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熒光燈驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)

作者: 時(shí)間:2012-02-20 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

在照明應(yīng)用電子變換器實(shí)現(xiàn)中,成本制約因素驅(qū)動(dòng)著技術(shù)的選擇。除下文要介紹的創(chuàng)新的縱向智能功率(VIPower)解決方案外,市場上還存在另外兩種不同的經(jīng)典方法。

第一種方法是基于IC器件,與若干個(gè)外部無源器件一起,驅(qū)動(dòng)兩個(gè)高壓(通常高于400V)功率MOS晶體管,實(shí)現(xiàn)一個(gè)半橋變換器。

第二種方法基于兩個(gè)高壓雙極晶體管和大量的無源器件,但是只能實(shí)現(xiàn)前文提到的另外兩個(gè)解決方案集成的具體功能中的部分功能。雙極解決方案被用于成本極其低廉、性能中低的應(yīng)用中。

相對于經(jīng)典的方法,本文提出了一個(gè)創(chuàng)新的解決方案,它的成本具有很強(qiáng)的競爭力,而且性能也可得到增強(qiáng)。

VK06TL采用意法半導(dǎo)體(ST)獨(dú)有的智能功率VIPower M3-3制造技術(shù),這項(xiàng)技術(shù)允許在同一芯片上集成控制部分和功率級。功率級是一個(gè)“發(fā)射極開關(guān)”,這個(gè)“發(fā)射極開關(guān)”通過在一個(gè)共射-共基放大器結(jié)構(gòu)中放置一個(gè)雙極高壓達(dá)林頓晶體管和一個(gè)低壓MOS場效應(yīng)晶體管制成的,因此,這個(gè)解決方案實(shí)現(xiàn)了雙極器件的低壓降與斷態(tài)時(shí)高擊穿電壓之間的平衡,以及MOS場效應(yīng)晶體管的開關(guān)速度快的特性。

由于在關(guān)斷狀態(tài)時(shí),雙極晶體管級處于共基極模式,因此,從雙極晶體管的基極抽出貯存電荷的負(fù)基極電流基本上是集電極電流,因?yàn)檫@個(gè)原因,這個(gè)“發(fā)射極開關(guān)”結(jié)構(gòu)可以實(shí)現(xiàn)一個(gè)很高的頻率(200kHz左右)。

這個(gè)特性使共射-共基放大器結(jié)構(gòu)的開關(guān)性能比一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)雙極晶體高出很多,可與一個(gè)場效應(yīng)MOS晶體管媲美。因此,我們說這個(gè)器件沒有電荷貯存效應(yīng)。這項(xiàng)技術(shù)的控制部分是采用BCD(雙極-互補(bǔ)MOS-雙擴(kuò)散MOS)單元庫實(shí)現(xiàn)的。

鎮(zhèn)流器驅(qū)動(dòng)器

在VIPower M3-3技術(shù)基礎(chǔ)之上,我們設(shè)計(jì)了一個(gè)鎮(zhèn)流器專用的驅(qū)動(dòng)器(VK06TL)。這個(gè)器件采用兩種不同的封裝:SO-16表面組裝封裝和ST19通孔組裝封裝。

在圖1的變換器半橋中,VK06TL被指定用于上橋臂和下橋臂,因?yàn)椴捎脙蓚€(gè)VK06TL,幾乎無需外部器件,只用兩個(gè)二次繞組就可以導(dǎo)通一次側(cè)扼流圈,所以,設(shè)計(jì)一個(gè)效率極高而成本極低的變換器是可行的。

熒光燈驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)
圖1:M3-3 橫截面圖

這個(gè)變換器能夠恰當(dāng)?shù)毓芾硪粋€(gè)高端熒光燈應(yīng)用的全部必備的工作條件:啟動(dòng)、預(yù)熱頻率和時(shí)長控制、點(diǎn)火和穩(wěn)態(tài)階段。這個(gè)半橋可以實(shí)現(xiàn)過流保護(hù)(EOL:燈管壽命終止)、整流效應(yīng)保護(hù)和過溫保護(hù),從而創(chuàng)造一個(gè)全保護(hù)系統(tǒng)。如圖2:VK06TL的簡化塊圖所示,我們考慮到了以下幾個(gè)因素:

VK06TL簡化塊圖
圖2:VK06TL簡化塊圖

功率級是由一個(gè)雙極高壓達(dá)林頓晶體管和一個(gè)低壓MOS場效應(yīng)晶體管組成的共射-共基放大器,這個(gè)解決方案實(shí)現(xiàn)了雙極器件的低壓降與斷態(tài)時(shí)高擊穿電壓之間的平衡,以及MOS場效應(yīng)晶體管的開關(guān)速度快的特性。這個(gè)功率級由雙極晶體管的基極上的固定電流供電,并由柵極端子控制。在導(dǎo)通狀態(tài)(Vg > Vthreshold),集電極電流可以通過MOS晶體管流向集電極,貯存階段開始。

在這個(gè)階段,發(fā)射極電流不再流動(dòng),而且集電極電流變成負(fù)基極電流。因?yàn)榘l(fā)射機(jī)開關(guān)操作,貯存時(shí)長降低到幾百納秒(無貯存效應(yīng))。一旦所有的基極電荷都被抽空,功率級就進(jìn)入斷態(tài)。由于貯存時(shí)間短,功率級能夠以高于標(biāo)準(zhǔn)雙極晶體管的頻率工作(最高500KHz),同時(shí)還能維持一個(gè)很高的標(biāo)準(zhǔn)功率MOS無法達(dá)到的耐壓能力(最高1KV),而且導(dǎo)通損耗極低。

控制級和功率級都是由Vcc引腳供電,Vcc引腳通過一個(gè)電阻電容(R-C)網(wǎng)絡(luò)與直流總線相連。在啟動(dòng)階段,電容通過一個(gè)高阻值的電阻器充電,因此,只需幾百微安。由于功率雙極晶體貯存基極電流是在通過‘Vcc充電網(wǎng)絡(luò)’連接Vcc引腳的電容上恢復(fù)的,因此,在工作階段,器件是自己給自己供電。

VK06TL這項(xiàng)特殊功能允許使用功耗更小的電阻器,而且上電橋臂電源無需充電泵。



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