(shí)可以將控制芯片的驅(qū)動(dòng)信號(hào)加以推拉式功率放大,如圖2所示:
圖2 芯片后接功放的驅(qū)動(dòng)電路示意圖
適當(dāng)選擇三極管,就可以可靠地驅(qū)動(dòng)功率開關(guān)管。
3 適用于大功率場(chǎng)合驅(qū)動(dòng)電路方案
在大功率應(yīng)用場(chǎng)合,由于上述驅(qū)動(dòng)電路受驅(qū)動(dòng)能力的限制,無法可靠地驅(qū)動(dòng)大型MOSFET、IGBT。而集成驅(qū)動(dòng)器的出現(xiàn)則很好地解決了這一問題。國(guó)內(nèi)外已推出了多種具有保護(hù)功能的智能驅(qū)動(dòng)器,如日本產(chǎn)的EXB841、EXB850,國(guó)產(chǎn)的M57959和CWK等。它們具有許多優(yōu)點(diǎn),如電路參數(shù)一致性好、運(yùn)行穩(wěn)定可靠、具有多種保護(hù)功能等。但它們最大的不足是需要單獨(dú)的浮地電源,給系統(tǒng)帶來了不便。最近IR公司推出了IR2110集成驅(qū)動(dòng)器,它針對(duì)上述驅(qū)動(dòng)器電源系統(tǒng)的不足,設(shè)置了自舉浮動(dòng)電源,只需一路電源即可實(shí)現(xiàn)隔離驅(qū)動(dòng)。對(duì)半橋、全橋式電路特別適用。IR2110的功能框圖如圖3所示。
圖3 IR2110功能框圖
隨著電力電子技術(shù)和電力半導(dǎo)體器件的飛速發(fā)展,近幾年來MOSFET和IGBT在變頻調(diào)速裝置、開關(guān)電源、不間斷電源等各種高性能、低損耗和低噪聲的場(chǎng)合得到了廣泛的應(yīng)用。這些功率器件的運(yùn)行狀態(tài)直接決定了設(shè)備性能的優(yōu)劣,而性能良好的驅(qū)動(dòng)電路又是開關(guān)器件安全可靠運(yùn)行的重要保障。在設(shè)計(jì) MOSFET和IGBT的驅(qū)動(dòng)電路時(shí),應(yīng)考慮以下幾個(gè)因素:
?。?)要有一定的驅(qū)動(dòng)功率。也就是說,驅(qū)動(dòng)電路能提供足夠的電流,在所要求的開通時(shí)間和關(guān)斷時(shí)間內(nèi)對(duì)MOSFET和IGBT的輸入電容Ciss充電和放電。輸入電容Ciss包括柵——源之間的電容CGS和柵——漏之間的電容CGD。 MOSFET和 IGBT的開通和關(guān)斷實(shí)質(zhì)上是對(duì)其輸入電容的充放電過程,柵極電壓VGS的上升時(shí)間tr和下降時(shí)間tf決定輸入回路的時(shí)間常數(shù),即:tr(或tf)=2.2RCiss ,式中R是輸入回路電阻,其中包括驅(qū)動(dòng)電源的內(nèi)阻Ri。從上式中可以知道驅(qū)動(dòng)電源的內(nèi)阻越小,驅(qū)動(dòng)速度越快。
?。?)驅(qū)動(dòng)電路延遲時(shí)間要小。開關(guān)頻率越高,延遲時(shí)間要越小。
(3)大功率IGBT在關(guān)斷時(shí),有時(shí)須加反向電壓,以防止受到干擾時(shí)誤開通。
?。?)驅(qū)動(dòng)信號(hào)有時(shí)要求電氣隔離。
以PWM DC-DC全橋變換器為例,其同一橋臂的兩只開關(guān)管的驅(qū)動(dòng)信號(hào)S上和S下相差1800,是剛好相反的,即一只開關(guān)管開通,另一只開關(guān)管要關(guān)斷,或者同時(shí)關(guān)斷。其中,兩只上臂的開關(guān)管之間和下臂的開關(guān)管必須隔離。對(duì)于中小功率的驅(qū)動(dòng)電路,用脈沖變壓器的方法實(shí)現(xiàn)隔離最為簡(jiǎn)單,而在大功率的應(yīng)用場(chǎng)合,則要使用集成驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)。
2 適用于中、小功率情況下的驅(qū)動(dòng)電路
在驅(qū)動(dòng)小功率的MOSFET和IGBT時(shí),如果控制芯片的驅(qū)動(dòng)信號(hào)是圖騰柱輸出方式,且可提供一定的驅(qū)動(dòng)電流,那么可以直接由控制芯片來驅(qū)動(dòng)變壓器,如圖1所示:
圖中,UC3875提供了四個(gè)輸出電流峰值為2A的圖騰柱輸出極,由于它們直接驅(qū)動(dòng)的是變壓器,必須給每個(gè)輸出端與電源和地線之間接一個(gè)肖特基二極管,以防止損壞輸出端。變壓器次級(jí)經(jīng)過一個(gè)電阻后直接接到開關(guān)管的觸發(fā)極,電阻的作用是抑制脈沖變壓器的漏感和開關(guān)管的柵極電容引起的的震蕩。
但是要驅(qū)動(dòng)功率較大的MOSFET和IGBT,上述控制芯片的驅(qū)動(dòng)能力就顯得不夠了,此時(shí)可以將控制芯片的驅(qū)動(dòng)信號(hào)加以推拉式功率放大,如圖2所示:
適當(dāng)選擇三極管,就可以可靠地驅(qū)動(dòng)功率開關(guān)管。
3 適用于大功率場(chǎng)合驅(qū)動(dòng)電路方案
在大功率應(yīng)用場(chǎng)合,由于上述驅(qū)動(dòng)電路受驅(qū)動(dòng)能力的限制,無法可靠地驅(qū)動(dòng)大型MOSFET、IGBT。而集成驅(qū)動(dòng)器的出現(xiàn)則很好地解決了這一問題。國(guó)內(nèi)外已推出了多種具有保護(hù)功能的智能驅(qū)動(dòng)器,如日本產(chǎn)的EXB841、EXB850,國(guó)產(chǎn)的M57959和CWK等。它們具有許多優(yōu)點(diǎn),如電路參數(shù)一致性好、運(yùn)行穩(wěn)定可靠、具有多種保護(hù)功能等。但它們最大的不足是需要單獨(dú)的浮地電源,給系統(tǒng)帶來了不便。最近IR公司推出了IR2110集成驅(qū)動(dòng)器,它針對(duì)上述驅(qū)動(dòng)器電源系統(tǒng)的不足,設(shè)置了自舉浮動(dòng)電源,只需一路電源即可實(shí)現(xiàn)隔離驅(qū)動(dòng)。對(duì)半橋、全橋式電路特別適用。IR2110的功能框圖如圖3所示。
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集成驅(qū)動(dòng)器
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