真相:準(zhǔn)諧振反激的設(shè)計內(nèi)幕
準(zhǔn)諧振 QR
Q(Quasi)
R( resonant)
主要是降低MOSFET的開關(guān)損耗,而mos的開關(guān)損耗主要是來源于自身的輸出電容。
從上圖中,大家可以討論一下,一般的開關(guān)損耗來自于那幾個部分的寄生電容產(chǎn)生的。在傳統(tǒng)的非連續(xù)模式反激DCM)的停滯時間內(nèi),寄生電容將會跟VDC周圍的主要電感產(chǎn)生振蕩。寄生電容上的電壓會隨振蕩而變化,但始終具有相當(dāng)大的數(shù)值。當(dāng)下一個周期MOSFET導(dǎo)通時間開始時,寄生電容會通過MOSFET放電,產(chǎn)生很大的電流尖峰。由于這個電流出現(xiàn)時MOSFET存在一個很大的電壓,該電流尖峰因此會做成開關(guān)損耗。
從上面的圖可以看到,準(zhǔn)諧振跟一般的傳統(tǒng)反激原理基本一樣。
Lleak是初級漏感,Rp是初級電阻,Cp是諧振電容;
當(dāng)副邊繞組中的能量釋放完畢之后(即變壓器磁通完全復(fù)位),在開關(guān)管的漏極出現(xiàn)正弦波振蕩電壓,振蕩頻率由LP、CP決定,衰減因子由RP決定。
對于傳統(tǒng)的反激式變換器,其工作頻率是固定的,因此開關(guān)管再次導(dǎo)通有可能出現(xiàn)在振蕩電壓的任何位置(包括峰頂和谷底。
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