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反激電源中的實用技術(shù)探討

作者: 時間:2011-09-13 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
在前面的反激電源的設(shè)計中,我們闡述了的基本拓撲BUCK-BOOST電路的工作原理,并推導(dǎo)了BUCK-BOOST向FLYBACK拓撲的演變過程。然后我們學(xué)習了的一些關(guān)鍵參數(shù)的設(shè)計與計算。并將設(shè)計過程總結(jié)成了一個EXCEL電子表格。現(xiàn)在把這個電子表格提供給大家,供大家下載后驗證設(shè)計,同時體提供一個小工具用于計算波形的RMS值。

在這篇文章里,我們將把反激的設(shè)計深化、延伸。在以后的一段時間里,我將在這里和大家一起探討中的一些,比如:CRM/BCM的反激設(shè)計、QR模式的反激設(shè)計、LCD吸收替代RCD吸收、反激單級PFC等等。同時,歡迎大家積極參與討論,發(fā)表自己的觀點。

首先,我們看看常用的CRM/BCM和QR模式下的反激電源的控制IC主要有哪幾種,我先說幾個,后面請大家積極補充:

CRM/BCM:L6561,L6562,MC34262,SA7527

QR:NCP1337

首先來看CRM/BCM的工作情況。

我們都知道,CRM/BCM的反激電源是工作在變頻控制,那么工作的頻率究竟是怎么變化的呢?請看:

T為工作周期,VIN是輸入電壓,L是初級電感量,IP是初級峰值電流PIN是輸入功率,VF是反射電壓,fs是開關(guān)頻率。

從上面的關(guān)系式,我們可以看出,對于恒定電壓、恒定功率輸出的電源來說,如果忽略了效率,那么工作周期隨著輸入電壓的升高,而減小,那么就是輸入電壓增高,工作頻率增加。如果考慮效率的話,一般來說,高壓輸入的時候,效率會高一些,那么頻率也是隨著輸入電壓增加而增加的。

對于某些電源的應(yīng)用場合而言,比如充電器,它的輸出電壓是變化的。那么當工作與恒流狀態(tài)的時候,輸出電壓并沒有達到正常值,就是說VF比較低,那么假如功率不變,輸入電壓不變,VF低的話,其實工作頻率是會變低的。

因為不同的頻率下,IP是不同的,那么變壓器的工作磁通量也是不同的。不確定的參數(shù)會讓設(shè)計失去控制。所以,我們設(shè)計一個CRM/BCM電源的時候,首先要確定工作頻率的變化區(qū)間,并判斷是否符合我們的要求。

那么,對于CRM/BCM的反激電源的設(shè)計是順序是:

根據(jù)輸入電壓范圍,MOS的耐壓值等參數(shù),確定在最低輸入電壓時的占空比,反射電壓VF、RCD箝位電壓VC。

然后,設(shè)定最低工作頻率,根據(jù)輸出功率,效率,計算出初級電感量。

這樣,就可以根據(jù)上面的公式,求出在不同負載狀態(tài)下,不同輸入電壓下,開關(guān)管的工作頻率了。

注意,這個算法,只適合交流整流后帶大電解濾波的FLYBACK電路,并不適用于單級的反激PFC的設(shè)計。

對于單級PFC類型的CRM/BCM工作模式,在每個半正弦周期內(nèi)的不同位置,頻率都是變化的。因為要滿足輸入電流隨著輸入電壓波形變化而變化。下面我們來分析一下這類工作模式的情況和特點,以及如何計算。

首先還是先計算一下工作周期

我們知道,對于CRM/BCM模式的反激PFC電路來說,是峰值電流型的控制,而峰值電流的參考值是由電壓反饋和乘法器內(nèi)部合成的,由于這個峰值電流的參考值和輸入的交流信號是同相位的,而PFC的電壓環(huán)的響應(yīng)又是要求很慢的,那么每個開關(guān)周期的峰值電流就是和輸入交流的瞬時值成固定比例的。故而在每個半正弦波的周期中,TON是不變的。

VF是反射電壓。

由這個公式可以知道,當輸入輸出條件不變的時候。在半個正弦周期內(nèi),頻率的最低點在正弦波的峰值處。

而當輸出不變的時候,輸入電壓升高時,從T的表達式可以看出來,T會縮短,那么工作頻率會升高。

這就是說,對于CRM/BCM的反激PFC電路來說,工作的最低頻率是在最低輸入電壓的半正弦波的最高處。

在這里,我們需要定義一個參數(shù):

KV=VINPK/VF

由于CRM/BCM的反激式PFCCRM/BCMBOOSTPFC是不一樣的。具體區(qū)別就在于,MOS關(guān)斷期間,CRM/BCM式的BOOSTPFC的輸入電流不會斷,只不過電感電流逐漸降到零,然后開啟下一個周期。這個過程中,輸入依然向后繼饋能。但反激式就不一樣了。MOS關(guān)斷時,初級電流也就關(guān)斷了。初級不向輸出饋能。輸出能量是變壓器儲能的釋放。如果KV值越小,說明反射電壓VF越高,那么工作占空比大,輸入電流畸變小,輸入端的電流濾波后的平滑電流波形就越接近正弦波。

所以呢,在可能的情況下,比如,MOS的耐壓夠高,我們把VF取高一些將有助于提高PF值,降低THD。

有了上面關(guān)于開關(guān)周期的計算,有了VF的設(shè)計考慮,該是把輸入功率PIN和輸入電壓、電流等參數(shù)建立關(guān)聯(lián)的時候了。

我們知道,VINPK是由輸入電壓知道的。KV是根據(jù)MOS的耐壓和占空比可以知道的。最大占空比是在最低輸入電壓的峰值處的。那么根據(jù)輸入功率PIN就可以計算出峰值電流IPK,然后就可以根據(jù)AP法,求出AP值,選擇合適的磁芯,再計算出初級匝數(shù)等。和通常的反激計算已經(jīng)沒有什么大的區(qū)別了。

有了F1(x),F2(x)F3(x),三個方程,我們可以計算初級的電流有效值和次級的電流有效值等,方便選擇合適的線徑。具體的推導(dǎo)過程,可以參考ST公司的L6561的應(yīng)用文檔。這里就僅僅給出結(jié)果吧:

這次讓我們看看采用LCD無損吸收的反激電路。先看一下帶有傳統(tǒng)的RCD的反激電路:

反激電源中的實用技術(shù)探討

在這個電路中,根據(jù)EXCEL表格里的計算,我們知道。一般情況下,RCD箝位電路的耗散能量是比漏感能量還要大的。而變壓器是不可能沒有漏感的。于是,為了降低漏感與RCD造成的損耗,人們提出了一種LCD的無損吸收網(wǎng)絡(luò)。見下圖:

從圖中可以看到,這個LCD吸收網(wǎng)絡(luò),同樣可以有效吸收因漏感造成的電壓過沖問題。同時,由于LCD網(wǎng)絡(luò)沒有電阻,不會產(chǎn)生功率損耗。效率會比采用RCD吸收網(wǎng)絡(luò)的好一些。



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